軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 @ 政府開放資料
軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 - 搜尋結果總共有 213 筆政府開放資料，以下是 1 - 20 [第 1 頁]。
微圖樣堆疊成形製程與成膜技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)區域化堆疊成形面積：100 mm×100 mm (2)堆疊速率：100 nm/min (3)分佈均勻度：≧ 80% (4)表面均勻度：< 1μm (5)R2R複合循邊模組精度：±40μm@1~8... | 潛力預估: 本微圖樣堆疊成形製程技術所製備之TiO2軟性薄膜可結合太電中心技術,進行太陽能電池封裝製程研發;而已開發之複合循邊模組精度性能高，未來可提供軟性電子設備及軟性顯示器在其R2R設備之高精度循邊需求。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
軟性基板雷射圖案製程技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)Material : ITO/PET (2)Web width : 500mm (max.) (3)Focus spot size : 10~40um (4)Pattern speed > 60... | 潛力預估: 關鍵技術可以應用於軟性基板微細加工製程，如觸控面板、軟性顯示器、軟性電子、軟性太陽能等新興產品，可以建立國內關鍵自主技術，預估每年可有數億以上的衍生效益。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
低應力複合阻氣膜設備技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)鍍膜面積：200mm×200mm (2)膜厚均勻度：±10％@200nm (3)殘留應力：＜0.1GPa (4)阻水氣率(WVTR)：＜5×10^(-3)g/m^2/day(1 pair) (5... | 潛力預估: 與P-ZnO鍍膜技術結合可以CVD方式製作透明電晶體，應用於透明TFT與全透視面板 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
先進製程R2R功能性模組技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 結合定張力傳輸(＜0.4kgf)、精密對位(±20μm)、均力貼合模組(夾壓波動＜±0.5kgf )與非接觸式滾輪等技術，有效提高製程精度並提升產品品質。 | 潛力預估: 可結合各功能性模組，應用於高精度R2R製程設備。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
多層膜製程精密對位與自動校正技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.多頻道視覺對位：2~6支CCD 2.對位精度：±5~20μm 3.影像伺服閉迴路控制技術 4.3軸同動空間誤差補償技術 | 潛力預估: 應用此技術於FPD、FPCB、晶圓、LED、軟性電子、觸控面板等製程,頗具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
R2R貼合設備技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (a)貼合面積30×20 cm^2 (b)貼合壓力控制精度±0.3 kg (0~20 kg) (c)循邊貼合精度±60 μm@1 m/min@3 kgf | 潛力預估: 本項R2R貼合設備技術可適用於軟性基板進行貼合時之運用，目前軟性電子蓬勃發展，如電子紙、觸控面板、軟性電池…等，本技術具備支援該等產品生產必須之能量。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
低應力複合阻氣膜製程設備技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (a)鍍膜面積：370 mm×470 mm (b)膜厚均勻度：±7％@200 nm (c)殘留應力：＜0.05 GPa (d)阻水氣率WVTR：＜5×10-5 g/ m2/day(＜3 pairs) | 潛力預估: 可以CVD方式製作高載子傳輸特性之矽通道層，應用於TFT電晶體上，未來可提供軟性電子元件驅動之需求。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
低應力複合阻氣膜技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (a)鍍膜面積：370 mm×470 mm (b)膜厚均勻度：±5％@200 nm (c)殘留應力：＜0.05 GPa (d)阻水氣率WVTR：＜5×10-6 g/ m2/day(＜3 pairs) | 潛力預估: 採用具高密度電漿CVD方式製作高載子傳輸特性之矽通道層，應用於TFT電晶體上，未來可提供軟性電子元件驅動之需求。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
透明材質缺陷與精微形貌檢測技術(量測中心產出) | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)三維深度量測範圍：20μm (2)三維深度量測解析度：5 nm (3)三維深度量測速率：4 sec/point | 潛力預估: 對於需要高速/高精確度線上品質監控之產品, 本技術皆能提供有效之solution, 進而提升產品之品質. @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
