低功率設計技術解決方案
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技術名稱-中文低功率設計技術解決方案的執行單位是工研院資通所, 產出年度是97, 計畫名稱是資訊與通訊領域環境建構計畫, 技術規格是‧Design Methodology: Multi-Vth, Multi-VDD, DVFS Design, Implementation, and Verification Methodology ‧Dynamic Voltage/Frequency Scaling Design Technol..., 潛力預估是IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。.

序號2564
產出年度97
技術名稱-中文低功率設計技術解決方案
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱資訊與通訊領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文工研院開發本技術提供一完整低功耗解決方案,實現Clock-gating、Multi-Vth、Multi-VDD、Dynamic Voltage/Frequency Scaling (DVFS)等低功耗技巧,同時建立單一功率格式之設計流程,多模多製程容許度分析流程(Multiple Mode/Multiple Corner,MM/MC)以及相關之Power-aware Design Methodology,可解決不同Power模式以及不同時序限制的收斂問題,並實際於130um,90um以及65um等製程下線,完成DSP,PACDSP platform,Dual-Core Multimedia SoC等晶片開發。本技術可提供完整低功率設計咨詢服務。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格‧Design Methodology: Multi-Vth, Multi-VDD, DVFS Design, Implementation, and Verification Methodology ‧Dynamic Voltage/Frequency Scaling Design Technology ‧System-level Power Analysis Technology ‧Optimized Low-power Solution Package
技術成熟度雛型
可應用範圍Portable Media Player/Smart Phone/Embedded-Computing SoC.
潛力預估IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。
聯絡人員廖人慧
電話03-5912857
傳真03-5913183
電子信箱lovelyAmy_Liao@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備需具備SoC晶片設計相關知識與EDA工具。
需具備之專業人才晶片設計相關人才。
同步更新日期2019-07-24

序號

2564

產出年度

97

技術名稱-中文

低功率設計技術解決方案

執行單位

工研院資通所

產出單位

(空)

計畫名稱

資訊與通訊領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

工研院開發本技術提供一完整低功耗解決方案,實現Clock-gating、Multi-Vth、Multi-VDD、Dynamic Voltage/Frequency Scaling (DVFS)等低功耗技巧,同時建立單一功率格式之設計流程,多模多製程容許度分析流程(Multiple Mode/Multiple Corner,MM/MC)以及相關之Power-aware Design Methodology,可解決不同Power模式以及不同時序限制的收斂問題,並實際於130um,90um以及65um等製程下線,完成DSP,PACDSP platform,Dual-Core Multimedia SoC等晶片開發。本技術可提供完整低功率設計咨詢服務。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

‧Design Methodology: Multi-Vth, Multi-VDD, DVFS Design, Implementation, and Verification Methodology ‧Dynamic Voltage/Frequency Scaling Design Technology ‧System-level Power Analysis Technology ‧Optimized Low-power Solution Package

技術成熟度

雛型

可應用範圍

Portable Media Player/Smart Phone/Embedded-Computing SoC.

潛力預估

IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

聯絡人員

廖人慧

電話

03-5912857

傳真

03-5913183

電子信箱

lovelyAmy_Liao@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

需具備SoC晶片設計相關知識與EDA工具。

需具備之專業人才

晶片設計相關人才。

同步更新日期

2019-07-24

根據名稱 低功率設計技術解決方案 找到的相關資料

低功率設計技術解決方案

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Design Methodology: Multi-Vth, Multi-VDD, DVFS Design, Implementation, and Verification Methodology;... | 潛力預估:

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低功率設計技術解決方案

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Design Methodology: Multi-Vth, Multi-VDD, DVFS Design, Implementation, and Verification Methodology;... | 潛力預估:

