斷層應力量測分析技術
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技術名稱-中文斷層應力量測分析技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是99, 計畫名稱是軟性電子設備及模組技術開發三年計畫, 技術規格是(1)縱向空間解析度:<0.5 μm (2)應力方向解析度:<0.1度 (3)相位解析度:<0.5 nm, 潛力預估是可提供軟電產業及相關產業內層結構應力分析之功能、目前並無市售產品、因此預估每年有千萬元以上的產值效益。.

序號3857
產出年度99
技術名稱-中文斷層應力量測分析技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱軟性電子設備及模組技術開發三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以輕、薄為訴求的軟性顯示器,對於斷層技術深度解析要求較高,本技術藉由現行斷層手段進行分析與技術突破,成功建立檢測軟性顯示器斷層應力分析技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(1)縱向空間解析度:<0.5 μm (2)應力方向解析度:<0.1度 (3)相位解析度:<0.5 nm
技術成熟度雛形
可應用範圍可應用於多層結構形貌及應力量測
潛力預估可提供軟電產業及相關產業內層結構應力分析之功能、目前並無市售產品、因此預估每年有千萬元以上的產值效益。
聯絡人員楊富程
電話03-5743882
傳真03-5722383
電子信箱FuShiangYang@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/index.asp?RootNodeId=040&NodeId=040
所須軟硬體設備精密移動平台、高速掃描鏡組
需具備之專業人才機械、物理、光電背景專業
同步更新日期2019-07-24

序號

3857

產出年度

99

技術名稱-中文

斷層應力量測分析技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

軟性電子設備及模組技術開發三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

以輕、薄為訴求的軟性顯示器,對於斷層技術深度解析要求較高,本技術藉由現行斷層手段進行分析與技術突破,成功建立檢測軟性顯示器斷層應力分析技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

(1)縱向空間解析度:<0.5 μm (2)應力方向解析度:<0.1度 (3)相位解析度:<0.5 nm

技術成熟度

雛形

可應用範圍

可應用於多層結構形貌及應力量測

潛力預估

可提供軟電產業及相關產業內層結構應力分析之功能、目前並無市售產品、因此預估每年有千萬元以上的產值效益。

聯絡人員

楊富程

電話

03-5743882

傳真

03-5722383

電子信箱

FuShiangYang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/index.asp?RootNodeId=040&NodeId=040

所須軟硬體設備

精密移動平台、高速掃描鏡組

需具備之專業人才

機械、物理、光電背景專業

同步更新日期

2019-07-24

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全域式斷層應力量測分析技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測面積:50 mm×50 mm spot size:50μm 應力方向解析度:<0.1度 應力量測解析度:1 MPa @PI材質 應力量測範圍:10~3000 MPa | 潛力預估: 關鍵技術可以應用於斷層結構掃描等應用

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高密度通道光譜影像儀及分析技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 波長範圍350 nm 至 850 nm,波長解析度小於3 nm。 | 潛力預估: 可取代單通道光譜儀,以提高量測速度。

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透明材質全域式應力檢測技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 橫向解析度:20 μm; 相位解析度 < 1 nm; 相位量測範圍:10~300 nm | 潛力預估: 可應用於大面積應力量測及分析

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全域式應力量測系統(量測中心產出)

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)相位解析度 | 潛力預估: 可提供全區域應力大小及方向之定量資訊,此系統感度高可偵測低光彈系數之材料並可測出微小應力,可因應產品薄化面積大化之品質監控需求。

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橢偏影像量測技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1、空間解析度: ≦5μm 2、可調頻寬範圍: ≦100nm 3、檢測基材: LTSP | 潛力預估: 關鍵技術可應用於材料缺陷檢測等應用

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影像式有機薄膜厚度均勻性檢測模組技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 空間解析度:≦5μm 厚度量測重複性: ≦1% 檢測膜材:Organic Film | 潛力預估: 關鍵技術可應用於材料厚度均勻性與缺陷檢測等應用

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多層薄膜脫層缺陷檢測技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 1.缺陷種類:脫層(Delamination)、分析產生的區域 2.空間解析度:≦ 10μm | 潛力預估: 本項技術為影像式非接觸式脫層檢測技術,可快速非破壞的優勢分析脫層問題。

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高純度電子用鋁素箔製程技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 250V以下鋁電解電容器陽極板用鋁箔之鑄胚連鑄、99.8→99.99%鋁純化、軋延至100μm製程技術 | 潛力預估: 品質與日系商品箔相當。

高精細金屬精密蝕刻技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: OLED用金屬罩規格為具有最小孔距0.03mm與0.225mm×0.070mm開口之超高精細度網罩。 | 潛力預估: 開發出獨特並具有專利智權的Dynode強化場發射照明或顯示系統元件與其相關材料技術,並建立自主之CDT網罩製作技術、OLED熱蒸鍍Metal Mask製作技術、平面顯示器高精度電子增益零件製作技術等...

