MOCVD InN系列磊晶生長技術
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技術名稱-中文MOCVD InN系列磊晶生長技術的執行單位是中科院材料所, 產出年度是96, 計畫名稱是新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫, 技術規格是氮化銦背景濃度~2E18 cm-3。電子遷移率>1200cm2/Vs。工作波長:紅外線到可見光, 潛力預估是可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池.

序號2193
產出年度96
技術名稱-中文MOCVD InN系列磊晶生長技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文III族氮化物之太陽電池結構設計、磊晶生長技術開發。可提升廠商在超高效率太陽電池元件的開發能力,及擴大應用範圍。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格氮化銦背景濃度~2E18 cm-3。電子遷移率>1200cm2/Vs。工作波長:紅外線到可見光
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍紅光、紅外光太陽電池、紅外光發光二極體、雷射二極體、高功率電子元件、高速電子元件等。
潛力預估可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池
聯絡人員林家慶
電話03-4712201#357082
傳真03-4711024
電子信箱csist_mrdc@csnet.gov.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備有機金屬氣相磊晶系統、1萬級無塵室、黃光室及相關蝕刻設備
需具備之專業人才電子、材料、物理及光電相關背景
同步更新日期2024-09-03

序號

2193

產出年度

96

技術名稱-中文

MOCVD InN系列磊晶生長技術

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

III族氮化物之太陽電池結構設計、磊晶生長技術開發。可提升廠商在超高效率太陽電池元件的開發能力,及擴大應用範圍。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

氮化銦背景濃度~2E18 cm-3。電子遷移率>1200cm2/Vs。工作波長:紅外線到可見光

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

紅光、紅外光太陽電池、紅外光發光二極體、雷射二極體、高功率電子元件、高速電子元件等。

潛力預估

可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池

聯絡人員

林家慶

電話

03-4712201#357082

傳真

03-4711024

電子信箱

csist_mrdc@csnet.gov.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

有機金屬氣相磊晶系統、1萬級無塵室、黃光室及相關蝕刻設備

需具備之專業人才

電子、材料、物理及光電相關背景

同步更新日期

2024-09-03

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以單一光罩多重浸入曝光產生微結構之製法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 楊錫杭,張家華,葉茂勳 | 證書號碼: 發明第I360838號

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光斑定位方法及光斑定位系統(Methodandsystemforpositioningbyusingopticalspeckle)

核准國家: 美國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕.廖志明.黃欽德.馬心一.江廷尉.陳君豪.黃文政.王茂燃 | 證書號碼: US8144339B2

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MBE磊晶生長太陽電池技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作波長為:可見光至紅外光 | 潛力預估: 可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

MOCVD AlGaN系列磊晶生長技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN Al含量 > 30%_x000D_波長 < 360 nm_x000D_ | 潛力預估: 可應用於高功率電子元件與高速電子元件等

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以分子束磊晶成長三五族含銦磷化物與砷化物於基板之研究

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 以分子束磊晶法成長高品質InP與InGaAs薄膜於Si基板上 | 潛力預估: 利用矽基型材料的積體電路整合特性,可發展整合式光電系統晶片

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聚光型太陽光電量測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.可量測晶片尺寸10x10mm-3x3mm 2.追日角度精確度<0.5度 3.溫度量測 4.Ⅰ-Ⅴ量測 5.可進行全日日照變化對轉換效率影響 6.聚光倍率:10-700倍 | 潛力預估: 對於CPV廠商以及晶片磊晶廠具有食用價值,可減少開發時程及經費

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用於織品及鞋具之除菌裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 光電感測辨識模組與應用技術計畫 | 專利發明人: 張國仁、吳昆家 | 證書號碼: 新型第M369349號

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一種不變形光斑的取像裝置及方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕.馬心一.王茂燃.黃文政.黃欽德.劉光新 | 證書號碼: 930446

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以單一光罩多重浸入曝光產生微結構之製法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 楊錫杭,張家華,葉茂勳 | 證書號碼: 發明第I360838號

