砷化鎵元件銅製程技術(國立交通大學/材料系)
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文砷化鎵元件銅製程技術(國立交通大學/材料系)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是本發明係為一具銅金屬化之複合物半導體元件，結構為異質接面雙載子電晶體(HBT)結構，當基板為砷化鎵基板時，其歐姆接觸層之材料為鈀/緒/氮化鎢/銅或鉑/鈦/鉑/銅，而金屬連接線為鈦/鉑/銅；若基板為磷化銦基板時，歐姆接觸層之材料為鈦/鉑/銅或鉑/鈦/鉑/銅，金屬連接線為鈦/鉑/銅，藉由具有較佳散熱特性..., 潛力預估是可技術移轉授權、建教合作.

序號	4361
產出年度	99
技術名稱-中文	砷化鎵元件銅製程技術(國立交通大學/材料系)
執行單位	學界科專辦公室
產出單位	(空)
計畫名稱	學界科專計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	具銅金屬化之複合物半導體元件，專利已通過 ; 台灣，證書號: I254419，有效期限: 2006/05/01~2025/04/07
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	本發明係為一具銅金屬化之複合物半導體元件，結構為異質接面雙載子電晶體(HBT)結構，當基板為砷化鎵基板時，其歐姆接觸層之材料為鈀/緒/氮化鎢/銅或鉑/鈦/鉑/銅，而金屬連接線為鈦/鉑/銅；若基板為磷化銦基板時，歐姆接觸層之材料為鈦/鉑/銅或鉑/鈦/鉑/銅，金屬連接線為鈦/鉑/銅，藉由具有較佳散熱特性之銅取代金，可增加其散熱效果，進而增加元件的可靠度。
技術成熟度	雛形
可應用範圍	砷化鎵元件及MMIC 製造
潛力預估	可技術移轉授權、建教合作
聯絡人員	張志華
電話	03-5738251
傳真	03-5131441
電子信箱	alpha@mail.nctu.edu.tw
參考網址	http://www.tlo.nctu.edu.tw
所須軟硬體設備	濺鍍及電鍍設備
需具備之專業人才	半導體相關製程人員(需要專業: 薄膜濺鍍及電鍍)
同步更新日期	2019-07-24

序號

4361

產出年度

技術名稱-中文

砷化鎵元件銅製程技術(國立交通大學/材料系)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

具銅金屬化之複合物半導體元件，專利已通過 ; 台灣，證書號: I254419，有效期限: 2006/05/01~2025/04/07

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

本發明係為一具銅金屬化之複合物半導體元件，結構為異質接面雙載子電晶體(HBT)結構，當基板為砷化鎵基板時，其歐姆接觸層之材料為鈀/緒/氮化鎢/銅或鉑/鈦/鉑/銅，而金屬連接線為鈦/鉑/銅；若基板為磷化銦基板時，歐姆接觸層之材料為鈦/鉑/銅或鉑/鈦/鉑/銅，金屬連接線為鈦/鉑/銅，藉由具有較佳散熱特性之銅取代金，可增加其散熱效果，進而增加元件的可靠度。

技術成熟度

雛形

可應用範圍

砷化鎵元件及MMIC 製造

潛力預估

可技術移轉授權、建教合作

聯絡人員

張志華

電話

03-5738251

傳真

03-5131441

電子信箱

alpha@mail.nctu.edu.tw

參考網址

http://www.tlo.nctu.edu.tw

所須軟硬體設備

濺鍍及電鍍設備

需具備之專業人才

半導體相關製程人員(需要專業: 薄膜濺鍍及電鍍)

