低功耗電路設計技術---超低電壓鎖相迴路電路技術
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技術名稱-中文低功耗電路設計技術---超低電壓鎖相迴路電路技術的執行單位是工研院資通所, 產出年度是97, 計畫名稱是資訊與通訊領域環境建構計畫, 技術規格是‧Process: TSMC 0.13um CMOS ‧Supply Voltage: 0.5v(typical 1.2V) ‧Frequency Range:360MHz~610MHz ‧Jitter:67ps@550MHz(Solar sell) ‧Power:1.25mW ‧Lock Time..., 潛力預估是IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。.

序號2566
產出年度97
技術名稱-中文低功耗電路設計技術---超低電壓鎖相迴路電路技術
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱資訊與通訊領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文操作在超低壓的鎖相迴路,運用Bulk-Input VCO (BVCO)電路技術,使其不會受Threshold Voltage (VT)的限制,此 Bulk-Input 技巧可以擴展Control Voltage Dynamic Range 至 Rail-to-Rail,因此可得到較佳的Linearity Gain。利用修正電路(Calibration Circuit),來降低Process、Voltage Supply、Temperature等變異程度,使其都能操作在500MHz以上。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格‧Process: TSMC 0.13um CMOS ‧Supply Voltage: 0.5v(typical 1.2V) ‧Frequency Range:360MHz~610MHz ‧Jitter:67ps@550MHz(Solar sell) ‧Power:1.25mW ‧Lock Time:
技術成熟度雛型
可應用範圍可發展於與頻率相關之應用電路,如CPU等電子產品。
潛力預估IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。
聯絡人員廖人慧
電話03-5912857
傳真03-5913183
電子信箱lovelyAmy_Liao@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備需具備SoC晶片設計相關知識與EDA工具。
需具備之專業人才晶片設計相關人才。
同步更新日期2019-07-24

序號

2566

產出年度

97

技術名稱-中文

低功耗電路設計技術---超低電壓鎖相迴路電路技術

執行單位

工研院資通所

產出單位

(空)

計畫名稱

資訊與通訊領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

操作在超低壓的鎖相迴路,運用Bulk-Input VCO (BVCO)電路技術,使其不會受Threshold Voltage (VT)的限制,此 Bulk-Input 技巧可以擴展Control Voltage Dynamic Range 至 Rail-to-Rail,因此可得到較佳的Linearity Gain。利用修正電路(Calibration Circuit),來降低Process、Voltage Supply、Temperature等變異程度,使其都能操作在500MHz以上。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

‧Process: TSMC 0.13um CMOS ‧Supply Voltage: 0.5v(typical 1.2V) ‧Frequency Range:360MHz~610MHz ‧Jitter:67ps@550MHz(Solar sell) ‧Power:1.25mW ‧Lock Time:

技術成熟度

雛型

可應用範圍

可發展於與頻率相關之應用電路,如CPU等電子產品。

潛力預估

IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

聯絡人員

廖人慧

電話

03-5912857

傳真

03-5913183

電子信箱

lovelyAmy_Liao@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

需具備SoC晶片設計相關知識與EDA工具。

需具備之專業人才

晶片設計相關人才。

同步更新日期

2019-07-24

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144MHz-456MHz寬鎖頻區域之鎖相迴路

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Low jitter:peak-to-peak 100ps ‧Wide lock range:144MHz-456MHz ‧Process:TSMC 0.13um ‧Power:3.7mW@456M... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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電子工廠製造過程之靜電放電防制技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧靜電防護區內的所有導體累積靜電低於100 V ‧靜電防護區內的絕緣體累積靜電儘量低於2 kV ‧防護區內帶電量超過2 kV的絕緣體距離ESD敏感零組件至少1 ft ‧靜電放電敏感零組件若需攜離防護... | 潛力預估: IC Design House、System House、IDM、Foundry以及Package House等相關產業。

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標準輸入輸出單元資料庫

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: VDD = 1.2V,VDDIO = 2.5V,VSS = VSSIO = 0V.I/O signal voltage = 0 ~ 3.3V.Output driving current = 2mA,... | 潛力預估: IC Design House、System House、IDM、Foundry以及Package House等相關產業。