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光斑定位方法及光斑定位系統(Methodandsystemforpositioningbyusingopticalspeckle)

核准國家: 美國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕.廖志明.黃欽德.馬心一.江廷尉.陳君豪.黃文政.王茂燃 | 證書號碼: US8144339B2

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MBE磊晶生長太陽電池技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作波長為:可見光至紅外光 | 潛力預估: 可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

MOCVD AlGaN系列磊晶生長技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN Al含量 > 30%_x000D_波長 < 360 nm_x000D_ | 潛力預估: 可應用於高功率電子元件與高速電子元件等

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以分子束磊晶成長三五族含銦磷化物與砷化物於基板之研究

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 以分子束磊晶法成長高品質InP與InGaAs薄膜於Si基板上 | 潛力預估: 利用矽基型材料的積體電路整合特性,可發展整合式光電系統晶片

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聚光型太陽光電量測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.可量測晶片尺寸10x10mm-3x3mm 2.追日角度精確度<0.5度 3.溫度量測 4.Ⅰ-Ⅴ量測 5.可進行全日日照變化對轉換效率影響 6.聚光倍率:10-700倍 | 潛力預估: 對於CPV廠商以及晶片磊晶廠具有食用價值,可減少開發時程及經費

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用於織品及鞋具之除菌裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 光電感測辨識模組與應用技術計畫 | 專利發明人: 張國仁、吳昆家 | 證書號碼: 新型第M369349號

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一種不變形光斑的取像裝置及方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕.馬心一.王茂燃.黃文政.黃欽德.劉光新 | 證書號碼: 930446

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多點影音播放系統

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Video Codec : MPEG-1/2/4 WMV 2.Audio Codec : MP2/3 AAC AC3 | 潛力預估: 隨著數位家庭的成熟,影音播放的DMA相關產品將成為主要的消費產品

iB3G數位電視即時串流錄影選台

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Protocol : RTSP/HTTP | 潛力預估: 即時視訊為行動影音最有吸引力的服務,使用者可看到即時新聞或球賽,對於網路服務業者來說,存在著很大的商機

低溫共燒基材製程技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ◆ Hermetic sealing : Leak Rate < 5×10-8 atm-cc/s He (bomb condition @ 75 psi dwell 1hr )◆ cavity siz... | 潛力預估: 目前美國、日本及歐洲的德國、比利時等均已投入此方面之研究,如美國的Sandia國家實驗室與DuPont等大廠。而歐洲則有IZM、IMEC及Infineon等大廠及一些研究單位都朝此兩技術整合發展。

積層模組EMI抑制技術技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸3.20.21.60.20.850.15(mm),截止頻率100 MHz,額定電流100 mA,額定電壓10V,串音-20dB,8信號線端,2接地端之四組型陣列LC濾波器 | 潛力預估: 預計至96年時產能可達144KKpcs,總產值可達3億6千萬元以上,帶動投資額二億五千萬,可帶動該公司2.97之EPS

超薄壓電膜材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 壓電膜層具機電轉換效率40﹪,機械品質因素10,製作之振動板起始頻率低至100Hz等特性,同時具有可撓曲性。 | 潛力預估: 壓電式聲音元件包括蜂鳴器、振鈴、收送話器、喇叭等,市場約有新台幣70億的規模,主要的材料為壓電薄片。配合寬音域與平面化的產品應用趨勢,降低壓電片厚度與直接製作於可撓基材上為關鍵性技術,超薄壓電膜材料技...