同步更新日期

2019-07-24

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鈀/鍺/銅ｎ型摻雜砷化鎵歐姆接觸(國立交通大學/材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種化合物半導體元件之銅金屬化之歐姆接觸電極,經過電子束蒸鍍沈積鈀(Pd)層、鍺(Ge)層及銅(Cu)層於化合物半導體元件上所組成,接著利用浮離製程(Lift-off)去除多餘之金屬及光阻,最後進行快... \| 潛力預估: 可技術移轉授權、建教合作 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
攝影機參數校正方法(國立交通大學電腦視覺研發中心)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本發明為一種攝影機參數校正方法，主要是基於受到地心引力影響的運動物體對攝影機或相機進行校正。此方法首先使運動物體由於受到的地心引力影響而構成拋物線之運動軌跡、使攝影機以特定的快門速度，對在運動路徑中運... \| 潛力預估: 可技術移轉、建教合作 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
智慧型監控分析系統與方法(國立交通大學電腦視覺研發中心)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: ?本發明智慧型監控分析系統與方法，主要用來監控場所中是否存在有入侵物件(例如小偷)，並即時地把關於小偷的影像或圖像傳給相關者(例如屋主)，以提供屋主自行判定是否確實有小偷，不至於電腦誤判。在本發明系統... \| 潛力預估: 可技術移轉、建教合作 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
增進連續輸入影像時車牌偵測效能之方法及系統(國立交通大學電腦視覺研發中心)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本發明提供一種增進連續輸入影像時車牌偵測效能之方法及系統，其係透過時空特性以減少搜尋空間來達成，包括一文字邊緣偵測模組、車牌字元候選區域偵測模組及重複區域偵測模組，首先從輸入系統之影像中偵測可能的文字... \| 潛力預估: 可技術移轉、建教合作 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
用於影像擷取裝置的校正方法(國立交通大學電腦視覺研發中心)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本發明係一種用於影像擷取裝置的校正方法,乃針對單一影像擷取裝置與多台影像擷取裝置的動態校正方法,對一單一影像擷取裝置主要是利用影像特徵點位移來獲取轉動角度與傾斜角度的變化量,對於多台影像擷取裝置則再加... \| 潛力預估: 可技術移轉、建教合作 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
影像視訊融合技術於監控系統之應用(國立交通大學電腦視覺研發中心)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本發明係關於一種整合式影像監視系統，將多個攝影機的視訊整合於一大範圍的影像，並可快速平順地切換監控角度，以用來監控一區域之整合系統及其對應之方法。 \| 潛力預估: 可技術移轉、建教合作 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
移動物體偵測方法(國立交通大學電腦視覺研發中心)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本發明揭露一種移動物體偵測方法,包含提供一影像集合,影像集合至少包含具有時間序列關係的第一影像與第二影像,且第一影像早於第二影像,在第一影像的適當區域設定一偵測範圍,移動偵測範圍以形成一移動向量。藉由... \| 潛力預估: 可技術移轉、建教合作 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
利用超音波與電腦視覺偵測之自動導航裝置及其導航方法(國立交通大學電腦視覺研發中心)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本發明係揭露一種利用超音波與電腦視覺偵測之自動導航裝置及其導航方法,首先讓一使用者帶領一自動導航裝置,使自動導航裝置學習並規劃一航行路徑,接著使自動導航裝置獨立導航,且於此時可利用超音波與電腦視覺偵測... \| 潛力預估: 可技術移轉、建教合作 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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準分子雷射微結構加工技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 微結構厚度可達500um以上，加工精度可達1μm，可製造立體3D的細微結構與零組件 \| 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力
