技術名稱-中文結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統(國立中興大學社管院資管系)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是一種結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統，設計了新型態的影音光碟多次傳租模式，讓消費者多了能夠方便租片與分享的管道，使租賃光碟變得更方便，解決目前線上出租服務中消費者等待光碟寄達的時間成本以及業者付出的郵寄成本，提高影音光碟的租賃流通性。本發明提出的應用於影音光碟之數位產權管理機制是安全方便且..., 潛力預估是依據系統中執照所授權的播放限制，能夠成為一個合理的DRM機制設計，在現今提供影音光碟線上租賃服務之電子商務發展下具有更大的優勢，而更具特色的「影音光碟多次傳租」模式能提高影音光碟的租賃流通性，除了使業者成本降低以獲得更高的利益之外，並讓消費者多了能夠方便租片與分享的管道，因此我們的線上影音光碟租賃系....
| 序號 | 3698 |
| 產出年度 | 99 |
| 技術名稱-中文 | 結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統(國立中興大學社管院資管系) |
| 執行單位 | 學界科專辦公室 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 學界科專計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 已申請專利 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 一種結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統，設計了新型態的影音光碟多次傳租模式，讓消費者多了能夠方便租片與分享的管道，使租賃光碟變得更方便，解決目前線上出租服務中消費者等待光碟寄達的時間成本以及業者付出的郵寄成本，提高影音光碟的租賃流通性。本發明提出的應用於影音光碟之數位產權管理機制是安全方便且合理的，保障了出租光碟內容的安全，目標是達到租賃業者與消費者雙贏的設計。 |
| 技術成熟度 | 概念 |
| 可應用範圍 | 「導入RFID奠定可判斷影音光碟與執照真偽之基礎」、「執照的安全性」、「影音播放設備與影音光碟的相互驗證」、「達成限制播放設備與次數的DRM運作模式」、「驗證執照的有效性」 |
| 潛力預估 | 依據系統中執照所授權的播放限制，能夠成為一個合理的DRM機制設計，在現今提供影音光碟線上租賃服務之電子商務發展下具有更大的優勢，而更具特色的「影音光碟多次傳租」模式能提高影音光碟的租賃流通性，除了使業者成本降低以獲得更高的利益之外，並讓消費者多了能夠方便租片與分享的管道，因此我們的線上影音光碟租賃系統不僅能確保租賃影音光碟內容的安全性，並使租賃光碟變得更方便，確實是對消費者與租賃業者而言雙贏的一套設計。 |
| 聯絡人員 | 陳育毅老師 |
| 電話 | (04)-22851811 |
| 傳真 | (04)-22851672 |
| 電子信箱 | tlo@nchu.edu.tw |
| 參考網址 | http://caic.nchu.edu.tw/GroupIndex.aspx?SystemGroupCode=SG01 |
| 所須軟硬體設備 | 無資料 |
| 需具備之專業人才 | RFID應用系統開發能力、與光碟租賃業者合作 |
| 同步更新日期 | 2024-09-03 |
序號3698 |
產出年度99 |
技術名稱-中文結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統(國立中興大學社管院資管系) |
執行單位學界科專辦公室 |
產出單位(空) |
計畫名稱學界科專計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文已申請專利 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格一種結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統，設計了新型態的影音光碟多次傳租模式，讓消費者多了能夠方便租片與分享的管道，使租賃光碟變得更方便，解決目前線上出租服務中消費者等待光碟寄達的時間成本以及業者付出的郵寄成本，提高影音光碟的租賃流通性。本發明提出的應用於影音光碟之數位產權管理機制是安全方便且合理的，保障了出租光碟內容的安全，目標是達到租賃業者與消費者雙贏的設計。 |
技術成熟度概念 |
可應用範圍「導入RFID奠定可判斷影音光碟與執照真偽之基礎」、「執照的安全性」、「影音播放設備與影音光碟的相互驗證」、「達成限制播放設備與次數的DRM運作模式」、「驗證執照的有效性」 |
潛力預估依據系統中執照所授權的播放限制，能夠成為一個合理的DRM機制設計，在現今提供影音光碟線上租賃服務之電子商務發展下具有更大的優勢，而更具特色的「影音光碟多次傳租」模式能提高影音光碟的租賃流通性，除了使業者成本降低以獲得更高的利益之外，並讓消費者多了能夠方便租片與分享的管道，因此我們的線上影音光碟租賃系統不僅能確保租賃影音光碟內容的安全性，並使租賃光碟變得更方便，確實是對消費者與租賃業者而言雙贏的一套設計。 |
聯絡人員陳育毅老師 |
電話(04)-22851811 |
傳真(04)-22851672 |
電子信箱tlo@nchu.edu.tw |
參考網址http://caic.nchu.edu.tw/GroupIndex.aspx?SystemGroupCode=SG01 |
所須軟硬體設備無資料 |
需具備之專業人才RFID應用系統開發能力、與光碟租賃業者合作 |
同步更新日期2024-09-03 |
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(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 04 -22851811 ...) | 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種發光元件模組的製作方法，包含(a)準備磊晶用基材，(b)在基材表面形成犧牲層，(c)在犧牲層上形成與犧牲層具有高蝕刻選擇比的磊晶層，(d)定義出多數彼此間隔且交錯排列並將磊晶層界定出多數發光單元的... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶用基板的製造方法，包含以下步驟製備一磊晶用基材，並自基材沉積一犧牲膜，接著自犧牲膜成長一第一半導體磊晶膜，基材在發光元件的後續製程將被移除，犧牲膜呈圖樣化且包括複數第一通道及複數分別由一奈米材... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統，利用RFID以實施盤點效率更佳、更精確、更安全的存貨監控機制。零售通路必須實施良好的存貨控管才能反應實際上的銷售利潤，本發明提出的存貨監控模式可發揮... | 潛力預估: 就目前來說RFID仍有價格上的考量，若要推廣至較屬於低價的一般零售業，會有不少的困難，但是就長遠的市場來說，先以高價商品如3C專賣店或是精品店為現行目標，配合RFID的發展進程，逐漸朝向普遍性零售業來... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種氮雜環-2,4-雙酮系化合物係具有如下式(I)所示的化學式：其中，R1與R2各自是一C1至C6的烷基；R3是 -CH3、-COOH或-COCl。