精密印刷設備技術 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 印刷膜厚均勻性: ±10%@15～20μm 印刷面積：300*300mm2 印刷循環時間: 10秒/次 | 潛力預估: 協助國內印刷設備業提昇功能性印刷技術能量，促進軟性電子設備業投資。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
R2R印刷製程技術 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 印刷膜厚均勻性: ±10%@15∼20μm 印刷面積：300*300mm2 印刷循環時間: 10秒/次 | 潛力預估: 協助國內印刷設備業提昇功能性印刷技術能量，促進軟性電子設備業投資。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
微接觸印刷印製軟性有機薄膜電晶體的方法 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)室溫、大氣環境下轉印精度可以達到的最小尺寸（width，pitch）=（5μm，10μm） (2)電晶體元件厚度小於1μm. | 潛力預估: 此技術可運用於軟性電子元件,且預估2015年全球產值將達237億美元規模 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
雷射同軸視覺與聚焦模組技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (a)雷射應用波段：355 nm~1064 nm (b)Fθ掃描範圍≧100 mm*100 mm (c)影像光學放大倍率：0.5X~4X(可客製化設計) (d)可支援內同軸光設計 | 潛力預估: 關鍵技術可以應用於軟性基板微細加工製程，如觸控面板、軟性顯示器、軟性電子、軟性太陽能等新興產品，可以建立國內關鍵自主技術，預估每年可有數億以上的衍生效益。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
雷射光罩掃描軟板圖案技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (a)平頂型掃描鏡組：掃描範圍25 mm x 25 mm @單發雷射加工圖案面積2.5 mmx2.5 mm (b)平頂型掃描鏡組：雷射掃描線速度＞1,000 mm/sec@掃描範圍25 mmx25 m... | 潛力預估: 關鍵技術可以應用於軟性基板微細加工製程，如觸控面板、軟性顯示器、軟性電子、軟性太陽能等新興產品，可以建立國內關鍵自主技術，預估每年可有數億以上的衍生效益。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
軟性基板捲對捲傳輸技術 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.web寬度:300mm 2.循邊精度:±100μm 3.張力控制範圍:1~4.5kgf 4.張力變化量 | 潛力預估: 取代進口設備1.5億元/年；創造產值0.5億元/年；並提升R2R製程自動化能力。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
Bank 缺陷檢測技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)檢測寬度：300 mm (2)連續檢測速率：6 m/min (3)Bank & TCO對位精度：3μm (4)檢測高度範圍：100 μm (5)Bank高度檢測解析度：0.3μm (6)Bank... | 潛力預估: 關鍵技術可以應用於軟性基板捲對捲製程中之檢測，如觸控面板、軟性顯示器、軟性電子、軟性太陽能等新興產品，可以建立國內關鍵自主技術，預估每年可有數億以上的衍生效益。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
軟性基材表面瑕疵光學自動量測技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: ˙檢測精度：5um ˙檢出項目：膠橋接、溢膠合著、Pattern 缺印 、Pattern 缺損。 | 潛力預估: 提昇軟性電子良率20%以上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電致變色製程/節能膜技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (a)軟性薄膜面積：60 cm×50 cm (b)驅動電壓：±5 v (c)切換速度：25 sec/ A3 (d)紅外線穿透率：~5% (著色態) (e)可見光穿透率：~70% (去色態) (f)耐溫... | 潛力預估: 電致變色元件整體應用預估有100億商機 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
無機薄膜封裝技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.鍍膜之有效成膜區為370*470mm 2.膜厚之均勻度 ±5% 3.鍍膜後表面粗糙度 Ra=5nm 4.使用電漿電源為 RF/ Pulsed DC | 潛力預估: 國內無此項設備技術,將此開發之技術結合國內設備業者,可應用於OLED,PVD或CIGS蒸鍍設備產業,創造台灣自主技術之建立. @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
捲軸式軟性材料真空系統 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 軟板厚度: 20~250μm 有效幅寬: 300mm 真空底壓: | 潛力預估: 設備廠值每年3億元以上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