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144MHz-456MHz寬鎖頻區域之鎖相迴路

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Low jitter:peak-to-peak 100ps ‧Wide lock range:144MHz-456MHz ‧Process:TSMC 0.13um ‧Power:3.7mW@456M... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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電子工廠製造過程之靜電放電防制技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧靜電防護區內的所有導體累積靜電低於100 V ‧靜電防護區內的絕緣體累積靜電儘量低於2 kV ‧防護區內帶電量超過2 kV的絕緣體距離ESD敏感零組件至少1 ft ‧靜電放電敏感零組件若需攜離防護... | 潛力預估: IC Design House、System House、IDM、Foundry以及Package House等相關產業。

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標準輸入輸出單元資料庫

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: VDD = 1.2V,VDDIO = 2.5V,VSS = VSSIO = 0V.I/O signal voltage = 0 ~ 3.3V.Output driving current = 2mA,... | 潛力預估: IC Design House、System House、IDM、Foundry以及Package House等相關產業。

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標準元件庫特徵化程式

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Pin to pin delay time characterization ‧Power consumption characterization ‧Input capacitance chara... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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內建式抖動量(jitter)量測技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧待測時脈頻率: 100Mhz~1.6Ghz ‧量測解析度: 2~3ps ‧待測抖動量範圍: 100ps@1.6Ghz | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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低功耗電路設計技術---超低電壓鎖相迴路電路技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Process: TSMC 0.13um CMOS ‧Supply Voltage: 0.5v(typical 1.2V) ‧Frequency Range:360MHz~610MHz ‧Jitte... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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低功耗電路設計技術---超低電壓靜態隨機記憶體電路技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧操作頻率:80MHz@0.5v ‧功率消耗:0.55mW@80MHz_FBB,0.32mW@0.5v_NBB ‧操作於:VDD=0.3V~1.2V ‧製程:TSMC 0.13um | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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SSN與Thermal Sensor IIP技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ●Thermal sensor: ‧多點偵測之全數位溫度感測器 ‧溫度量測範圍,可達-40℃~130℃ ‧解析度(0.17℃/bit)且高抗supply noise能力之電路特性 ‧Area=0.06... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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144MHz-456MHz寬鎖頻區域之鎖相迴路

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Low jitter:peak-to-peak 100ps ‧Wide lock range:144MHz-456MHz ‧Process:TSMC 0.13um ‧Power:3.7mW@456M... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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電子工廠製造過程之靜電放電防制技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧靜電防護區內的所有導體累積靜電低於100 V ‧靜電防護區內的絕緣體累積靜電儘量低於2 kV ‧防護區內帶電量超過2 kV的絕緣體距離ESD敏感零組件至少1 ft ‧靜電放電敏感零組件若需攜離防護... | 潛力預估: IC Design House、System House、IDM、Foundry以及Package House等相關產業。

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標準輸入輸出單元資料庫

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: VDD = 1.2V,VDDIO = 2.5V,VSS = VSSIO = 0V.I/O signal voltage = 0 ~ 3.3V.Output driving current = 2mA,... | 潛力預估: IC Design House、System House、IDM、Foundry以及Package House等相關產業。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

標準元件庫特徵化程式

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Pin to pin delay time characterization ‧Power consumption characterization ‧Input capacitance chara... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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內建式抖動量(jitter)量測技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧待測時脈頻率: 100Mhz~1.6Ghz ‧量測解析度: 2~3ps ‧待測抖動量範圍: 100ps@1.6Ghz | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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低功耗電路設計技術---超低電壓鎖相迴路電路技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Process: TSMC 0.13um CMOS ‧Supply Voltage: 0.5v(typical 1.2V) ‧Frequency Range:360MHz~610MHz ‧Jitte... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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低功耗電路設計技術---超低電壓靜態隨機記憶體電路技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧操作頻率:80MHz@0.5v ‧功率消耗:0.55mW@80MHz_FBB,0.32mW@0.5v_NBB ‧操作於:VDD=0.3V~1.2V ‧製程:TSMC 0.13um | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