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標準元件庫特徵化程式

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Pin to pin delay time characterization ‧Power consumption characterization ‧Input capacitance chara... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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低功率設計技術解決方案

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Design Methodology: Multi-Vth, Multi-VDD, DVFS Design, Implementation, and Verification Methodology... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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內建式抖動量(jitter)量測技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧待測時脈頻率: 100Mhz~1.6Ghz ‧量測解析度: 2~3ps ‧待測抖動量範圍: 100ps@1.6Ghz | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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低功耗電路設計技術---超低電壓靜態隨機記憶體電路技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧操作頻率:80MHz@0.5v ‧功率消耗:0.55mW@80MHz_FBB,0.32mW@0.5v_NBB ‧操作於:VDD=0.3V~1.2V ‧製程:TSMC 0.13um | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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SSN與Thermal Sensor IIP技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ●Thermal sensor: ‧多點偵測之全數位溫度感測器 ‧溫度量測範圍,可達-40℃~130℃ ‧解析度(0.17℃/bit)且高抗supply noise能力之電路特性 ‧Area=0.06... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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144MHz-456MHz寬鎖頻區域之鎖相迴路

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Low jitter:peak-to-peak 100ps ‧Wide lock range:144MHz-456MHz ‧Process:TSMC 0.13um ‧Power:3.7mW@456M... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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電子工廠製造過程之靜電放電防制技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧靜電防護區內的所有導體累積靜電低於100 V ‧靜電防護區內的絕緣體累積靜電儘量低於2 kV ‧防護區內帶電量超過2 kV的絕緣體距離ESD敏感零組件至少1 ft ‧靜電放電敏感零組件若需攜離防護... | 潛力預估: IC Design House、System House、IDM、Foundry以及Package House等相關產業。

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標準輸入輸出單元資料庫

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: VDD = 1.2V,VDDIO = 2.5V,VSS = VSSIO = 0V.I/O signal voltage = 0 ~ 3.3V.Output driving current = 2mA,... | 潛力預估: IC Design House、System House、IDM、Foundry以及Package House等相關產業。

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標準元件庫特徵化程式

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Pin to pin delay time characterization ‧Power consumption characterization ‧Input capacitance chara... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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低功率設計技術解決方案

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Design Methodology: Multi-Vth, Multi-VDD, DVFS Design, Implementation, and Verification Methodology... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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內建式抖動量(jitter)量測技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧待測時脈頻率: 100Mhz~1.6Ghz ‧量測解析度: 2~3ps ‧待測抖動量範圍: 100ps@1.6Ghz | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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低功耗電路設計技術---超低電壓靜態隨機記憶體電路技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧操作頻率:80MHz@0.5v ‧功率消耗:0.55mW@80MHz_FBB,0.32mW@0.5v_NBB ‧操作於:VDD=0.3V~1.2V ‧製程:TSMC 0.13um | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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SSN與Thermal Sensor IIP技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ●Thermal sensor: ‧多點偵測之全數位溫度感測器 ‧溫度量測範圍,可達-40℃~130℃ ‧解析度(0.17℃/bit)且高抗supply noise能力之電路特性 ‧Area=0.06... | 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

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化學鍍活化液與其化學鍍技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧化學鍍速率>0.25 ug/cm2.S ‧粒子平均粒徑12個月 | 潛力預估: 化學鍍活化液及其化學鍍技術,為一針對未來實行化學鍍進行超薄薄膜製程與習用化學鍍活化液缺點所設計,是以金屬奈米粒子觀念為出發點,當隨粒子粒徑越小時,比表面積越高,催化活性也越強,再加上粒子表面有有機穩定...