積層氧化鋅變阻器及其配方組成

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 積層氧化鋅變阻器具有吸收雷擊突波與靜電放電脈衝之功能,又由於其單層厚度較傳統變阻器小,更適用於低電壓之可攜式產品和IC元件之保護。 | 潛力預估: 提升國內積層氧化鋅變器廠商技術與競爭力,並保護授權廠商之競爭優勢,形成更優質的投資與生產環境。目前全球市場規模約新台幣100億元/年,預估單一廠商初期年產值可達1億元。

高溫度穩定性材料技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立玻璃材料奈米微晶控制機制-經由不同升溫速率可配合Matusita & Sakka提出的計算式,計算結晶機制的各個參數,如Avrami exponent(n)及結晶活化能(E);n值可以表示其為何... | 潛力預估: 開發低熱膨脹係數玻璃陶瓷材料及製程技術,若順利開發及完成專利怖局,將可改善國內光電產業關鍵材料由國外進口的困境,達到關鍵性材料國產化的目的,並可改善關鍵材料及零組件掌握在國際大廠的窘境。

陶瓷薄膜整合技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度<300℃之薄膜電晶體。 源極-汲極間的電流IDS=10-9-10-6 安培 | 潛力預估: 利用反應式濺鍍技術的自組裝奈米介面薄膜電晶體, 是種低溫並且環保的創新製程, 在能源的利用及綠色生活品質的貢獻皆遠大於現存的工業製程。本低溫製程的薄膜電晶體積體化技術的開發, 將可提升廠商在未來通訊...

埋入式電容(DK=40)基板材料技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 優良PCB製程加工性‧穩定之介電特性: DK38~42, DF<0.03 @1MHz‧優良之耐熱性質: Tg>185(DMA),耐銲錫288oC, >3min | 潛力預估: 提供高介電常數(DK40)之電容材料配方技術及材料規格給材料廠商,創造新型電路板材料,強化基板材料產業技術能力。提供本技術給國內材料商,將可以協助國內基板材料業者掌握關鍵材料技術料及提升PCB產業的...

銅箔基層材料用雙層聚亞醯胺塗膜製備專利授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 高尺寸安定、適合高密度細線畫線路製作、高耐化性、優異耐熱、電性及機械性質 | 潛力預估: 將國內原已建立之軟性基板產業推向更先進之無接著劑型軟性基板,為將來電子與光電產業所需之下游構裝基板材料產業建立基礎,支援已蓬勃發展之平面顯示器產業,使國內整個產業體系更完整,提升產業競爭力,最重要在建...

高容量複合石墨負極材料

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用奈米結構在石墨上形成複合石墨負極材料,達到石墨改質的目的,本技術所開發之負極材料克電容量(360 mAh/g)較傳統MCMB克電容量(320 mAh/g)高12%,材料成本降低40% | 潛力預估: 提供高容量負極材料之合成技術及材料工程規格給電池材料製造商,掌握鋰電池關鍵原材料,預估可促進材料廠商之投資達一億元以上,年產值達三億元以上。增加國內20億與全世界200億鋰電池負極材料市場佔有率的技術...

導電高分子固態電容器及其製造方法

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試,使其導電度>10S/cm,並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究,並使其含浸成膜率達8... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值,除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外,全球的需求呈現穩定而大幅的成長, 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...

混成電能調節技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.根據電池容量狀態,自動調節燃料電池工作點。主動避免電池低容量狀態,提高燃料使用效率,並防止電池發生過度充電現象。2.標準Switching Converter電路架構,開發容易。無需微處理器,低... | 潛力預估: 本技術可以應用在燃料電池或是太陽能電池的獨立行供電設備,未來可攜式電源的需求,包括行動資訊元件、電動交通工具、戶外緊急混成供電電源、太陽能隨身電源/充電器,太陽能路燈/號誌/警示器等,均可以選擇適當的...

微小型燃料電池堆組裝製作技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本裝置技術整體電池堆可用熱壓製程製作完成,是一種具有製作簡便、可以大量自動化生產特色的電池堆組裝方式。其優勢在於降低傳統流道對水氣以及CO2排放的阻礙,同時因為捨棄傳統使用的雙極板,改以金屬網與塑膠框... | 潛力預估: 本技術主要應用領域是以3C產品的行動式電能供應,包括筆記型電腦,隨身影音娛樂設備等。特別是在需要長時間連續供電的隨身電子產品,燃料電池它可提供無須充電設施的電能供應,僅以補充燃料便能提供下一階段應用所...

超薄卡片型鋰高分子電池

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧目標為開發雛形超薄卡片型高分子鋰電池製造技術,厚度< 0.5mm,電容量> 50 mAh。 ‧此技術具有重量輕、大面積化、可撓式和薄型化的優勢可因應未來3C產品薄型化及形狀可變性的要求。電池壽命大... | 潛力預估: 本計畫所產出的超薄卡片型鋰高分子電池產品,主要可應用於智慧型卡片、生理監測模組或具彎曲形狀的電子產品上,由於薄型電池的安全性及厚度將成為衡量的重要指標之一。本計畫採用高分子電解質材料﹐透過特殊封裝材料...

多點影音播放系統

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Video Codec : MPEG-1/2/4 WMV 2.Audio Codec : MP2/3 AAC AC3 | 潛力預估: 隨著數位家庭的成熟,影音播放的DMA相關產品將成為主要的消費產品

iB3G數位電視即時串流錄影選台

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Protocol : RTSP/HTTP | 潛力預估: 即時視訊為行動影音最有吸引力的服務,使用者可看到即時新聞或球賽,對於網路服務業者來說,存在著很大的商機

低溫共燒基材製程技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ◆ Hermetic sealing : Leak Rate < 5×10-8 atm-cc/s He (bomb condition @ 75 psi dwell 1hr )◆ cavity siz... | 潛力預估: 目前美國、日本及歐洲的德國、比利時等均已投入此方面之研究,如美國的Sandia國家實驗室與DuPont等大廠。而歐洲則有IZM、IMEC及Infineon等大廠及一些研究單位都朝此兩技術整合發展。

積層模組EMI抑制技術技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸3.20.21.60.20.850.15(mm),截止頻率100 MHz,額定電流100 mA,額定電壓10V,串音-20dB,8信號線端,2接地端之四組型陣列LC濾波器 | 潛力預估: 預計至96年時產能可達144KKpcs,總產值可達3億6千萬元以上,帶動投資額二億五千萬,可帶動該公司2.97之EPS

超薄壓電膜材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 壓電膜層具機電轉換效率40﹪,機械品質因素10,製作之振動板起始頻率低至100Hz等特性,同時具有可撓曲性。 | 潛力預估: 壓電式聲音元件包括蜂鳴器、振鈴、收送話器、喇叭等,市場約有新台幣70億的規模,主要的材料為壓電薄片。配合寬音域與平面化的產品應用趨勢,降低壓電片厚度與直接製作於可撓基材上為關鍵性技術,超薄壓電膜材料技...

積層氧化鋅變阻器及其配方組成

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 積層氧化鋅變阻器具有吸收雷擊突波與靜電放電脈衝之功能,又由於其單層厚度較傳統變阻器小,更適用於低電壓之可攜式產品和IC元件之保護。 | 潛力預估: 提升國內積層氧化鋅變器廠商技術與競爭力,並保護授權廠商之競爭優勢,形成更優質的投資與生產環境。目前全球市場規模約新台幣100億元/年,預估單一廠商初期年產值可達1億元。

高溫度穩定性材料技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立玻璃材料奈米微晶控制機制-經由不同升溫速率可配合Matusita & Sakka提出的計算式,計算結晶機制的各個參數,如Avrami exponent(n)及結晶活化能(E);n值可以表示其為何... | 潛力預估: 開發低熱膨脹係數玻璃陶瓷材料及製程技術,若順利開發及完成專利怖局,將可改善國內光電產業關鍵材料由國外進口的困境,達到關鍵性材料國產化的目的,並可改善關鍵材料及零組件掌握在國際大廠的窘境。

陶瓷薄膜整合技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度<300℃之薄膜電晶體。 源極-汲極間的電流IDS=10-9-10-6 安培 | 潛力預估: 利用反應式濺鍍技術的自組裝奈米介面薄膜電晶體, 是種低溫並且環保的創新製程, 在能源的利用及綠色生活品質的貢獻皆遠大於現存的工業製程。本低溫製程的薄膜電晶體積體化技術的開發, 將可提升廠商在未來通訊...

埋入式電容(DK=40)基板材料技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 優良PCB製程加工性‧穩定之介電特性: DK38~42, DF<0.03 @1MHz‧優良之耐熱性質: Tg>185(DMA),耐銲錫288oC, >3min | 潛力預估: 提供高介電常數(DK40)之電容材料配方技術及材料規格給材料廠商,創造新型電路板材料,強化基板材料產業技術能力。提供本技術給國內材料商,將可以協助國內基板材料業者掌握關鍵材料技術料及提升PCB產業的...

銅箔基層材料用雙層聚亞醯胺塗膜製備專利授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 高尺寸安定、適合高密度細線畫線路製作、高耐化性、優異耐熱、電性及機械性質 | 潛力預估: 將國內原已建立之軟性基板產業推向更先進之無接著劑型軟性基板,為將來電子與光電產業所需之下游構裝基板材料產業建立基礎,支援已蓬勃發展之平面顯示器產業,使國內整個產業體系更完整,提升產業競爭力,最重要在建...

高容量複合石墨負極材料

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用奈米結構在石墨上形成複合石墨負極材料,達到石墨改質的目的,本技術所開發之負極材料克電容量(360 mAh/g)較傳統MCMB克電容量(320 mAh/g)高12%,材料成本降低40% | 潛力預估: 提供高容量負極材料之合成技術及材料工程規格給電池材料製造商,掌握鋰電池關鍵原材料,預估可促進材料廠商之投資達一億元以上,年產值達三億元以上。增加國內20億與全世界200億鋰電池負極材料市場佔有率的技術...

導電高分子固態電容器及其製造方法

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試,使其導電度>10S/cm,並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究,並使其含浸成膜率達8... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值,除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外,全球的需求呈現穩定而大幅的成長, 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...

混成電能調節技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.根據電池容量狀態,自動調節燃料電池工作點。主動避免電池低容量狀態,提高燃料使用效率,並防止電池發生過度充電現象。2.標準Switching Converter電路架構,開發容易。無需微處理器,低... | 潛力預估: 本技術可以應用在燃料電池或是太陽能電池的獨立行供電設備,未來可攜式電源的需求,包括行動資訊元件、電動交通工具、戶外緊急混成供電電源、太陽能隨身電源/充電器,太陽能路燈/號誌/警示器等,均可以選擇適當的...

微小型燃料電池堆組裝製作技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本裝置技術整體電池堆可用熱壓製程製作完成,是一種具有製作簡便、可以大量自動化生產特色的電池堆組裝方式。其優勢在於降低傳統流道對水氣以及CO2排放的阻礙,同時因為捨棄傳統使用的雙極板,改以金屬網與塑膠框... | 潛力預估: 本技術主要應用領域是以3C產品的行動式電能供應,包括筆記型電腦,隨身影音娛樂設備等。特別是在需要長時間連續供電的隨身電子產品,燃料電池它可提供無須充電設施的電能供應,僅以補充燃料便能提供下一階段應用所...

超薄卡片型鋰高分子電池

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧目標為開發雛形超薄卡片型高分子鋰電池製造技術,厚度< 0.5mm,電容量> 50 mAh。 ‧此技術具有重量輕、大面積化、可撓式和薄型化的優勢可因應未來3C產品薄型化及形狀可變性的要求。電池壽命大... | 潛力預估: 本計畫所產出的超薄卡片型鋰高分子電池產品,主要可應用於智慧型卡片、生理監測模組或具彎曲形狀的電子產品上,由於薄型電池的安全性及厚度將成為衡量的重要指標之一。本計畫採用高分子電解質材料﹐透過特殊封裝材料...

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