微圖樣堆疊成形製程與成膜技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)區域化堆疊成形面積：100 mm×100 mm (2)堆疊速率：100 nm/min (3)分佈均勻度：≧ 80% (4)表面均勻度：< 1μm (5)R2R複合循邊模組精度：±40μm@1~8... | 潛力預估: 本微圖樣堆疊成形製程技術所製備之TiO2軟性薄膜可結合太電中心技術,進行太陽能電池封裝製程研發;而已開發之複合循邊模組精度性能高，未來可提供軟性電子設備及軟性顯示器在其R2R設備之高精度循邊需求。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
軟性基板雷射圖案製程技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)Material : ITO/PET (2)Web width : 500mm (max.) (3)Focus spot size : 10~40um (4)Pattern speed > 60... | 潛力預估: 關鍵技術可以應用於軟性基板微細加工製程，如觸控面板、軟性顯示器、軟性電子、軟性太陽能等新興產品，可以建立國內關鍵自主技術，預估每年可有數億以上的衍生效益。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
低應力複合阻氣膜設備技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)鍍膜面積：200mm×200mm (2)膜厚均勻度：±10％@200nm (3)殘留應力：＜0.1GPa (4)阻水氣率(WVTR)：＜5×10^(-3)g/m^2/day(1 pair) (5... | 潛力預估: 與P-ZnO鍍膜技術結合可以CVD方式製作透明電晶體，應用於透明TFT與全透視面板 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
先進製程R2R功能性模組技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 結合定張力傳輸(＜0.4kgf)、精密對位(±20μm)、均力貼合模組(夾壓波動＜±0.5kgf )與非接觸式滾輪等技術，有效提高製程精度並提升產品品質。 | 潛力預估: 可結合各功能性模組，應用於高精度R2R製程設備。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
多層膜製程精密對位與自動校正技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.多頻道視覺對位：2~6支CCD 2.對位精度：±5~20μm 3.影像伺服閉迴路控制技術 4.3軸同動空間誤差補償技術 | 潛力預估: 應用此技術於FPD、FPCB、晶圓、LED、軟性電子、觸控面板等製程,頗具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
R2R貼合設備技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (a)貼合面積30×20 cm^2 (b)貼合壓力控制精度±0.3 kg (0~20 kg) (c)循邊貼合精度±60 μm@1 m/min@3 kgf | 潛力預估: 本項R2R貼合設備技術可適用於軟性基板進行貼合時之運用，目前軟性電子蓬勃發展，如電子紙、觸控面板、軟性電池…等，本技術具備支援該等產品生產必須之能量。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
低應力複合阻氣膜製程設備技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (a)鍍膜面積：370 mm×470 mm (b)膜厚均勻度：±7％@200 nm (c)殘留應力：＜0.05 GPa (d)阻水氣率WVTR：＜5×10-5 g/ m2/day(＜3 pairs) | 潛力預估: 可以CVD方式製作高載子傳輸特性之矽通道層，應用於TFT電晶體上，未來可提供軟性電子元件驅動之需求。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
低應力複合阻氣膜技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (a)鍍膜面積：370 mm×470 mm (b)膜厚均勻度：±5％@200 nm (c)殘留應力：＜0.05 GPa (d)阻水氣率WVTR：＜5×10-6 g/ m2/day(＜3 pairs) | 潛力預估: 採用具高密度電漿CVD方式製作高載子傳輸特性之矽通道層，應用於TFT電晶體上，未來可提供軟性電子元件驅動之需求。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
透明材質缺陷與精微形貌檢測技術(量測中心產出)執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)三維深度量測範圍：20μm (2)三維深度量測解析度：5 nm (3)三維深度量測速率：4 sec/point | 潛力預估: 對於需要高速/高精確度線上品質監控之產品, 本技術皆能提供有效之solution, 進而提升產品之品質. @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
