144MHz-456MHz寬鎖頻區域之鎖相迴路
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技術名稱-中文144MHz-456MHz寬鎖頻區域之鎖相迴路的執行單位是工研院資通所, 產出年度是97, 計畫名稱是資訊與通訊領域環境建構計畫, 技術規格是‧Low jitter：peak-to-peak 100ps ‧Wide lock range：144MHz-456MHz ‧Process：TSMC 0.13um ‧Power：3.7mW@456MHz, 潛力預估是IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。.

序號	2560
產出年度	97
技術名稱-中文	144MHz-456MHz寬鎖頻區域之鎖相迴路
執行單位	工研院資通所
產出單位	(空)
計畫名稱	資訊與通訊領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	由於多核心電路及介面電路之需求，設計一個鎖相迴路具有多重除數與多重頻率輸出作為時脈產生器，此PLL架構包含Phase Frequency Detector(PFD)、Charge Pump、由C0、C1、R2所組成之Loop Filter(LP)、VCO、VI Converter、Differential to single 以及Programmable Divider。利用數位控制方式來控制補償系統穩定度及頻寬，具有低時脈抖動及高迴路穩定之特性。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	‧Low jitter：peak-to-peak 100ps ‧Wide lock range：144MHz-456MHz ‧Process：TSMC 0.13um ‧Power：3.7mW@456MHz
技術成熟度	雛型
可應用範圍	‧時脈產生器晶片 ‧微處理器晶片 ‧數位信號處理晶片 ‧資料傳輸與接收之同步晶片 ‧需特殊規格之時脈產生器晶片
潛力預估	IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。
聯絡人員	廖人慧
電話	03-5912857
傳真	03-5913183
電子信箱	lovelyAmy_Liao@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	需具備VLSI電路設計相關知識與EDA工具。
需具備之專業人才	晶片設計相關人才。
同步更新日期	2019-07-24

序號

2560

產出年度

技術名稱-中文

144MHz-456MHz寬鎖頻區域之鎖相迴路

執行單位

工研院資通所

產出單位

(空)

計畫名稱

資訊與通訊領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

由於多核心電路及介面電路之需求，設計一個鎖相迴路具有多重除數與多重頻率輸出作為時脈產生器，此PLL架構包含Phase Frequency Detector(PFD)、Charge Pump、由C0、C1、R2所組成之Loop Filter(LP)、VCO、VI Converter、Differential to single 以及Programmable Divider。利用數位控制方式來控制補償系統穩定度及頻寬，具有低時脈抖動及高迴路穩定之特性。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

‧Low jitter：peak-to-peak 100ps ‧Wide lock range：144MHz-456MHz ‧Process：TSMC 0.13um ‧Power：3.7mW@456MHz