塑膠光纖單芯雙向連接器設計

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 單蕊雙向塑膠光纖連接器收發模組,中心主波長為650nm,傳輸量在200Mbps。包括收發電路、光學機構及整合等工作。 | 潛力預估: 在國內寬頻產業逐漸萌芽之際,連接器產業若能藉由此計劃建立產業之塑膠光纖連接器之設計技術,適時切入市場技術,對產業在未來寬頻光纖連接器產品之發開技術上,將大有助益。

高導熱碳纖維強化鋁基複合材料成形技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 碳纖維強化碳基複合材料, 熱傳導率可達654 W/m.K(纖維方向)以上高於純銅, 密度在1.75 g/cm3左右,熱膨脹係數則在6.65 ppm/K(纖維方向),其中碳纖維強化的體積分率達63%。利... | 潛力預估: 高導熱碳纖維複合材料可解決未來熱管理產業對高導熱散熱材料的需求, 同時達到輕量化小型化及構裝上低熱膨脹係數的設計需求,協助國內散熱產業切入中高階的散熱模組市場,擴大市場規模。

多元高熵合金熔鑄與鍛壓技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.設計5-7元高熵合金組成配方,以大氣感應熔煉(IF)開發10kg級鑄胚。 2.以Gleeble熱加工模擬研究最佳固熔化與熱鍛溫度(RA%>40) 3.開模鍛造可鍛造量>50% 4.冷壓可壓延量>... | 潛力預估: 可製成高強度、耐磨、耐溫、耐蝕之刀工具、模具、機件等所用新一代合金材料。

駐極體材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 直徑:< 50mm, Response Frequency:>10kHz, Response Sensitivity :>80dB | 潛力預估: 建立駐電型複合材料結構相關製程加工技術及駐極体材料評估分析方法,以提昇電聲產品之性能以增加產品附加價值,促使我國產業能深入3C產品領域。

超高機能表面材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸24”x24” | 潛力預估: 增加廠商相關技術之進步,並提昇其產品之良率與國際競爭力。

輕量化高分子複材先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗佈技術規格:模厚40 mm ± 10%,預浸材規格:FAW = 100 g/m2,樹脂含量35~37%,耐衝擊性提升10 % | 潛力預估: 預估國內複合材料在運動器材之應用需求超過 5000噸 / 年,可增加複材相關產業產值20億台幣以上。輕量化高分子複材,可提升複材之材料性能,提高產品設計之自由度。對應用產品之輕量化及提高附加價值均有...

高應答速度液晶材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 其他液晶參數:Δn = 0.1561,γ1 /κ11 =7.8 ,κ11 =1.15 e-11,γ1 = 90,FOM = 3.1,Vth = 1.74 V | 潛力預估: 建立我國液晶材料配製、光電特性量測、評估技術能力;促成國內液晶顯示器產業垂直整合的完整性、技術開發完成攻佔市場後可搶佔數10億元以上之的收益。

新型配向材料技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 水平pre-tilt photo-tuned 0~10度,垂直pre-tilt photo-tuned 80~90度 | 潛力預估: 可促進產值達50億元以上

低溫硬化互連導電材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: B-stage 反應性為 T onset= 112.6℃; gel time@150℃: 8sec;熱膨脹係數降低至43ppm/℃,Tg仍具有165℃; 接合壓力: 100-150/bump; 接合時... | 潛力預估: 15億新台幣

電容去離子奈米複合碳電極材料開發

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米複合碳電極材料具高放電電容量> 100 F/g;CDI去除率> 250 ppm/次 | 潛力預估: 以商品化電化學電容器碳材為例,其最大放電電容量僅約100 F/g,目前材料所針對商用碳材以奈米一維材料表面修飾,可得一中孔性奈米結構碳材,其電容量可增加25~40%,預期其市場接受性高,且目前並無相...

奈米可見光光觸媒材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)摻有奈米氧化鋅粉(0.2wt.%)之大腸桿菌培養液在可見光(波長543nm/強度1500Lux)照射6小時後,細菌數目減少至原來之0.1%以下;(2)根據ASTM G21-96測試對黑麴黴菌(A... | 潛力預估: 根據日本工業新聞的統計,2000年時日本光觸媒的年產值為70億日圓。預估到2005年時,日本的光觸媒產值將達100億日圓,約有新台幣28億元。 使用光觸媒作為殺菌、消臭、防污的觀念,在日本已經十分普...

超薄型塗佈技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度£0.5μm、厚度均勻度395%, 塗佈寬度3300mm | 潛力預估: 本技術可增進國內廠商建立上游材料的製作技術,建立如觸控面板、增亮膜、廣試角膜、抗反射膜、抗炫膜與其他光學補償膜等等,如果本土材料產業成功的話,可提供下游就近的材料提供與成本競爭力,預期可以有很大的產業...

計量式精密塗佈技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度介於1~100μm之間、厚度均勻度395% | 潛力預估: 舉凡各種光學膜,如彩色光阻、廣視角膜、增亮膜、偏光膜、補償膜、擴散片、塑膠基板及電池極板之製作,皆與「精密塗佈技術」為核心之關鍵技術互相牽連在一起,如有相關技術之建立,可促成工業供應鏈的齊全

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高精細金屬精密蝕刻技術

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塑膠光纖單芯雙向連接器設計

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