精密印刷設備技術執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 印刷膜厚均勻性: ±10%@15～20μm 印刷面積：300*300mm2 印刷循環時間: 10秒/次 | 潛力預估: 協助國內印刷設備業提昇功能性印刷技術能量，促進軟性電子設備業投資。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
R2R印刷製程技術執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 印刷膜厚均勻性: ±10%@15∼20μm 印刷面積：300*300mm2 印刷循環時間: 10秒/次 | 潛力預估: 協助國內印刷設備業提昇功能性印刷技術能量，促進軟性電子設備業投資。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
微接觸印刷印製軟性有機薄膜電晶體的方法執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)室溫、大氣環境下轉印精度可以達到的最小尺寸（width，pitch）=（5μm，10μm） (2)電晶體元件厚度小於1μm. | 潛力預估: 此技術可運用於軟性電子元件,且預估2015年全球產值將達237億美元規模 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
雷射同軸視覺與聚焦模組技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (a)雷射應用波段：355 nm~1064 nm (b)Fθ掃描範圍≧100 mm*100 mm (c)影像光學放大倍率：0.5X~4X(可客製化設計) (d)可支援內同軸光設計 | 潛力預估: 關鍵技術可以應用於軟性基板微細加工製程，如觸控面板、軟性顯示器、軟性電子、軟性太陽能等新興產品，可以建立國內關鍵自主技術，預估每年可有數億以上的衍生效益。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
雷射光罩掃描軟板圖案技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (a)平頂型掃描鏡組：掃描範圍25 mm x 25 mm @單發雷射加工圖案面積2.5 mmx2.5 mm (b)平頂型掃描鏡組：雷射掃描線速度＞1,000 mm/sec@掃描範圍25 mmx25 m... | 潛力預估: 關鍵技術可以應用於軟性基板微細加工製程，如觸控面板、軟性顯示器、軟性電子、軟性太陽能等新興產品，可以建立國內關鍵自主技術，預估每年可有數億以上的衍生效益。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
軟性基板捲對捲傳輸技術執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.web寬度:300mm 2.循邊精度:±100μm 3.張力控制範圍:1~4.5kgf 4.張力變化量 | 潛力預估: 取代進口設備1.5億元/年；創造產值0.5億元/年；並提升R2R製程自動化能力。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
Bank 缺陷檢測技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)檢測寬度：300 mm (2)連續檢測速率：6 m/min (3)Bank & TCO對位精度：3μm (4)檢測高度範圍：100 μm (5)Bank高度檢測解析度：0.3μm (6)Bank... | 潛力預估: 關鍵技術可以應用於軟性基板捲對捲製程中之檢測，如觸控面板、軟性顯示器、軟性電子、軟性太陽能等新興產品，可以建立國內關鍵自主技術，預估每年可有數億以上的衍生效益。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
軟性基材表面瑕疵光學自動量測技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: ˙檢測精度：5um ˙檢出項目：膠橋接、溢膠合著、Pattern 缺印 、Pattern 缺損。 | 潛力預估: 提昇軟性電子良率20%以上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電致變色製程/節能膜技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (a)軟性薄膜面積：60 cm×50 cm (b)驅動電壓：±5 v (c)切換速度：25 sec/ A3 (d)紅外線穿透率：~5% (著色態) (e)可見光穿透率：~70% (去色態) (f)耐溫... | 潛力預估: 電致變色元件整體應用預估有100億商機 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
無機薄膜封裝技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.鍍膜之有效成膜區為370*470mm 2.膜厚之均勻度 ±5% 3.鍍膜後表面粗糙度 Ra=5nm 4.使用電漿電源為 RF/ Pulsed DC | 潛力預估: 國內無此項設備技術,將此開發之技術結合國內設備業者,可應用於OLED,PVD或CIGS蒸鍍設備產業,創造台灣自主技術之建立. @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
捲軸式軟性材料真空系統執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 軟板厚度: 20~250μm 有效幅寬: 300mm 真空底壓: | 潛力預估: 設備廠值每年3億元以上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |