微透鏡表面檢測技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文微透鏡表面檢測技術的執行單位是中科院材料所, 產出年度是99, 計畫名稱是光電感測辨識模組與應用技術計畫, 技術規格是微透鏡之口徑、曲率半徑及表面輪廓之非接觸式自動化光學檢測，量測誤差小於1%。, 潛力預估是提供光學元件表面輪廓之非接觸式自動化光學量測。.
| 序號 | 4015 |
| 產出年度 | 99 |
| 技術名稱-中文 | 微透鏡表面檢測技術 |
| 執行單位 | 中科院材料所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 光電感測辨識模組與應用技術計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 本系統利用菲索干涉儀原理與顯微干涉技術，建構光學微透鏡表面輪廓檢測裝，並利用影像處理技術，自動化檢測及分析微透鏡陣列之表面輪廓資訊。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 微透鏡之口徑、曲率半徑及表面輪廓之非接觸式自動化光學檢測，量測誤差小於1%。 |
| 技術成熟度 | 雛形 |
| 可應用範圍 | 可應用於微透鏡曲率半徑之檢測、微透鏡表面輪廓之檢測。 |
| 潛力預估 | 提供光學元件表面輪廓之非接觸式自動化光學量測。 |
| 聯絡人員 | 葉茂勳 |
| 電話 | 03-4712201轉357174 |
| 傳真 | 03-4711024 |
| 電子信箱 | csist_mrdc@csnet.gov.tw |
| 參考網址 | http://無。 |
| 所須軟硬體設備 | 高倍率取像鏡頭、顯微干涉裝置、影像處理軟硬體及個人電腦等。 |
| 需具備之專業人才 | 光學設計分析軟體、機構設計軟體 |
| 同步更新日期 | 2024-09-03 |
序號4015 |
產出年度99 |
技術名稱-中文微透鏡表面檢測技術 |
執行單位中科院材料所 |
產出單位(空) |
計畫名稱光電感測辨識模組與應用技術計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文本系統利用菲索干涉儀原理與顯微干涉技術，建構光學微透鏡表面輪廓檢測裝，並利用影像處理技術，自動化檢測及分析微透鏡陣列之表面輪廓資訊。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格微透鏡之口徑、曲率半徑及表面輪廓之非接觸式自動化光學檢測，量測誤差小於1%。 |
技術成熟度雛形 |
可應用範圍可應用於微透鏡曲率半徑之檢測、微透鏡表面輪廓之檢測。 |
潛力預估提供光學元件表面輪廓之非接觸式自動化光學量測。 |
聯絡人員葉茂勳 |
電話03-4712201轉357174 |
傳真03-4711024 |
電子信箱csist_mrdc@csnet.gov.tw |
參考網址http://無。 |
所須軟硬體設備高倍率取像鏡頭、顯微干涉裝置、影像處理軟硬體及個人電腦等。 |
需具備之專業人才光學設計分析軟體、機構設計軟體 |
同步更新日期2024-09-03 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電感測辨識模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 量測精度：1~3 μm | 潛力預估: 提供光學元件快速三維輪廓量測 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm；深度1.1μm；形狀誤差<0.15μm。 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術，可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術，對降低成本提升產值，有很大助益。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電感測辨識模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 量測精度：1~3 μm | 潛力預估: 提供光學元件快速三維輪廓量測 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm；深度1.1μm；形狀誤差<0.15μm。 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術，可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術，對降低成本提升產值，有很大助益。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中草藥保健產品: 小鼠巨噬細胞J774A.1吞噬能力:12.5g/ml可提昇吞噬能力2~3倍；初代淋巴細胞增生能力: 50 g/ml可增加2倍。 | 潛力預估: 中草藥保健食品約有250億元市場，利用本分析技術可以針對一些特定的保健產品進行免疫活性的篩選。 |
| 執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜?平均鏈長3-4之間，蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 以國人鈣缺乏量(僅建議量1g/d之一半)補充計算，每年需補充4140噸之鈣當量，以鈣:抑鈣沉澱胜太以1:1之比率計算，每年就有4140噸之抑鈣沉澱胜太之需求潛力。 |
| 執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長6-7之間，蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 減重食品市場150億，飼料添加物市場80-90億。 |
| 執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間，蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1（穿透）、30:1（反射）視角：穿透模式 ─ 左右100度，上下80度反應速度：25 ms | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制，且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造，及新型省電驅動法的技術，以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System，極具應用潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number：640 x 3 x480 .Pixel pitch：90 um x 120 um .Aperture ratio： 30% .Brightness：> 30... | 潛力預估: 軟體設備：LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備：雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓<25V | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中草藥保健產品: 小鼠巨噬細胞J774A.1吞噬能力:12.5g/ml可提昇吞噬能力2~3倍；初代淋巴細胞增生能力: 50 g/ml可增加2倍。 | 潛力預估: 中草藥保健食品約有250億元市場，利用本分析技術可以針對一些特定的保健產品進行免疫活性的篩選。 |
執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜?平均鏈長3-4之間，蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 以國人鈣缺乏量(僅建議量1g/d之一半)補充計算，每年需補充4140噸之鈣當量，以鈣:抑鈣沉澱胜太以1:1之比率計算，每年就有4140噸之抑鈣沉澱胜太之需求潛力。 |
執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長6-7之間，蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 減重食品市場150億，飼料添加物市場80-90億。 |
執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間，蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1（穿透）、30:1（反射）視角：穿透模式 ─ 左右100度，上下80度反應速度：25 ms | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制，且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造，及新型省電驅動法的技術，以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System，極具應用潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number：640 x 3 x480 .Pixel pitch：90 um x 120 um .Aperture ratio： 30% .Brightness：> 30... | 潛力預估: 軟體設備：LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備：雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓<25V | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
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