此外，以本發明氮雜環-2,4-雙酮系化合物作為起始物... | 潛力預估: 無資料 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種發光元件模組的製作方法，包含(a)準備磊晶用基材，(b)在基材表面形成犧牲層，(c)在犧牲層上形成與犧牲層具有高蝕刻選擇比的磊晶層，(d)定義出多數彼此間隔且交錯排列並將磊晶層界定出多數發光單元的... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶用基板的製造方法，包含以下步驟製備一磊晶用基材，並自基材沉積一犧牲膜，接著自犧牲膜成長一第一半導體磊晶膜，基材在發光元件的後續製程將被移除，犧牲膜呈圖樣化且包括複數第一通道及複數分別由一奈米材... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統，利用RFID以實施盤點效率更佳、更精確、更安全的存貨監控機制。零售通路必須實施良好的存貨控管才能反應實際上的銷售利潤，本發明提出的存貨監控模式可發揮... | 潛力預估: 就目前來說RFID仍有價格上的考量，若要推廣至較屬於低價的一般零售業，會有不少的困難，但是就長遠的市場來說，先以高價商品如3C專賣店或是精品店為現行目標，配合RFID的發展進程，逐漸朝向普遍性零售業來... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種氮雜環-2,4-雙酮系化合物係具有如下式(I)所示的化學式：其中，R1與R2各自是一C1至C6的烷基；R3是 -CH3、-COOH或-COCl。此外，以本發明氮雜環-2,4-雙酮系化合物作為起始物... | 潛力預估: 無資料 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會 |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 ＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 Db | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊頻段:S-頻段 ＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256
Pitch : 30um
RoA > 1.E5Ohm-cm2
漏電流 < 1nA (負偏壓250mV)
接合良率 > 99.9%
操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Structure : IDCA RDU
Life time > 5年
Cool-down time < 6分鐘
Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測波段 : 3-5um
量子效率 > 50%
NETD < 30mK
IDCA RDU
致冷器冷卻能力 > 0.5W
MTBF > 4000小時
訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能
輸... | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 | 潛力預估: 96-100年：陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 整體重量:<5Kg，電子通道:1.0mmΦ以下，電子數據焦半徑:0.8mmΦ以下，聚焦週期:10個。週期聚焦峰值:3000Gauss，陰極表面磁通密度:小於10Gauss | 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 須符合軍規組裝測試 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 軍用大型化鋁合金擠型材成品公差應符合ANSI-H35.2， 擠製成品之機械性質應抗拉強度大於400MPa， 降伏強度大於350MPa伸長率大於8%以上。 | 潛力預估: 可取代傳統鋼質結構材之各種成品 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 具備鎔鑄高品質鋁擠棒鎔鑄技術，其非金屬夾雜物含量需低於0.15mm2/kgAl， 含氫量需低於0.18cc/100g Al， 成品率達80%。 | 潛力預估: 可提供高強度型材之上游原料 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 25 ~ 600C範圍內之熱膨脹係數達到11um/mC， 抗拉強度達100Mpa以上。 | 潛力預估: 可提供功能性材料應用 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會 |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 ＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 Db | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊頻段:S-頻段 ＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256
Pitch : 30um
RoA > 1.E5Ohm-cm2
漏電流 < 1nA (負偏壓250mV)
接合良率 > 99.9%
操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Structure : IDCA RDU
Life time > 5年
Cool-down time < 6分鐘
Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測波段 : 3-5um
量子效率 > 50%
NETD < 30mK
IDCA RDU
致冷器冷卻能力 > 0.5W
MTBF > 4000小時
訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能
輸... | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 | 潛力預估: 96-100年：陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 整體重量:<5Kg，電子通道:1.0mmΦ以下，電子數據焦半徑:0.8mmΦ以下，聚焦週期:10個。週期聚焦峰值:3000Gauss，陰極表面磁通密度:小於10Gauss | 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 須符合軍規組裝測試 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 軍用大型化鋁合金擠型材成品公差應符合ANSI-H35.2， 擠製成品之機械性質應抗拉強度大於400MPa， 降伏強度大於350MPa伸長率大於8%以上。 | 潛力預估: 可取代傳統鋼質結構材之各種成品 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 具備鎔鑄高品質鋁擠棒鎔鑄技術，其非金屬夾雜物含量需低於0.15mm2/kgAl， 含氫量需低於0.18cc/100g Al， 成品率達80%。 | 潛力預估: 可提供高強度型材之上游原料 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 25 ~ 600C範圍內之熱膨脹係數達到11um/mC， 抗拉強度達100Mpa以上。 | 潛力預估: 可提供功能性材料應用 |
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