高密度電漿製程設備技術
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技術名稱-中文高密度電漿製程設備技術的執行單位是工研院機械所, 產出年度是98, 計畫名稱是機械與系統領域環境建構計畫, 技術規格是抗反射氮化矽膜;鍍率:20-45nm/min.;均勻度:±5%/100mm×100mm;電漿源有效長度:710 mm、Si薄膜沉積, 潛力預估是開發RF/ VHF/ MW高密度電漿源,提高鍍膜沉積速率。增加產能,節省成本.

序號3282
產出年度98
技術名稱-中文高密度電漿製程設備技術
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱機械與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文開發完成電容平板式與長線型高密度電漿源,可搭配射頻(RF)、甚高頻(VHF)或微波(MW)電源,應用於電漿輔助化學沉積設備,可完成太陽電池鍍抗反射膜製程連續式生產與玻璃基板矽薄膜P-I-N各層薄膜沉積
技術現況敘述-英文(空)
技術規格抗反射氮化矽膜;鍍率:20-45nm/min.;均勻度:±5%/100mm×100mm;電漿源有效長度:710 mm、Si薄膜沉積
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍太陽電池鍍膜;半導體鍍膜;FPD鍍膜;光學鏡片與模具鍍膜
潛力預估開發RF/ VHF/ MW高密度電漿源,提高鍍膜沉積速率。增加產能,節省成本
聯絡人員董福慶
電話(03)5916489
傳真(03)5826584
電子信箱fctung@itri.org.tw
參考網址http://無
所須軟硬體設備真空設備,高頻匹配設備,電漿鍍膜設備
需具備之專業人才機械、材料或化工背景。具備真空技術與電漿化學沉積技術實驗開發經驗
同步更新日期2024-09-03

序號

3282

產出年度

98

技術名稱-中文

高密度電漿製程設備技術

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

機械與系統領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

開發完成電容平板式與長線型高密度電漿源,可搭配射頻(RF)、甚高頻(VHF)或微波(MW)電源,應用於電漿輔助化學沉積設備,可完成太陽電池鍍抗反射膜製程連續式生產與玻璃基板矽薄膜P-I-N各層薄膜沉積

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

抗反射氮化矽膜;鍍率:20-45nm/min.;均勻度:±5%/100mm×100mm;電漿源有效長度:710 mm、Si薄膜沉積

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

太陽電池鍍膜;半導體鍍膜;FPD鍍膜;光學鏡片與模具鍍膜

潛力預估

開發RF/ VHF/ MW高密度電漿源,提高鍍膜沉積速率。增加產能,節省成本

聯絡人員

董福慶

電話

(03)5916489

傳真

(03)5826584

電子信箱

fctung@itri.org.tw

參考網址

http://無

所須軟硬體設備

真空設備,高頻匹配設備,電漿鍍膜設備

需具備之專業人才

機械、材料或化工背景。具備真空技術與電漿化學沉積技術實驗開發經驗

同步更新日期

2024-09-03

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高密度電漿製程設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5,電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源:≧750 mm,電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源:≦2000 mm,電漿密度1011cm-3 面形遠距... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術;可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積;HIT非晶矽薄膜沉積;FPD非晶矽沉積;LED電漿蝕刻。

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高密度電漿製程設備技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5,電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源:≧750 mm,電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源:≦2000 mm,電漿密度1011cm-3 面... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術;可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積;HIT非晶矽薄膜沉積;FPD非晶矽沉積;LED電漿蝕刻。

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高密度電漿製程設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5,電漿密度109cm-3(專利申請) 長線形遠距式射頻波電漿源:≧720 mm,電漿密度1010cm-3(已獲專利) 長線形遠距式微波電漿源:≦2000 mm,電漿密度1... | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術;可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積;FPD非晶矽沉積

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高密度電漿製程設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射層氮化矽膜、中空陰極遠距式電漿源,電漿源有效長度≧500 mm、鍍膜速率20-52 nm/min、成膜均勻度≦10%/125mm×125mm | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術;可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積;FPD非晶矽沉積。

