二氧化鈦光觸媒太陽電池元件
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文二氧化鈦光觸媒太陽電池元件的執行單位是中科院材料所, 產出年度是96, 計畫名稱是新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫, 技術規格是1.二氧化鈦薄膜(工作電極)：孔隙度>50%、膜層不剝落。_x000D_2.白金薄膜(對電極)：膜層均勻、反光性強。_x000D_3.元件(5cells，並聯)：25W鹵素燈照射下，VOC≒0.670V、ISC≒40mA、JSC≒1.5mA。_x000D_, 潛力預估是3C產業、汽車太陽能天窗、攜帶型電源等.

序號	2191
產出年度	96
技術名稱-中文	二氧化鈦光觸媒太陽電池元件
執行單位	中科院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本計畫技術開發可供網印、塗佈應用漿液，運用塗佈技術製作二氧化鈦薄膜(工作電極)、白金薄膜(對電極)，配合染料(光吸收材料)、電解質液組裝成"太陽能光電轉換"元件，試片產生之電力可驅動小型馬達帶動風扇轉動。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	1.二氧化鈦薄膜(工作電極)：孔隙度>50%、膜層不剝落。_x000D_2.白金薄膜(對電極)：膜層均勻、反光性強。_x000D_3.元件(5cells，並聯)：25W鹵素燈照射下，VOC≒0.670V、ISC≒40mA、JSC≒1.5mA。_x000D_
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	太陽能電池、光電轉換元件
潛力預估	3C產業、汽車太陽能天窗、攜帶型電源等
聯絡人員	張百鎔
電話	03-4458110
傳真	03-4458233
電子信箱	Chang.paijung@msa.hinet.net
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	網印機、加熱爐、熱板、負壓填充設備、太陽能電池參數分析設備
需具備之專業人才	化工、材料、電子相關背景
同步更新日期	2019-07-24

序號

2191

產出年度

技術名稱-中文

二氧化鈦光觸媒太陽電池元件

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本計畫技術開發可供網印、塗佈應用漿液，運用塗佈技術製作二氧化鈦薄膜(工作電極)、白金薄膜(對電極)，配合染料(光吸收材料)、電解質液組裝成"太陽能光電轉換"元件，試片產生之電力可驅動小型馬達帶動風扇轉動。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.二氧化鈦薄膜(工作電極)：孔隙度>50%、膜層不剝落。_x000D_2.白金薄膜(對電極)：膜層均勻、反光性強。_x000D_3.元件(5cells，並聯)：25W鹵素燈照射下，VOC≒0.670V、ISC≒40mA、JSC≒1.5mA。_x000D_