SSN與Thermal Sensor IIP技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ●Thermal sensor: ‧多點偵測之全數位溫度感測器 ‧溫度量測範圍,可達-40℃~130℃ ‧解析度(0.17℃/bit)且高抗supply noise能力之電路特性 ‧Area=0.06... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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MPEG-2錄放影系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Embedded System Architecture -32-Bit x86 SoC. -Embedded Linux OS. -Internet accessing. ‧Video Signa... | 潛力預估: 根據Frost&Sullivan一份最新的預估顯示,未來安全監控產業每年的平均成長率至少可達12~15%左右。

人體/人臉掃描量測

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧掃描範圍:高:1900mm,寬:1000mm,深度:850mm。 ‧掃描速度:8秒完成全身掃描。 ‧ 解析度:4mm(垂直),1mm(深度)。 ‧ 樑測精度:1mm。 | 潛力預估: 此技術可以廣泛應用在醫療、美容及服飾相關領域,作為其服務的前端輸入及後端驗證,並可藉此技術建立所需之資料庫,供更多領域應用。目前已經可以作小型輕量化的產品設計,更適合ㄧ般門市商店的科技服務應用。

3D照相機

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 量測面積:360mm * 240mm ‧ 量測精度:±0.15mm ‧ 量測解析度:1.2mm ‧ 取像速度:0.2 sec/frame | 潛力預估: 由於價格極具競爭力,可成為製作客製化商品之廠商(例如雷射內雕、人像雕刻等)之快速建模工具,降低廠商成本負擔。另外可運用於數位典藏,輔助建構擬真模型,可用於虛擬博物館中典藏品展示。

3D模型建構技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧視窗操作介面:平移、放大、縮小及任意視角顯示。 ‧3D資料編輯工具:如資料平滑化、雜訊濾除、破洞填補、細分割、特徵強化等 ‧資料壓縮與重整。 ‧3D資料疊合與整合。 ‧材質整合與編輯:色彩整合、調整... | 潛力預估: 相較於ㄧ般價格昂貴的3D點群處理套裝軟體,TriD提供物超所值的功能,例如可擴充的特徵線處理功能,絕非大型套裝軟體所及,更可針對各產業的需求發展出特有功能,不失為小而美的CAD精品。

可攜式3D掃描器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧量測面積:200mm×200mm~300mm×300mm。 ‧量測精度:±0.1mm。 ‧掃描速度:60lines/sec。 | 潛力預估: 從傳統工業應用到最熱門之3D遊戲、動畫、製作,可攜式3D掃描器應用範圍廣泛,是目前彩色3D量測中最具精確度的系統。尤其多台組合後,可以同步控制作特殊的量測用途。

高速光傳接模組技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧1.25Gigabit Ethernet Transceiver:單模/Output Power>-11dBm.Sensitivity-10dBm.Sensitivity-8dBm.Sensitiv... | 潛力預估: 將可與國際模組廠商作技術競爭並符合國際系統廠商規格同時將參與國際光通訊規格制定。

高速光電元件技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 符合2.5Gigabit Ethernet要求。 ‧ 符合Bellcore 468元件環測要求。 | 潛力預估: 因應將來FTTX時機的到來,會對LD與PIN的市場需求量大增,故應提昇培養技術成熟度與量產的技巧,以符合未來市場或技轉的要求。

摻鉺光纖放大器製作技術 (Erbium-Doped Fiber Amplifier Assembling Technology)

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Operation Wavelength:1530~1560nm. ‧ Input Power:-20dBm*16chs. ‧ Gain:>22Db. ‧ Gain Stability: | 潛力預估: 將開發寬頻光放大器及小型化技術以增加放大頻寬,強化光放大器產業,支援關鍵性技術開發,以發展Metro/Access網路環境技術。

微光機電技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 1x2/2x2 MEMS Switch Insertion Loss:0.8dB max. Switching time | 潛力預估: 具高精密、批量生產及低成本之優勢,為未來製程發展之趨勢。