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高密度電漿製程設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射氮化矽膜;鍍率:20-45nm/min.;均勻度:±5%/100mm×100mm | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術;可轉應用於非晶與微晶矽薄膜沉積。

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執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5,電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源:≧750 mm,電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源:≦2000 mm,電漿密度1011cm-3 面形遠距... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術;可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積;HIT非晶矽薄膜沉積;FPD非晶矽沉積;LED電漿蝕刻。

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高密度電漿製程設備技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5,電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源:≧750 mm,電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源:≦2000 mm,電漿密度1011cm-3 面... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術;可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積;HIT非晶矽薄膜沉積;FPD非晶矽沉積;LED電漿蝕刻。

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高密度電漿製程設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5,電漿密度109cm-3(專利申請) 長線形遠距式射頻波電漿源:≧720 mm,電漿密度1010cm-3(已獲專利) 長線形遠距式微波電漿源:≦2000 mm,電漿密度1... | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術;可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積;FPD非晶矽沉積

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高密度電漿製程設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射層氮化矽膜、中空陰極遠距式電漿源,電漿源有效長度≧500 mm、鍍膜速率20-52 nm/min、成膜均勻度≦10%/125mm×125mm | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術;可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積;FPD非晶矽沉積。

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高密度電漿製程設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射氮化矽膜;鍍率:20-45nm/min.;均勻度:±5%/100mm×100mm | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術;可轉應用於非晶與微晶矽薄膜沉積。

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真空加熱氣浮傳輸技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸: 620*750 mm (I.e. 第3.5代LCD面板尺寸) | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (I.E. 第5代LCD面板尺寸), 等相關技術應用

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大面積電漿光阻剝離技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸: 620*750 mm (第3.5代LCD面板尺寸), 光阻去除速率>3μm, 製程溫度:300℃或低於 | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (第5代LCD面板尺寸), 高速大面積電漿蝕刻、灰化等相關技術應用

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電漿鍍膜應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射氮化矽膜;鍍率:20-45nm/min.;均勻度:±5%。 | 潛力預估: 太陽電池生產關鍵設備技術;可轉應用於微晶矽薄膜沉積。

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真空加熱氣浮傳輸技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸: 620*750 mm (I.e. 第3.5代LCD面板尺寸) | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (I.E. 第5代LCD面板尺寸), 等相關技術應用

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大面積電漿光阻剝離技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸: 620*750 mm (第3.5代LCD面板尺寸), 光阻去除速率>3μm, 製程溫度:300℃或低於 | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (第5代LCD面板尺寸), 高速大面積電漿蝕刻、灰化等相關技術應用

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電漿鍍膜應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射氮化矽膜;鍍率:20-45nm/min.;均勻度:±5%。 | 潛力預估: 太陽電池生產關鍵設備技術;可轉應用於微晶矽薄膜沉積。

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奈米導電粉體製造技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米導電/磁性粉體粒徑小於30奈米,其外披覆有機殼層而呈核殼結構 | 潛力預估: 電磁波遮蔽與高頻磁性應用之奈米粉體材料國內市場潛力約在新台幣24億元規模

軟凝態奈米混成材料分散及流變技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 塗膜厚度均勻性>90%,邊際效益< 2mm;3C放電容量維持率達94% | 潛力預估: 自2005年起鋰電池電極板需求量激增,保守估計國內每月需求量9萬米平方產值約1.3億NT$

材料高頻電磁特性量測技術開發先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 高頻測試治具與測試標準評估與開發,其電氣特性符合:測試頻率:< 65 GHz, K Value:1 | 潛力預估: 可提升廠商之高頻量測技術能力,強化對產品設計及特性之掌握度,加速產品進入市場的速度,提高競爭力

多元合金細晶及成形技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 鎂鋁合金材料晶粒尺寸﹤1mm、鎂鋁合金材料伸長率> 300%、多元合金塗層具有﹤5w /m. k之熱傳導率及Hv500以上之硬度 | 潛力預估: 3C產品鎂鋁合金外殼產值目前有80億, 預估每年有20-30%之成長率

