SSN與Thermal Sensor IIP技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文SSN與Thermal Sensor IIP技術的執行單位是工研院資通所, 產出年度是97, 計畫名稱是資訊與通訊領域環境建構計畫, 技術規格是●Thermal sensor： ‧多點偵測之全數位溫度感測器 ‧溫度量測範圍，可達-40℃~130℃ ‧解析度(0.17℃/bit)且高抗supply noise能力之電路特性 ‧Area=0.062mm2 ‧易與系統晶片整合 ‧Power=1uW@50 sample/s ●SSN sensor：..., 潛力預估是IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。.

序號	2568
產出年度	97
技術名稱-中文	SSN與Thermal Sensor IIP技術
執行單位	工研院資通所
產出單位	(空)
計畫名稱	資訊與通訊領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	低電壓低功耗高速電路IP可搭配未來在節約能源之SoC應用，使用本IP開發之系統可配合太陽能電池運作與綠色能源結合。說明如： (1)溫度感測電路設計，採用數位式環型震盪器的架構當作溫度sensor，具有小面積、低功率、頻率與溫度較線性、易於整合至單晶片系統電路內等之優點。 (2)數位式環型震盪器溫度感測器內採用抗power supply noise較佳的元件電路，減少不必要的干擾以增加其準確性。 (3)動態雜訊偵測電路設計，採用電壓追隨器(SF)將電源雜訊或是地端雜訊給複製出來，並透過current mirror方式將訊號輸出至外部觀察。透過此電路所萃取出來的內部雜訊波形，建立出一套更準確且可信度高的電源雜訊模擬model，以利於分析電壓抖動的變化對系統單晶片的影響。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	●Thermal sensor： ‧多點偵測之全數位溫度感測器 ‧溫度量測範圍，可達-40℃~130℃ ‧解析度(0.17℃/bit)且高抗supply noise能力之電路特性 ‧Area=0.062mm2 ‧易與系統晶片整合 ‧Power=1uW@50 sample/s ●SSN sensor： ‧multi-point偵測switching noise感測方式 ‧採用current mirror方式將訊號輸出至外部觀察，建立出一套可信度高的電源雜訊模擬model ‧最佳解析度在300MHz的變動頻率及Vp-p=50.4mV可將雜訊萃取出來 ●Process：TSMC 0.13um
技術成熟度	雛型
可應用範圍	可投入發展生物電子晶片與綠色能源相關產業。
潛力預估	IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。
聯絡人員	廖人慧
電話	03-5912857
傳真	03-5913183
電子信箱	lovelyAmy_Liao@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	需具備SoC晶片設計相關知識與工具。
需具備之專業人才	晶片設計相關人才。
同步更新日期	2019-07-24

序號

2568

產出年度

技術名稱-中文

SSN與Thermal Sensor IIP技術

執行單位

工研院資通所

產出單位

(空)

計畫名稱

資訊與通訊領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

低電壓低功耗高速電路IP可搭配未來在節約能源之SoC應用，使用本IP開發之系統可配合太陽能電池運作與綠色能源結合。說明如： (1)溫度感測電路設計，採用數位式環型震盪器的架構當作溫度sensor，具有小面積、低功率、頻率與溫度較線性、易於整合至單晶片系統電路內等之優點。 (2)數位式環型震盪器溫度感測器內採用抗power supply noise較佳的元件電路，減少不必要的干擾以增加其準確性。 (3)動態雜訊偵測電路設計，採用電壓追隨器(SF)將電源雜訊或是地端雜訊給複製出來，並透過current mirror方式將訊號輸出至外部觀察。透過此電路所萃取出來的內部雜訊波形，建立出一套更準確且可信度高的電源雜訊模擬model，以利於分析電壓抖動的變化對系統單晶片的影響。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

●Thermal sensor： ‧多點偵測之全數位溫度感測器 ‧溫度量測範圍，可達-40℃~130℃ ‧解析度(0.17℃/bit)且高抗supply noise能力之電路特性 ‧Area=0.062mm2 ‧易與系統晶片整合 ‧Power=1uW@50 sample/s ●SSN sensor： ‧multi-point偵測switching noise感測方式 ‧採用current mirror方式將訊號輸出至外部觀察，建立出一套可信度高的電源雜訊模擬model ‧最佳解析度在300MHz的變動頻率及Vp-p=50.4mV可將雜訊萃取出來 ●Process：TSMC 0.13um

