太陽電池緩衝層CdS薄膜
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文太陽電池緩衝層CdS薄膜的執行單位是中科院材料所, 產出年度是97, 計畫名稱是新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫, 技術規格是1.透光率≧80%。 2.薄膜～100nm。 3.N-junction。, 潛力預估是3C產業、太陽能電池產業等.
| 序號 | 2960 |
| 產出年度 | 97 |
| 技術名稱-中文 | 太陽電池緩衝層CdS薄膜 |
| 執行單位 | 中科院材料所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 化學水浴沉積技術是一種高效、低成本、適合大面積生產的方法。本技術採用於製備CdS薄膜，具有無針孔、緻密，於CIGS太陽電池結構應用中，對CIGS表面具有極好的包覆性；對CIGS表面的缺陷亦有修復作用，可以有效地阻止濺射ZnO、AZO造成CIGS薄膜損傷而引起電池的短路現象；同時Cd原子容易擴散到CIGS表面，對改善異質結特性具有重要作用。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 1.透光率≧80%。 2.薄膜～100nm。 3.N-junction。 |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 太陽能電池、光電轉換元件 |
| 潛力預估 | 3C產業、太陽能電池產業等 |
| 聯絡人員 | 張百鎔 |
| 電話 | 03-4458110 |
| 傳真 | 無 |
| 電子信箱 | Chang.paijung@msa.hinet.net |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 熱水溫控循環機、夾層反應槽、酸鹼量測儀、膜厚分析儀、UV-VIS穿透光譜儀、霍爾量測系統 |
| 需具備之專業人才 | 化工、材料、電子、光電相關背景 |
| 同步更新日期 | 2019-07-24 |
序號2960 |
產出年度97 |
技術名稱-中文太陽電池緩衝層CdS薄膜 |
執行單位中科院材料所 |
產出單位(空) |
計畫名稱新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文化學水浴沉積技術是一種高效、低成本、適合大面積生產的方法。本技術採用於製備CdS薄膜，具有無針孔、緻密，於CIGS太陽電池結構應用中，對CIGS表面具有極好的包覆性；對CIGS表面的缺陷亦有修復作用，可以有效地阻止濺射ZnO、AZO造成CIGS薄膜損傷而引起電池的短路現象；同時Cd原子容易擴散到CIGS表面，對改善異質結特性具有重要作用。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格1.透光率≧80%。 2.薄膜～100nm。 3.N-junction。 |
技術成熟度實驗室階段 |
可應用範圍太陽能電池、光電轉換元件 |
潛力預估3C產業、太陽能電池產業等 |
聯絡人員張百鎔 |
電話03-4458110 |
傳真無 |
電子信箱Chang.paijung@msa.hinet.net |
參考網址(空) |
所須軟硬體設備熱水溫控循環機、夾層反應槽、酸鹼量測儀、膜厚分析儀、UV-VIS穿透光譜儀、霍爾量測系統 |
需具備之專業人才化工、材料、電子、光電相關背景 |
同步更新日期2019-07-24 |
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(以下顯示 3 筆) (或要:直接搜尋所有 03-4458110 ...) | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.二氧化鈦薄膜(工作電極)：孔隙度>50%、膜層不剝落。_x000D_2.白金薄膜(對電極)：膜層均勻、反光性強。_x000D_3.元件(5cells，並聯)：25W鹵素燈照射下，VOC≒0.670... | 潛力預估: 3C產業、汽車太陽能天窗、攜帶型電源等 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: "1.結構：glass/Mo/CIGS/CdS/iZO/AZO 2.CIGS膜厚目標：1.5～2μm" | 潛力預估: 以低成本之化學濕法製程導入，應用簡易覆膜技術，製備最適化薄膜結構太陽能電池元件，提昇電池之光電轉換效率。應用於3C電子產品、太陽能光電產業及綠色節能建築發展。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: "1.透光率≧85% 2.膜厚～100nm" | 潛力預估: 因化學濕法CBD製程之低成本及便利性，可應用覆膜於較大面積與不規則性之基材。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.二氧化鈦薄膜(工作電極)：孔隙度>50%、膜層不剝落。_x000D_2.白金薄膜(對電極)：膜層均勻、反光性強。_x000D_3.元件(5cells，並聯)：25W鹵素燈照射下，VOC≒0.670... | 潛力預估: 3C產業、汽車太陽能天窗、攜帶型電源等 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: "1.結構：glass/Mo/CIGS/CdS/iZO/AZO 2.CIGS膜厚目標：1.5～2μm" | 潛力預估: 以低成本之化學濕法製程導入，應用簡易覆膜技術，製備最適化薄膜結構太陽能電池元件，提昇電池之光電轉換效率。應用於3C電子產品、太陽能光電產業及綠色節能建築發展。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: "1.透光率≧85% 2.膜厚～100nm" | 潛力預估: 因化學濕法CBD製程之低成本及便利性，可應用覆膜於較大面積與不規則性之基材。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE（Packet PC）或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I... |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像，可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組，預估其生產成本的降低後，可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台，創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會，亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯... |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米；厚度可達500微米；平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率：5GHz~6GHz，頻寬：100MHz~150MHz，插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路，通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上，現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2％。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元，並創造產值約5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術，可創造年產值新台幣1.5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量，銅模速冷至批量10公斤，粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸，價格競優勢弱，磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結，結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件，需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性，並需能耐酸之腐蝕，以往下電極板表層僅以陽極處理，使用壽命僅有三個月，文獻顯示，若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁，壽命... | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE（Packet PC）或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I... |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像，可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組，預估其生產成本的降低後，可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台，創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會，亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯... |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米；厚度可達500微米；平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率：5GHz~6GHz，頻寬：100MHz~150MHz，插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路，通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上，現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2％。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元，並創造產值約5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術，可創造年產值新台幣1.5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量，銅模速冷至批量10公斤，粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸，價格競優勢弱，磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結，結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件，需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性，並需能耐酸之腐蝕，以往下電極板表層僅以陽極處理，使用壽命僅有三個月，文獻顯示，若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁，壽命... | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
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