奈米一維材料製造技術-垂直氧化鋅奈米線技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 一維氧化鋅奈米線材料之垂直有序排列的技術:氧化鋅奈米線/纖維材料之成長於Si基板角度為70o~90o;氧化鋅奈米線/纖維材料之寬徑30~300nm;氧化鋅奈米線/纖維材料長度≧2.5μm | 潛力預估: 本研究初期成果已克服了垂直氧化鋅奈米線在矽基板成長之障礙,並且成功驗證垂直氧化鋅奈米線在場發射功能,在此有利之基礎上,提高控制性與大面積之成長技術建立強化,並對於多種性質之其它光電元件用基板材之實施,...

微波材料測試治具開發技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材料K,Q量測, 測試頻率<65GHz, 1<K<100,10<Q<1’10000,誤差£±0.5% | 潛力預估: 建立壓電膜材之壓電參數量測技術,支援相關應用產品開發。提供確認壓電膜材製作技術與產品設計開發可行性評估。可以利用已有的技術開發國內還沒有的量測系統,提供壓電薄膜在wafer level階段時的定量量...

高離子導電性質子傳導膜應用評估技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧半氟系磺酸化離子高分子材料 ‧質子導電度:8*10-2 S/cm ‧甲醇穿透度:8*10-7 cm2/sec ‧膨潤性:40-60wt% ‧耐熱性:>250℃ | 潛力預估: 攜帶型產品電力消耗與日遽增,在今日電子產品小型化、多功能化的趨勢下,對電池的要求也日漸升高。目前鋰電池的能量密度已接近發展的極限(500~600Whr/l),未來高能量密度電池之開發為目前各消費電子大...

化學鍍活化液與其化學鍍技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧化學鍍速率>0.25 ug/cm2.S ‧粒子平均粒徑<3.5 nm ‧活化粒子懸浮期>12個月 | 潛力預估: 化學鍍活化液及其化學鍍技術,為一針對未來實行化學鍍進行超薄薄膜製程與習用化學鍍活化液缺點所設計,是以金屬奈米粒子觀念為出發點,當隨粒子粒徑越小時,比表面積越高,催化活性也越強,再加上粒子表面有有機穩定...

MB-OFDM UWB Matlab Baseband Simulation Platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: - 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform。 - Group A,B,C,D,E ... | 潛力預估: 可搶攻UWB、Wireless USB等市場,極具市場潛力

O-PET光學膜配方及研製技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜透光率≧85﹪、吸水率<0.4wt%、IV>0.4、耐熱溫度≧150℃,且延伸倍率可達3倍以上。 | 潛力預估: 目前既有產品多為國外日本進口,價格昂貴,且都已鍍好ITO膜,售價達2500元 NT/m2。本技術為自行開發O-PET光學級酯粒材料及其雙軸製膜技術,自製膜材料<100元 NT/m2,而二次加工處理導電...

有機無機混成耐磨耗材料與製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 水性系統材料硬度可達: H 溶劑系統材料硬度可達: 塑膠基材可達2~3 H,玻璃基材可達5~7 H | 潛力預估: 有機無機混成材料相關技術之建立可開發具有尺寸安定、低膨脹係數、高阻水氣及氧氣、高接著性、高耐熱、高透明性及可變折射率之特性,此材料相關產品可衍生應用於於耐磨耗、抗反射之薄膜塗層開發,以及高經濟價值之多...

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 傳遞損失TE (TransverseElectric):0.47dB TM (Transverse Magnetic) : 0.51 dB/cm 極化損失(PDL): 0.03 dB(1.31) ... | 潛力預估: 此技術成果的最大效益在於發展低成本、高品質且易於大量生產製造的光通訊被動元件。有別於以往成本較高、製作過程繁瑣的傳統光通訊元件,如能以旋轉塗佈與黃光製程的製造方式取代以往的FHD+RIE製程,不僅可大...