MB-OFDM UWB Matlab Baseband Simulation Platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: - 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform。 - Group A,B,C,D,E ... | 潛力預估: 可搶攻UWB、Wireless USB等市場,極具市場潛力

聚合型旋光性液晶化學品開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: HTP=30.44mm-1之旋光性液晶單體,純度>98% | 潛力預估: 聚合型高螺旋扭轉力液晶單體全球市場4億日元,市場佔有率若以5%計算約為新台幣500萬元/年,增亮膜市場約新台幣3000萬/年

12吋晶圓廠製程排水回收計畫

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商提升水回收率10~15% | 潛力預估: 根據力晶12吋廠實際推動的經驗,不僅可提升回收水質與水回率,且因機台排管分流資料庫的建立,大幅提升污染事故的處置效率與經濟效益。

大面積TFT-LCD 光激化乾式清洗技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃基板經 UV 光照射清洗後,基板上五點接觸角平均 < 10度 | 潛力預估: 應映2008年LCD設備國產化需達50%之目標,故國內廠商需積極佈局易跨入之前段製程設備,此製程技術與設備皆為前段清洗設備必須。

晶圓表面有機污染檢測技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成Trinton-X-100 1 ppm及50 ppm的檢量線 | 潛力預估: 高科技業中微污染控制是很重要的議題,任何的微量有機殘留都會影響製程與良率,因此有機物殘留檢測技術的建立,除了可以驗證清洗效率外,並能確保substrate表面之潔淨度。

奈米用水系統微量有機物質氧化去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 0.13 mm 製程水質規格:TOC ≦ 0.8 ppb、Bacteria < 1 cfu/ml、total SiO2 ≦ 1 ppb、ion < 20 ppt、Particle ≦ 2 count... | 潛力預估: 應映奈米及高科技製程所需用水規格,科針對國內12吋晶圓及下世代大尺寸的用水系統進行設計。

以ST微控器為控制核心之無感測直流無刷馬達驅動器

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 有機會應用於風扇負載,或直流變頻壓縮機,展現節能效益,或更進一步的控制。此為其商業淺力。

UV/O3系統實廠操作技術評估與開發

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 科學園區管理局之污水納管管制條例,以及製程用水回收率需達85%之規定皆促使廠商進行有機廢水之處理

電子式溫度資料蒐集紀錄元件

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: -30o~70oC±0.6oC(-20o~50o)/±1.2oC其他範圍,紅外線傳輸,工作條件:-20o~70oC,5~95﹪RH | 潛力預估: 搭配蓄冷保溫櫃與保溫箱使用,推動全溫層保鮮服務,由於價格與進口產品比較具備相當高的競爭優勢,預估國內需求量每年超過1000個以上,加上授權廠家具備接受國外OEM及行銷能力,其評估每年出口(OEM)應可...

雨水貯留供水系統可行性評估系統

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 輔助設計軟體。 | 潛力預估: 因應建築規則,綠建築專章已通過,建築設計市場需求殷切。

高濃度臭氧水產生技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 臭氧水濃度:50ppm | 潛力預估: 臭氧技術因是on-site製造,具有高潔淨度特性,符合奈米製程高標準的潔淨度要求,並且省能省水,氧化力強,能在常溫下快速將有機物直接氧化成為CO2、羧酸類(R-COOH)等簡單小分子,反應產物可迅速揮...

二相流體精密洗淨製程技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可適用於具多孔性或具奈米孔洞之超微細結構元件與材料之清洗潔淨,奈米孔徑範圍可 < 5 nm~> 200 nm | 潛力預估: 未來半導體及顯示器相繼產用具奈米孔洞或微細結構元件,故清洗技術需採用此技術。

蓄冷容器積載最佳化技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 傳統物流公司以專用車輛配送,常、低溫貨件,或實施多溫共配之物流公司,以常溫車輛共配常、低溫貨件時,運用畚積載最佳化系統,可有效利用車廂內空間提供裝載率,將技術導入服務業者應用,預估可產生每年1仟萬元的...

PROFIBUS通訊技術及CAN-Bus通訊技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 基於現今工廠與日常機能自動化盛行的需求,標準的工業網路為最主要的構成要件。

化學鍍活化液與其化學鍍技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧化學鍍速率>0.25 ug/cm2.S ‧粒子平均粒徑12個月 | 潛力預估: 化學鍍活化液及其化學鍍技術,為一針對未來實行化學鍍進行超薄薄膜製程與習用化學鍍活化液缺點所設計,是以金屬奈米粒子觀念為出發點,當隨粒子粒徑越小時,比表面積越高,催化活性也越強,再加上粒子表面有有機穩定...