技術成熟度

雛型

可應用範圍

‧時脈產生器晶片 ‧微處理器晶片 ‧數位信號處理晶片 ‧資料傳輸與接收之同步晶片 ‧需特殊規格之時脈產生器晶片

潛力預估

IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

聯絡人員

廖人慧

電話

03-5912857

傳真

03-5913183

電子信箱

lovelyAmy_Liao@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

需具備VLSI電路設計相關知識與EDA工具。

需具備之專業人才

晶片設計相關人才。

同步更新日期

2019-07-24

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廣播型MHP Middleware平台技術	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. MHP JavaTV 相容,DSM-CC OC 解碼, DVB-SI 解碼, AWT 中文顯示 2. Java-based AV Player, 電子節目表 EPG \| 潛力預估: 廣播式數位電視多媒體應用及數位內容產業，結合LCD高畫質顯示器產業與數位家庭，將驅動新一波數位娛樂服務平台應用
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支援多影音格式之串流平台	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 符合RFC標準 2. 支援多種播放器及平台 \| 潛力預估: 視訊串流技術幾乎無所不在，以IP為base的多媒體應用，可提供各式各樣的multimedia services，目前家庭網路的成熟及以客廳為娛樂中心的概念之形成，使得家庭影音串流平台成為當下的發展重...
多點影音播放系統	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Video Codec : MPEG-1/2/4 WMV 2.Audio Codec : MP2/3 AAC AC3 \| 潛力預估: 隨著數位家庭的成熟，影音播放的DMA相關產品將成為主要的消費產品
iB3G數位電視即時串流錄影選台	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Protocol : RTSP/HTTP \| 潛力預估: 即時視訊為行動影音最有吸引力的服務，使用者可看到即時新聞或球賽，對於網路服務業者來說，存在著很大的商機
低溫共燒基材製程技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ◆ Hermetic sealing : Leak Rate < 5×10-8 atm-cc/s He (bomb condition @ 75 psi dwell 1hr )◆ cavity siz... \| 潛力預估: 目前美國、日本及歐洲的德國、比利時等均已投入此方面之研究，如美國的Sandia國家實驗室與DuPont等大廠。而歐洲則有IZM、IMEC及Infineon等大廠及一些研究單位都朝此兩技術整合發展。
積層模組EMI抑制技術技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸3.20.21.60.20.850.15(mm),截止頻率100 MHz,額定電流100 mA,額定電壓10V,串音-20dB,8信號線端,2接地端之四組型陣列LC濾波器 \| 潛力預估: 預計至96年時產能可達144KKpcs,總產值可達3億6千萬元以上,帶動投資額二億五千萬,可帶動該公司2.97之EPS
超薄壓電膜材料技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 壓電膜層具機電轉換效率40﹪，機械品質因素10，製作之振動板起始頻率低至100Hz等特性，同時具有可撓曲性。 \| 潛力預估: 壓電式聲音元件包括蜂鳴器、振鈴、收送話器、喇叭等，市場約有新台幣70億的規模，主要的材料為壓電薄片。配合寬音域與平面化的產品應用趨勢，降低壓電片厚度與直接製作於可撓基材上為關鍵性技術，超薄壓電膜材料技...
積層氧化鋅變阻器及其配方組成	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 積層氧化鋅變阻器具有吸收雷擊突波與靜電放電脈衝之功能，又由於其單層厚度較傳統變阻器小，更適用於低電壓之可攜式產品和IC元件之保護。 \| 潛力預估: 提升國內積層氧化鋅變器廠商技術與競爭力，並保護授權廠商之競爭優勢，形成更優質的投資與生產環境。目前全球市場規模約新台幣100億元/年，預估單一廠商初期年產值可達1億元。
高溫度穩定性材料技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立玻璃材料奈米微晶控制機制－經由不同升溫速率可配合Matusita & Sakka提出的計算式，計算結晶機制的各個參數，如Avrami exponent（n）及結晶活化能（E）；n值可以表示其為何... \| 潛力預估: 開發低熱膨脹係數玻璃陶瓷材料及製程技術，若順利開發及完成專利怖局，將可改善國內光電產業關鍵材料由國外進口的困境，達到關鍵性材料國產化的目的，並可改善關鍵材料及零組件掌握在國際大廠的窘境。
陶瓷薄膜整合技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度＜300℃之薄膜電晶體。源極-汲極間的電流IDS=10-9-10-6 安培 \| 潛力預估: 利用反應式濺鍍技術的自組裝奈米介面薄膜電晶體, 是種低溫並且環保的創新製程, 在能源的利用及綠色生活品質的貢獻皆遠大於現存的工業製程。本低溫製程的薄膜電晶體積體化技術的開發, 將可提升廠商在未來通訊...
埋入式電容(DK=40)基板材料技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 優良PCB製程加工性‧穩定之介電特性: DK38~42, DF185(DMA),耐銲錫288oC, >3mi \| 潛力預估: 提供高介電常數(DK40)之電容材料配方技術及材料規格給材料廠商，創造新型電路板材料，強化基板材料產業技術能力。提供本技術給國內材料商，將可以協助國內基板材料業者掌握關鍵材料技術料及提升PCB產業的...
銅箔基層材料用雙層聚亞醯胺塗膜製備專利授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高尺寸安定、適合高密度細線畫線路製作、高耐化性、優異耐熱、電性及機械性質 \| 潛力預估: 將國內原已建立之軟性基板產業推向更先進之無接著劑型軟性基板，為將來電子與光電產業所需之下游構裝基板材料產業建立基礎，支援已蓬勃發展之平面顯示器產業，使國內整個產業體系更完整，提升產業競爭力，最重要在建...
高容量複合石墨負極材料	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 利用奈米結構在石墨上形成複合石墨負極材料，達到石墨改質的目的，本技術所開發之負極材料克電容量(360 mAh/g)較傳統MCMB克電容量(320 mAh/g)高12%，材料成本降低40% \| 潛力預估: 提供高容量負極材料之合成技術及材料工程規格給電池材料製造商，掌握鋰電池關鍵原材料，預估可促進材料廠商之投資達一億元以上，年產值達三億元以上。增加國內20億與全世界200億鋰電池負極材料市場佔有率的技術...
導電高分子固態電容器及其製造方法	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達8... \| 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...