高速光發射、接收次模組封裝技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Low cost TO-Can Package ‧ Uncooled 1310nm DFB TOSA ‧ 10km transmission ‧ SC/LC receptacle package ... | 潛力預估: 由於TO-Can 封裝為國內光通訊光電元件封裝技術中最成熟之技術,本技術若結合廠商生產能力,將可大幅降低10Gb/s光電元件封裝製作成本。

平面光波導對準封裝技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Single Fiber/Fiber Array Block (FAB) to Waveguide Alignment ‧ Automatic Search and Optimization ‧ ... | 潛力預估: 本技術可快速且精準的完成耦光對準及填膠固化,並可通過環境測試,極具市場潛力。

波長鎖定器製作技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Channel Spacing : 50 or 100 GHz ‧ Center Wavelength : ITU grid (1520nm~1570nm) ‧ Wavelength stabil... | 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時,此元件將為不可或缺之關鍵元件。

高功率Pump雷射耦合器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Center Wavelength : 1480nm ‧ Center Wavelength Range : ±40nm ‧ Insertion Loss : 55dB ‧ Directivity... | 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時,此元件將為不可或缺之關鍵元件。

光纖陣列接頭製作及測試技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Fiber Array Block ‧ FAB Pitch Accuracy ≦ ±0.5 mm ‧ FAB Height Accuracy ≦ ±0.5 mm ‧ Fiber Number: 1, ... | 潛力預估: 以多芯束光纖輸出之光通訊元件封裝為未來趨勢,而光纖陣列接頭為其主要原件,具有不可取代之地位。

非溫控高速雷射技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: FP LD ‧ BW>10Gb/s. ‧ Low threshold6mW(bais at 35mA) ‧ To>85K DFB LD ‧ SMSR>30dB. ‧ BW>10Gb/s ‧ To>... | 潛力預估: 高速非溫控FP LD可廣泛的應用在10Gb Ethernet access端,而DFB雷射則可應用在metro端。由於其不需溫度控制器,使得設置費大幅下降,故有利於市場拓展,此項技術亦為目前市場上積...

MPEG-2錄放影系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Embedded System Architecture -32-Bit x86 SoC. -Embedded Linux OS. -Internet accessing. ‧Video Signa... | 潛力預估: 根據Frost&Sullivan一份最新的預估顯示,未來安全監控產業每年的平均成長率至少可達12~15%左右。

人體/人臉掃描量測

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧掃描範圍:高:1900mm,寬:1000mm,深度:850mm。 ‧掃描速度:8秒完成全身掃描。 ‧ 解析度:4mm(垂直),1mm(深度)。 ‧ 樑測精度:1mm。 | 潛力預估: 此技術可以廣泛應用在醫療、美容及服飾相關領域,作為其服務的前端輸入及後端驗證,並可藉此技術建立所需之資料庫,供更多領域應用。目前已經可以作小型輕量化的產品設計,更適合ㄧ般門市商店的科技服務應用。

3D照相機

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 量測面積:360mm * 240mm ‧ 量測精度:±0.15mm ‧ 量測解析度:1.2mm ‧ 取像速度:0.2 sec/frame | 潛力預估: 由於價格極具競爭力,可成為製作客製化商品之廠商(例如雷射內雕、人像雕刻等)之快速建模工具,降低廠商成本負擔。另外可運用於數位典藏,輔助建構擬真模型,可用於虛擬博物館中典藏品展示。

3D模型建構技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧視窗操作介面:平移、放大、縮小及任意視角顯示。 ‧3D資料編輯工具:如資料平滑化、雜訊濾除、破洞填補、細分割、特徵強化等 ‧資料壓縮與重整。 ‧3D資料疊合與整合。 ‧材質整合與編輯:色彩整合、調整... | 潛力預估: 相較於ㄧ般價格昂貴的3D點群處理套裝軟體,TriD提供物超所值的功能,例如可擴充的特徵線處理功能,絕非大型套裝軟體所及,更可針對各產業的需求發展出特有功能,不失為小而美的CAD精品。

