技術名稱-中文高功率LED導熱界面材料技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是97, 計畫名稱是南部產業關鍵技術計畫, 技術規格是1.)具高導電度(~ 2*10-3 W/cm2) 2.)具良好熱傳導性～40W/mK。 3.)紅外線輻射發射率>98%。 4.)適用於平整性高之界面，膜厚～300nm，提升整體熱傳導量。 5.)樹酯為Epoxy系與Silicone系為主。, 潛力預估是可應用於LED照明、太陽電池、電子紡織品業等所需之導熱元件或導熱塗層.
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| 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)TiO2溶膠粒徑：10-30 nm，外觀：透明無色 2.)TiO2-Epoxy複合薄膜折射率：1.55-2.0，透光率：>90% 3.)可降低基材(FTO Glass， Si Wafer， et... | 潛力預估: 應用於光學元件、太陽能產業 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)具靜電消散導電度(~ 5.5*106 W/cm2) 2.)紅外線輻射發射率>98%。 3.)抗腐蝕性與表面硬度、耐磨耗性提升。 4.)含PU、Epoxy、PMMA、Teflon系樹酯等多種選擇。 | 潛力預估: 可應用於LED照明、太陽電池等散熱塗層 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)分散度：< 200 nm 2.)固含量：> 1 wt % 3.)穩定度: > 3 months | 潛力預估: 可應用於奈米碳材流體或複合材料製備 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)DCPD氫甲醯化催化技術-製備TCD MAL，產率>90％，純度>90％。 2.)TCD-DAL氫化催化技術-製備TCD-MM， 產率>90％，純度>90％。 3.)高耐熱性壓克力單體改技術-製... | 潛力預估: 可應用於面板、太陽電池等光學元件所需之高耐熱壓克力材料 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)光學級非晶系共聚酯研製Pilot Scale，~100 Liter 2.)IV>0.6 3.)Tg >120℃ 4.)透光度>88% 5.)鉛筆硬度>HB | 潛力預估: 可應用光學元件、太陽能產業 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)穿透率可調控：60~92% 2.)霧度：5~90 % | 潛力預估: 可應用LED燈具、面板及光電相關業者 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.600℃ Hv>350 2.抗氧化率＞Stellite 6 | 潛力預估: 可應用於刀工模具、重機械構件、能源石油鑽探等重型機具的高溫耐磨抗氧化機件 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)TiO2溶膠粒徑：10-30 nm，外觀：透明無色 2.)TiO2-Epoxy複合薄膜折射率：1.55-2.0，透光率：>90% 3.)可降低基材(FTO Glass， Si Wafer， et... | 潛力預估: 應用於光學元件、太陽能產業 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)具靜電消散導電度(~ 5.5*106 W/cm2) 2.)紅外線輻射發射率>98%。 3.)抗腐蝕性與表面硬度、耐磨耗性提升。 4.)含PU、Epoxy、PMMA、Teflon系樹酯等多種選擇。 | 潛力預估: 可應用於LED照明、太陽電池等散熱塗層 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)分散度：< 200 nm 2.)固含量：> 1 wt % 3.)穩定度: > 3 months | 潛力預估: 可應用於奈米碳材流體或複合材料製備 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)DCPD氫甲醯化催化技術-製備TCD MAL，產率>90％，純度>90％。 2.)TCD-DAL氫化催化技術-製備TCD-MM， 產率>90％，純度>90％。 3.)高耐熱性壓克力單體改技術-製... | 潛力預估: 可應用於面板、太陽電池等光學元件所需之高耐熱壓克力材料 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)光學級非晶系共聚酯研製Pilot Scale，~100 Liter 2.)IV>0.6 3.)Tg >120℃ 4.)透光度>88% 5.)鉛筆硬度>HB | 潛力預估: 可應用光學元件、太陽能產業 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)穿透率可調控：60~92% 2.)霧度：5~90 % | 潛力預估: 可應用LED燈具、面板及光電相關業者 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number：640 x 3 x480 .Pixel pitch：90 um x 120 um .Aperture ratio： 30% .Brightness：> 30... | 潛力預估: 軟體設備：LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備：雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓<25V | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number：640 x 3 x480 .Pixel pitch：90 um x 120 um .Aperture ratio： 30% .Brightness：> 30... | 潛力預估: 軟體設備：LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備：雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓<25V | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
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