奈米濕式分散研磨技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: TiO2、ZnO等奈米粉體可分散至D(90)=90nm \| 潛力預估: 可進入奈米粉體分散應用市場
高效能鋁合金散熱元件加工技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 接合組件強度可耐12kg/cm2之壓力 \| 潛力預估: 可搶攻散熱元件市場，極具市場潛力
氫電關鍵元件材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 白金觸媒:觸媒含量20wt%Pt/C、20%Pt-10%Ru/C ，氯離子含量小於200ppm。膜電極組:白金含量小於0.5mg/cm2，功率大於0.6W/cm2。高壓儲氫桶:以HDPE為內襯，直徑... \| 潛力預估: 當石油逐漸耗竭時，以氫為能源的燃料電池，為最被看好的潔淨能源，未來大有機會取代現有發電機、電廠及電池。
奈米材料及元件檢測技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米尺度表面形貌分析技術、奈米尺度組成與結構分析技術、奈米尺度微觀組織分析技術、奈米尺度機械與物理性質分析技術。 \| 潛力預估: 奈米材料檢測技術為快速擴散奈米核心技術於各種產業的不二路徑，能使產業界的創意構想獲得立即的驗證，並藉由這些產業普遍具有完整上下游供應鏈的特性，將技術迅速轉化成產品，未來極富潛力。
複合陶瓷智慧材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 被動控制:依設計減振效果可達10%以上；主動控制:依設計減振效果可達20%以上 \| 潛力預估: 可搶攻專業型金字塔頂端消費市場如碳纖維複材自行車、網球拍、球杆等。
複層減衰吸能材料技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 吸音係數量測,500Hz吸音係數0.73, 噪音減衰係數0.81 \| 潛力預估: 可運用於環境空間中減少聲波對人體造成生心理的影響，整合不同領域的產業與材料，拓展與提昇傳統產業商機與技術。
多光域頻率選擇性技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 複合光學濾片包括電磁波屏蔽及近紅外線吸收兩項功能，電磁波屏蔽效果需符合CISPR規格B等級， T（全光域）＞ 60%，近紅外線吸收效果需符合T 800-1000nm≦10﹪(T 950nm ≦5 ﹪)... \| 潛力預估: 透明之光波與微波協效研究之應用範圍頗為廣泛，近年來在民生與國防應用上需求驟增，為一亟具開發價值之科技，值得吾人投入更多的人力及資源，作長期的開發研究計畫。
G蛋白偶聯接受體藥物技術研發	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: G蛋白偶聯接受體藥物研發二年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.HCS藥物篩選；2.每天可篩選1500-2000個；3.Cell Image Assay \| 潛力預估: 作為GPCR藥物篩選代工,爭取國際市場
肝醣貯積症第三型(GSD III)基因藥物功能分析技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 利用重組腺病毒rAd/AGL載體病毒顆粒感染GSDIII病人初級培養細胞，經肝醣含量分析等實驗結果證實，感染效率良好，且具有生物活性，顯示基因治療在細胞層次確實具有療效。 \| 潛力預估: 基因藥物遞送與檢測系統之建立
20公升規模質體DNA製程	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20公升醱酵槽平均可生產1克的質體 \| 潛力預估: 可作為非病毒性疫苗、基因治療藥物及病毒生產所需之質體
5公升規模重組腺相關病毒 (rAAV)基因載體製程與品質分析技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 5公升規模平盤細胞培養，細胞數可達1E+10，病毒力價4E+12 \| 潛力預估: 可作為遺傳性疾病基因藥物、癌症藥物
6公升規模重組腺病毒 (rAd)基因載體製程與品質分析技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 6公升規模30支RB850轉瓶細胞培養，細胞數可達1E+10，病毒力價2E+13 \| 潛力預估: 可作為防禦性疫苗、癌症藥物
基因藥物重組腺相關病毒小動物模式治療先天性心臟衰竭	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 在心臟衰竭倉鼠模式中以活體心臟注射遞送腺相關病毒基因載體，並證實所構築及生產的腺相關病毒基因載體具有療效。 \| 潛力預估: 開發治療心臟衰竭之基因治療藥物
奈米及生物礦材開發	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 以乳酸基質批式饋料系統發酵回收分離程序，磁礦石產率達23.1 mg/l/day；磁礦石粒徑介於40~100nm。 \| 潛力預估: 建立自動控制磁礦石菌發酵系統、磁礦石回收分離程序及環境調控參數，可作為工業化的操作資訊；建立壬基苯酚半抗原合成及修飾技術，作為未來發展應用抗體接合磁礦石所衍生出的環境污染物偵測用檢驗試劑。