技術成熟度

雛型

可應用範圍

可投入發展生物電子晶片與綠色能源相關產業。

潛力預估

IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

聯絡人員

廖人慧

電話

03-5912857

傳真

03-5913183

電子信箱

lovelyAmy_Liao@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

需具備SoC晶片設計相關知識與工具。

需具備之專業人才

晶片設計相關人才。

同步更新日期

2019-07-24

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144MHz-456MHz寬鎖頻區域之鎖相迴路	執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧Low jitter：peak-to-peak 100ps ‧Wide lock range：144MHz-456MHz ‧Process：TSMC 0.13um ‧Power：3.7mW@456M... \| 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
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標準輸入輸出單元資料庫	執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: VDD = 1.2V，VDDIO = 2.5V，VSS = VSSIO = 0V.I/O signal voltage = 0 ~ 3.3V.Output driving current = 2mA，... \| 潛力預估: IC Design House、System House、IDM、Foundry以及Package House等相關產業。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
標準元件庫特徵化程式	執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧Pin to pin delay time characterization ‧Power consumption characterization ‧Input capacitance chara... \| 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
低功率設計技術解決方案	執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧Design Methodology: Multi-Vth， Multi-VDD， DVFS Design， Implementation， and Verification Methodology... \| 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
內建式抖動量(jitter)量測技術	執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧待測時脈頻率: 100Mhz~1.6Ghz ‧量測解析度: 2~3ps ‧待測抖動量範圍: 100ps@1.6Ghz \| 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
低功耗電路設計技術---超低電壓鎖相迴路電路技術	執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧Process: TSMC 0.13um CMOS ‧Supply Voltage: 0.5v(typical 1.2V) ‧Frequency Range:360MHz~610MHz ‧Jitte... \| 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
低功耗電路設計技術---超低電壓靜態隨機記憶體電路技術	執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧操作頻率:80MHz@0.5v ‧功率消耗:0.55mW@80MHz_FBB，0.32mW@0.5v_NBB ‧操作於:VDD=0.3V~1.2V ‧製程:TSMC 0.13um \| 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm \| 潛力預估: 相關文獻顯示，預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時，以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發，預計可建立業界高速工具機...
油靜座滑軌	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．供油壓力：20 bar ．潤滑油形式：VG32(溫度20~40℃) ．切削力：Fa:1,000N,Ft:300N ．滑軌長度:1,500mm ．工作行程:750mm ．工作台上最大荷重:750kg... \| 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標，本技術在前兩項目標之達成無庸置疑，對於經濟性，就機器製造成本而言，雖然需要較高之成本，但將無磨耗、壽命長納入考量後，將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...
極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 \| 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大，如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言，民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元，預估93年達到19億美元，至99年時可達65億美元
晶圓均溫加熱調整技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) \| 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求，以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台，大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300，價格約為200 ~ 3...
微型慣性感測元件研製	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元，由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點，根據美國Honeywell公司對產品評估，與傳統機電式慣性感測單元比較，體積上可縮小90%，電源消耗上減少8... \| 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛，未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上，發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量，完成核心組件專利佈局，協助業界...
氫電關鍵元件材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm，He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒，平均粒徑3nm以下，白金含... \| 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池
奈米材料及元件檢測技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 \| 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。
具振動抑制複材管件結構改良	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) \| 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等
輕質蜂巢聲阻結構	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 厚度 \| 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色
酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 \| 潛力預估: 有賴技術推廣
電鑄模仁低溫增厚技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)接合溫度200-400℃； (2)結合強度3000psi以上； (3)變形量 \| 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，市場前景可期。
繞射光學鏡片設計與製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 最小環距20μm；深度1.1μm；形狀誤差 \| 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術，可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術，對降低成本提升產值，有很大助益。
CMOS影像IC設計及影像處理像技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可提供QVGA（320×240）、CIF（352×288）、VGA（640×480）、XVGA（1024×768）與1.3百萬（1280×1024）等格式，像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... \| 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年，全球產量達237Mpcs。
紅外光無線數位電子錢包付款技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE（Packet PC）或Linux OS。 \| 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I...
自助式數位印相系統	執行單位: 中科院資通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像，可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 \| 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。