無鹵無磷難燃複合材料技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 燃劑開發奈米混成複材基板,達到所需規格,Tg 3 150℃,Z軸膨脹率α1 £ 70 ppm/ oC, α2£ 300ppm/ oC, UL94V-0以及copper peel strength≧8 ... | 潛力預估: ‧難燃機電應用:如絕緣礙子、筆記型電腦外殼、印刷電路板,OA產品外殼等等 ‧高級建材產品:如捷運第三軌,機電工程等等

無鹵無磷高尺寸安定性奈米基板材料開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: - 難燃性UL94-V0 - Tg 3 G6 - Z軸膨脹率( 50→260℃) £ 3.5 % - Solderability( 288℃) > 5min - peel strength : 8~1... | 潛力預估: 高尺寸安定性奈米FR-4:高尺寸安定奈米FR-4之市場切入點在於取代目前high Tg基板(目前約佔FR-4之5~10%,大中華地區約30~50億NT,未來可能成長至20%,超過100億NT)。 無...

新型OLED藍色發光材料及其合成技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最終材料產品,產率 > 45 %。 光激發與電激發光譜範圍:380 ~ 470nm。 玻璃轉移溫度 > 120 ℃。 裂解溫度 > 430 ℃。 | 潛力預估: 本產品可應用於低成本FPD與平面光源,相關材料技術亦可應用於一般有機光電元件,如:太陽能電池、塑膠IC、感測元件…等。預估技術衍生之相關應用產品產值可達新台幣 50 億以上。

奈米導電粉體製造技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米導電/磁性粉體粒徑小於30奈米,其外披覆有機殼層而呈核殼結構 | 潛力預估: 電磁波遮蔽與高頻磁性應用之奈米粉體材料國內市場潛力約在新台幣24億元規模

軟凝態奈米混成材料分散及流變技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 塗膜厚度均勻性>90%,邊際效益< 2mm;3C放電容量維持率達94% | 潛力預估: 自2005年起鋰電池電極板需求量激增,保守估計國內每月需求量9萬米平方產值約1.3億NT$

材料高頻電磁特性量測技術開發先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 高頻測試治具與測試標準評估與開發,其電氣特性符合:測試頻率:< 65 GHz, K Value:1 | 潛力預估: 可提升廠商之高頻量測技術能力,強化對產品設計及特性之掌握度,加速產品進入市場的速度,提高競爭力

多元合金細晶及成形技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 鎂鋁合金材料晶粒尺寸﹤1mm、鎂鋁合金材料伸長率> 300%、多元合金塗層具有﹤5w /m. k之熱傳導率及Hv500以上之硬度 | 潛力預估: 3C產品鎂鋁合金外殼產值目前有80億, 預估每年有20-30%之成長率

奈米一維材料製造技術-垂直氧化鋅奈米線技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 一維氧化鋅奈米線材料之垂直有序排列的技術:氧化鋅奈米線/纖維材料之成長於Si基板角度為70o~90o;氧化鋅奈米線/纖維材料之寬徑30~300nm;氧化鋅奈米線/纖維材料長度≧2.5μm | 潛力預估: 本研究初期成果已克服了垂直氧化鋅奈米線在矽基板成長之障礙,並且成功驗證垂直氧化鋅奈米線在場發射功能,在此有利之基礎上,提高控制性與大面積之成長技術建立強化,並對於多種性質之其它光電元件用基板材之實施,...

微波材料測試治具開發技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材料K,Q量測, 測試頻率<65GHz, 1<K<100,10<Q<1’10000,誤差£±0.5% | 潛力預估: 建立壓電膜材之壓電參數量測技術,支援相關應用產品開發。提供確認壓電膜材製作技術與產品設計開發可行性評估。可以利用已有的技術開發國內還沒有的量測系統,提供壓電薄膜在wafer level階段時的定量量...