MB-OFDM UWB Matlab Baseband Simulation Platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: - 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform。 - Group A,B,C,D,E ... | 潛力預估: 可搶攻UWB、Wireless USB等市場,極具市場潛力

聚合型旋光性液晶化學品開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: HTP=30.44mm-1之旋光性液晶單體,純度>98% | 潛力預估: 聚合型高螺旋扭轉力液晶單體全球市場4億日元,市場佔有率若以5%計算約為新台幣500萬元/年,增亮膜市場約新台幣3000萬/年

12吋晶圓廠製程排水回收計畫

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商提升水回收率10~15% | 潛力預估: 根據力晶12吋廠實際推動的經驗,不僅可提升回收水質與水回率,且因機台排管分流資料庫的建立,大幅提升污染事故的處置效率與經濟效益。

大面積TFT-LCD 光激化乾式清洗技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃基板經 UV 光照射清洗後,基板上五點接觸角平均 < 10度 | 潛力預估: 應映2008年LCD設備國產化需達50%之目標,故國內廠商需積極佈局易跨入之前段製程設備,此製程技術與設備皆為前段清洗設備必須。

晶圓表面有機污染檢測技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成Trinton-X-100 1 ppm及50 ppm的檢量線 | 潛力預估: 高科技業中微污染控制是很重要的議題,任何的微量有機殘留都會影響製程與良率,因此有機物殘留檢測技術的建立,除了可以驗證清洗效率外,並能確保substrate表面之潔淨度。

奈米用水系統微量有機物質氧化去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 0.13 mm 製程水質規格:TOC ≦ 0.8 ppb、Bacteria < 1 cfu/ml、total SiO2 ≦ 1 ppb、ion < 20 ppt、Particle ≦ 2 count... | 潛力預估: 應映奈米及高科技製程所需用水規格,科針對國內12吋晶圓及下世代大尺寸的用水系統進行設計。

以ST微控器為控制核心之無感測直流無刷馬達驅動器

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 有機會應用於風扇負載,或直流變頻壓縮機,展現節能效益,或更進一步的控制。此為其商業淺力。

UV/O3系統實廠操作技術評估與開發

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 科學園區管理局之污水納管管制條例,以及製程用水回收率需達85%之規定皆促使廠商進行有機廢水之處理

電子式溫度資料蒐集紀錄元件

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: -30o~70oC±0.6oC(-20o~50o)/±1.2oC其他範圍,紅外線傳輸,工作條件:-20o~70oC,5~95﹪RH | 潛力預估: 搭配蓄冷保溫櫃與保溫箱使用,推動全溫層保鮮服務,由於價格與進口產品比較具備相當高的競爭優勢,預估國內需求量每年超過1000個以上,加上授權廠家具備接受國外OEM及行銷能力,其評估每年出口(OEM)應可...

雨水貯留供水系統可行性評估系統

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 輔助設計軟體。 | 潛力預估: 因應建築規則,綠建築專章已通過,建築設計市場需求殷切。

高濃度臭氧水產生技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 臭氧水濃度:50ppm | 潛力預估: 臭氧技術因是on-site製造,具有高潔淨度特性,符合奈米製程高標準的潔淨度要求,並且省能省水,氧化力強,能在常溫下快速將有機物直接氧化成為CO2、羧酸類(R-COOH)等簡單小分子,反應產物可迅速揮...

二相流體精密洗淨製程技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可適用於具多孔性或具奈米孔洞之超微細結構元件與材料之清洗潔淨,奈米孔徑範圍可 < 5 nm~> 200 nm | 潛力預估: 未來半導體及顯示器相繼產用具奈米孔洞或微細結構元件,故清洗技術需採用此技術。

蓄冷容器積載最佳化技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 傳統物流公司以專用車輛配送,常、低溫貨件,或實施多溫共配之物流公司,以常溫車輛共配常、低溫貨件時,運用畚積載最佳化系統,可有效利用車廂內空間提供裝載率,將技術導入服務業者應用,預估可產生每年1仟萬元的...

PROFIBUS通訊技術及CAN-Bus通訊技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 基於現今工廠與日常機能自動化盛行的需求,標準的工業網路為最主要的構成要件。

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