可攜式3D掃描器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧量測面積:200mm×200mm~300mm×300mm。 ‧量測精度:±0.1mm。 ‧掃描速度:60lines/sec。 | 潛力預估: 從傳統工業應用到最熱門之3D遊戲、動畫、製作,可攜式3D掃描器應用範圍廣泛,是目前彩色3D量測中最具精確度的系統。尤其多台組合後,可以同步控制作特殊的量測用途。

高速光傳接模組技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧1.25Gigabit Ethernet Transceiver:單模/Output Power>-11dBm.Sensitivity-10dBm.Sensitivity-8dBm.Sensitiv... | 潛力預估: 將可與國際模組廠商作技術競爭並符合國際系統廠商規格同時將參與國際光通訊規格制定。

高速光電元件技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 符合2.5Gigabit Ethernet要求。 ‧ 符合Bellcore 468元件環測要求。 | 潛力預估: 因應將來FTTX時機的到來,會對LD與PIN的市場需求量大增,故應提昇培養技術成熟度與量產的技巧,以符合未來市場或技轉的要求。

摻鉺光纖放大器製作技術 (Erbium-Doped Fiber Amplifier Assembling Technology)

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Operation Wavelength:1530~1560nm. ‧ Input Power:-20dBm*16chs. ‧ Gain:>22Db. ‧ Gain Stability: | 潛力預估: 將開發寬頻光放大器及小型化技術以增加放大頻寬,強化光放大器產業,支援關鍵性技術開發,以發展Metro/Access網路環境技術。

微光機電技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 1x2/2x2 MEMS Switch Insertion Loss:0.8dB max. Switching time | 潛力預估: 具高精密、批量生產及低成本之優勢,為未來製程發展之趨勢。

高速光發射、接收次模組封裝技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Low cost TO-Can Package ‧ Uncooled 1310nm DFB TOSA ‧ 10km transmission ‧ SC/LC receptacle package ... | 潛力預估: 由於TO-Can 封裝為國內光通訊光電元件封裝技術中最成熟之技術,本技術若結合廠商生產能力,將可大幅降低10Gb/s光電元件封裝製作成本。

平面光波導對準封裝技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Single Fiber/Fiber Array Block (FAB) to Waveguide Alignment ‧ Automatic Search and Optimization ‧ ... | 潛力預估: 本技術可快速且精準的完成耦光對準及填膠固化,並可通過環境測試,極具市場潛力。

波長鎖定器製作技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Channel Spacing : 50 or 100 GHz ‧ Center Wavelength : ITU grid (1520nm~1570nm) ‧ Wavelength stabil... | 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時,此元件將為不可或缺之關鍵元件。

高功率Pump雷射耦合器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Center Wavelength : 1480nm ‧ Center Wavelength Range : ±40nm ‧ Insertion Loss : 55dB ‧ Directivity... | 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時,此元件將為不可或缺之關鍵元件。

光纖陣列接頭製作及測試技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Fiber Array Block ‧ FAB Pitch Accuracy ≦ ±0.5 mm ‧ FAB Height Accuracy ≦ ±0.5 mm ‧ Fiber Number: 1, ... | 潛力預估: 以多芯束光纖輸出之光通訊元件封裝為未來趨勢,而光纖陣列接頭為其主要原件,具有不可取代之地位。

非溫控高速雷射技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: FP LD ‧ BW>10Gb/s. ‧ Low threshold6mW(bais at 35mA) ‧ To>85K DFB LD ‧ SMSR>30dB. ‧ BW>10Gb/s ‧ To>... | 潛力預估: 高速非溫控FP LD可廣泛的應用在10Gb Ethernet access端,而DFB雷射則可應用在metro端。由於其不需溫度控制器,使得設置費大幅下降,故有利於市場拓展,此項技術亦為目前市場上積...

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