高離子導電性質子傳導膜應用評估技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧半氟系磺酸化離子高分子材料 ‧質子導電度:8*10-2 S/cm ‧甲醇穿透度:8*10-7 cm2/sec ‧膨潤性:40-60wt% ‧耐熱性:>250℃ | 潛力預估: 攜帶型產品電力消耗與日遽增,在今日電子產品小型化、多功能化的趨勢下,對電池的要求也日漸升高。目前鋰電池的能量密度已接近發展的極限(500~600Whr/l),未來高能量密度電池之開發為目前各消費電子大...

化學鍍活化液與其化學鍍技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧化學鍍速率>0.25 ug/cm2.S ‧粒子平均粒徑<3.5 nm ‧活化粒子懸浮期>12個月 | 潛力預估: 化學鍍活化液及其化學鍍技術,為一針對未來實行化學鍍進行超薄薄膜製程與習用化學鍍活化液缺點所設計,是以金屬奈米粒子觀念為出發點,當隨粒子粒徑越小時,比表面積越高,催化活性也越強,再加上粒子表面有有機穩定...

MB-OFDM UWB Matlab Baseband Simulation Platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: - 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform。 - Group A,B,C,D,E ... | 潛力預估: 可搶攻UWB、Wireless USB等市場,極具市場潛力

O-PET光學膜配方及研製技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜透光率≧85﹪、吸水率<0.4wt%、IV>0.4、耐熱溫度≧150℃,且延伸倍率可達3倍以上。 | 潛力預估: 目前既有產品多為國外日本進口,價格昂貴,且都已鍍好ITO膜,售價達2500元 NT/m2。本技術為自行開發O-PET光學級酯粒材料及其雙軸製膜技術,自製膜材料<100元 NT/m2,而二次加工處理導電...

有機無機混成耐磨耗材料與製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 水性系統材料硬度可達: H 溶劑系統材料硬度可達: 塑膠基材可達2~3 H,玻璃基材可達5~7 H | 潛力預估: 有機無機混成材料相關技術之建立可開發具有尺寸安定、低膨脹係數、高阻水氣及氧氣、高接著性、高耐熱、高透明性及可變折射率之特性,此材料相關產品可衍生應用於於耐磨耗、抗反射之薄膜塗層開發,以及高經濟價值之多...

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 傳遞損失TE (TransverseElectric):0.47dB TM (Transverse Magnetic) : 0.51 dB/cm 極化損失(PDL): 0.03 dB(1.31) ... | 潛力預估: 此技術成果的最大效益在於發展低成本、高品質且易於大量生產製造的光通訊被動元件。有別於以往成本較高、製作過程繁瑣的傳統光通訊元件,如能以旋轉塗佈與黃光製程的製造方式取代以往的FHD+RIE製程,不僅可大...

無鹵無磷難燃複合材料技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 燃劑開發奈米混成複材基板,達到所需規格,Tg 3 150℃,Z軸膨脹率α1 £ 70 ppm/ oC, α2£ 300ppm/ oC, UL94V-0以及copper peel strength≧8 ... | 潛力預估: ‧難燃機電應用:如絕緣礙子、筆記型電腦外殼、印刷電路板,OA產品外殼等等 ‧高級建材產品:如捷運第三軌,機電工程等等

無鹵無磷高尺寸安定性奈米基板材料開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: - 難燃性UL94-V0 - Tg 3 G6 - Z軸膨脹率( 50→260℃) £ 3.5 % - Solderability( 288℃) > 5min - peel strength : 8~1... | 潛力預估: 高尺寸安定性奈米FR-4:高尺寸安定奈米FR-4之市場切入點在於取代目前high Tg基板(目前約佔FR-4之5~10%,大中華地區約30~50億NT,未來可能成長至20%,超過100億NT)。 無...

新型OLED藍色發光材料及其合成技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最終材料產品,產率 > 45 %。 光激發與電激發光譜範圍:380 ~ 470nm。 玻璃轉移溫度 > 120 ℃。 裂解溫度 > 430 ℃。 | 潛力預估: 本產品可應用於低成本FPD與平面光源,相關材料技術亦可應用於一般有機光電元件,如:太陽能電池、塑膠IC、感測元件…等。預估技術衍生之相關應用產品產值可達新台幣 50 億以上。

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