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

太陽能電池、光電轉換元件

潛力預估

3C產業、汽車太陽能天窗、攜帶型電源等

聯絡人員

張百鎔

電話

03-4458110

傳真

03-4458233

電子信箱

Chang.paijung@msa.hinet.net

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

網印機、加熱爐、熱板、負壓填充設備、太陽能電池參數分析設備

需具備之專業人才

化工、材料、電子相關背景

同步更新日期

2019-07-24

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薄膜太陽電池研製	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: "1.結構：glass/Mo/CIGS/CdS/iZO/AZO 2.CIGS膜厚目標：1.5～2μm" \| 潛力預估: 以低成本之化學濕法製程導入，應用簡易覆膜技術，製備最適化薄膜結構太陽能電池元件，提昇電池之光電轉換效率。應用於3C電子產品、太陽能光電產業及綠色節能建築發展。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
化學浴沈積法(CBD)製作硫化鎘(CdS)薄膜	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: "1.透光率≧85% 2.膜厚～100nm" \| 潛力預估: 因化學濕法CBD製程之低成本及便利性，可應用覆膜於較大面積與不規則性之基材。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
太陽電池緩衝層CdS薄膜	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.透光率≧80%。 2.薄膜～100nm。 3.N-junction。 \| 潛力預估: 3C產業、太陽能電池產業等 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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低溫硬化互連導電材料先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: B-stage 反應性為 T onset= 112.6℃; gel time@150℃: 8sec;熱膨脹係數降低至43ppm/℃,Tg仍具有165℃; 接合壓力: 100-150/bump; 接合時... \| 潛力預估: 15億新台幣
電容去離子奈米複合碳電極材料開發	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米複合碳電極材料具高放電電容量> 100 F/g；CDI去除率> 250 ppm/次 \| 潛力預估: 以商品化電化學電容器碳材為例，其最大放電電容量僅約100 F/g，目前材料所針對商用碳材以奈米一維材料表面修飾，可得一中孔性奈米結構碳材，其電容量可增加25~40%，預期其市場接受性高，且目前並無相...
奈米可見光光觸媒材料技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)摻有奈米氧化鋅粉(0.2wt.%)之大腸桿菌培養液在可見光(波長543nm/強度1500Lux)照射6小時後，細菌數目減少至原來之0.1%以下；(2)根據ASTM G21-96測試對黑麴黴菌(A... \| 潛力預估: 根據日本工業新聞的統計，2000年時日本光觸媒的年產值為70億日圓。預估到2005年時，日本的光觸媒產值將達100億日圓，約有新台幣28億元。使用光觸媒作為殺菌、消臭、防污的觀念，在日本已經十分普...
超薄型塗佈技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 乾膜厚度￡0.5μm、厚度均勻度395%, 塗佈寬度3300mm \| 潛力預估: 本技術可增進國內廠商建立上游材料的製作技術，建立如觸控面板、增亮膜、廣試角膜、抗反射膜、抗炫膜與其他光學補償膜等等，如果本土材料產業成功的話，可提供下游就近的材料提供與成本競爭力，預期可以有很大的產業...
計量式精密塗佈技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 乾膜厚度介於1~100μm之間、厚度均勻度395% \| 潛力預估: 舉凡各種光學膜，如彩色光阻、廣視角膜、增亮膜、偏光膜、補償膜、擴散片、塑膠基板及電池極板之製作，皆與「精密塗佈技術」為核心之關鍵技術互相牽連在一起，如有相關技術之建立,可促成工業供應鏈的齊全
奈米纖維材料製造與應用技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 複合奈米金屬線/纖維寬徑≦100nm，線/纖維長度≧20μm，長度/寬徑比(aspect ratio)> 200 \| 潛力預估: 開發複合奈米纖維材料製造技術及應用評估，以應用於儲能、微感測器、場發射平面顯示器上的材料使用，本技術包括奈米中空管、奈米金屬纖維、複合奈米金屬纖維之製造技術
奈米模板合成技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: AAO模板的均勻孔洞直徑為最小可達50 nm，最大可達120nm, 模板厚度10 mm以上；AAO模板的面積可以達到200 mm x 200 mm \| 潛力預估: LCD、OLED、LED產業
功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間，比表面積可高達240 m2/g以上，而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水... \| 潛力預估: 根據美國SRI Consulting報告，2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年，市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加
奈米檢測技術-表面分析檢測技術應用先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 以微區ESCA技術分析表面/薄膜深度可 \| 潛力預估: 可應用在DLED開發高亮度、高發光效率
奈米導電粉體製造技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米導電/磁性粉體粒徑小於30奈米，其外披覆有機殼層而呈核殼結構 \| 潛力預估: 電磁波遮蔽與高頻磁性應用之奈米粉體材料國內市場潛力約在新台幣24億元規模
軟凝態奈米混成材料分散及流變技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 塗膜厚度均勻性>90%，邊際效益< 2mm；3C放電容量維持率達94% \| 潛力預估: 自2005年起鋰電池電極板需求量激增，保守估計國內每月需求量9萬米平方產值約1.3億NT$
材料高頻電磁特性量測技術開發先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高頻測試治具與測試標準評估與開發，其電氣特性符合:測試頻率：< 65 GHz, K Value：1 \| 潛力預估: 可提升廠商之高頻量測技術能力，強化對產品設計及特性之掌握度，加速產品進入市場的速度，提高競爭力
多元合金細晶及成形技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鎂鋁合金材料晶粒尺寸﹤1mm、鎂鋁合金材料伸長率> 300%、多元合金塗層具有﹤5w /m. k之熱傳導率及Hv500以上之硬度 \| 潛力預估: 3C產品鎂鋁合金外殼產值目前有80億, 預估每年有20-30%之成長率
奈米一維材料製造技術-垂直氧化鋅奈米線技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一維氧化鋅奈米線材料之垂直有序排列的技術：氧化鋅奈米線/纖維材料之成長於Si基板角度為70o~90o；氧化鋅奈米線/纖維材料之寬徑30~300nm；氧化鋅奈米線/纖維材料長度≧2.5μm \| 潛力預估: 本研究初期成果已克服了垂直氧化鋅奈米線在矽基板成長之障礙，並且成功驗證垂直氧化鋅奈米線在場發射功能，在此有利之基礎上,提高控制性與大面積之成長技術建立強化,並對於多種性質之其它光電元件用基板材之實施,...
微波材料測試治具開發技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 材料K,Q量測, 測試頻率＜65GHz, 1＜K＜100,10＜Q＜1’10000,誤差￡±0.5% \| 潛力預估: 建立壓電膜材之壓電參數量測技術，支援相關應用產品開發。提供確認壓電膜材製作技術與產品設計開發可行性評估。可以利用已有的技術開發國內還沒有的量測系統，提供壓電薄膜在wafer level階段時的定量量...