DSRC通訊效能測試技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文DSRC通訊效能測試技術的執行單位是車輛中心, 產出年度是99, 計畫名稱是下世代車載資通訊系統與創新應用服務技術計畫, 技術規格是1.滑行測試道南北向長度分別為1,811公尺及1,569公尺 2.滑行測試道車速可達120km/hr 3.高速周回路車速可達200km/hr 4.高速周回路總長度為3,575公尺 5.頻譜分析儀可量測6GHz以下的頻率, 潛力預估是由於目前DSRC 無線傳輸模組,相關標準已制定且正進入大規模的測試階段,需要有較公信的測試場地,將來以可成為驗證的場地。.

序號4060
產出年度99
技術名稱-中文DSRC通訊效能測試技術
執行單位車輛中心
產出單位(空)
計畫名稱下世代車載資通訊系統與創新應用服務技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本測試技術利用ARTC滑行及高速周測試道,可進行V2V及V2I的通訊效能測試,車速最高可達200 km/hr,對向車輛則可達240km/hr,可以進行通訊延遲時間及通訊漏失率的測試。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.滑行測試道南北向長度分別為1,811公尺及1,569公尺 2.滑行測試道車速可達120km/hr 3.高速周回路車速可達200km/hr 4.高速周回路總長度為3,575公尺 5.頻譜分析儀可量測6GHz以下的頻率
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍DSRC無線傳輸車載機、DSRC無線傳輸路側機。
潛力預估由於目前DSRC 無線傳輸模組,相關標準已制定且正進入大規模的測試階段,需要有較公信的測試場地,將來以可成為驗證的場地。
聯絡人員梁智能
電話04-7811222#7422
傳真04-7812336
電子信箱cnl@artc.org.tw
參考網址http://www.artc.org.tw
所須軟硬體設備頻譜分析儀、資料記錄器、通訊範圍觸發器。
需具備之專業人才無線網路傳輸、天線設計技術、通訊協定設計技術。
同步更新日期2024-09-03

序號

4060

產出年度

99

技術名稱-中文

DSRC通訊效能測試技術

執行單位

車輛中心

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代車載資通訊系統與創新應用服務技術計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本測試技術利用ARTC滑行及高速周測試道,可進行V2V及V2I的通訊效能測試,車速最高可達200 km/hr,對向車輛則可達240km/hr,可以進行通訊延遲時間及通訊漏失率的測試。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.滑行測試道南北向長度分別為1,811公尺及1,569公尺 2.滑行測試道車速可達120km/hr 3.高速周回路車速可達200km/hr 4.高速周回路總長度為3,575公尺 5.頻譜分析儀可量測6GHz以下的頻率

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

DSRC無線傳輸車載機、DSRC無線傳輸路側機。

潛力預估

由於目前DSRC 無線傳輸模組,相關標準已制定且正進入大規模的測試階段,需要有較公信的測試場地,將來以可成為驗證的場地。

聯絡人員

梁智能

電話

04-7811222#7422

傳真

04-7812336

電子信箱

cnl@artc.org.tw

參考網址

http://www.artc.org.tw

所須軟硬體設備

頻譜分析儀、資料記錄器、通訊範圍觸發器。

需具備之專業人才

無線網路傳輸、天線設計技術、通訊協定設計技術。

同步更新日期

2024-09-03

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指紋車鑰系統開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 車輛安全系統關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 指紋樣本大小: 360bytes | 潛力預估: NFC傳輸頻率:13.56MHz

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雙頻天線設計技術

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 車輛安全系統關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.依據所建立的複合式雙頻天線設計流程,進行PCB天線設計,低頻125KHz的傳輸距離可達1公尺,433MHz則至少可達5公尺。 | 潛力預估: 1.低頻天線依附在高頻天線上,除免除低頻所使用的線圈天線及電感天線,也一併減少線圈天線與電路板製作加工的成本。

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車輛慣性定位系統(ARTC)

執行單位: 車輛中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 車輛智慧化關鍵技術研發及驗證三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.電源(5V~12V) 2.操作溫度:-40℃~85℃ 3.介面:CAN BUS(車速、方向盤轉角、慣性感測器資訊)、RS-232(定位資訊) 4.車輛動態角速度 (+/- 150 degree/s... | 潛力預估: 由於目前GPS的定位需求商機非常熱絡,除了基本定位需求外,預計在未來5年內,下階段產業的定位將更精緻化,會有完整連續定位的需求。

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停車位智慧導引系統

執行單位: 車輛中心 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代車載資通訊系統與創新應用服務技術計畫 | 領域: | 技術規格: 車輛定位格式:NMEA0183 嵌入式硬體電路:dsPIC30F 介面:類比訊號,CAN Bus,USB 車載機作業系統:Windows XP 資料庫:MS SQL 操作溫度:-25℃~75℃ | 潛力預估: 未來在市區道路行駛的電動車進入一般充電站後,若要尋找充電位置時,整個停車過程就可利用本系統的輔助來完成。

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電動車動力系統監控平台(ARTC)

執行單位: 車輛中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧電動車創新研發環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: MS SQL Server 2010 NET Framework 4 IIS 7 | 潛力預估: 預計在2015年全球電動車市場預計可達500萬,台灣電動車銷售市場約可達6萬輛,因此動力系統之優劣成為車輛性能評價關鍵,故動力系統監控平台在研發初期、示範運行階段,針對車輛運行所發生之訊息進行分析與監...

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車輛診斷通訊軟體開發與測試技術

執行單位: 車輛中心 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 節能電動化車輛關鍵模組技術暨產業化發展計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 1.車輛診斷通訊協定技術:ISO 14229-1 & ISO 15765-2_x000B_ 晶片韌體系統: 英飛凌 XC2300系列 2.電腦作業系統: Windows 7 以上 3.CAN Bu... | 潛力預估: 本技術可提供符合標準之車輛診斷通訊協定軟體,再搭配網路管理技術,可提供完整的車輛網路診斷與管理服務。

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指紋車鑰系統開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 車輛安全系統關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 指紋樣本大小: 360bytes | 潛力預估: NFC傳輸頻率:13.56MHz

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雙頻天線設計技術

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 車輛安全系統關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.依據所建立的複合式雙頻天線設計流程,進行PCB天線設計,低頻125KHz的傳輸距離可達1公尺,433MHz則至少可達5公尺。 | 潛力預估: 1.低頻天線依附在高頻天線上,除免除低頻所使用的線圈天線及電感天線,也一併減少線圈天線與電路板製作加工的成本。

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車輛慣性定位系統(ARTC)

執行單位: 車輛中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 車輛智慧化關鍵技術研發及驗證三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.電源(5V~12V) 2.操作溫度:-40℃~85℃ 3.介面:CAN BUS(車速、方向盤轉角、慣性感測器資訊)、RS-232(定位資訊) 4.車輛動態角速度 (+/- 150 degree/s... | 潛力預估: 由於目前GPS的定位需求商機非常熱絡,除了基本定位需求外,預計在未來5年內,下階段產業的定位將更精緻化,會有完整連續定位的需求。

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停車位智慧導引系統

執行單位: 車輛中心 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代車載資通訊系統與創新應用服務技術計畫 | 領域: | 技術規格: 車輛定位格式:NMEA0183 嵌入式硬體電路:dsPIC30F 介面:類比訊號,CAN Bus,USB 車載機作業系統:Windows XP 資料庫:MS SQL 操作溫度:-25℃~75℃ | 潛力預估: 未來在市區道路行駛的電動車進入一般充電站後,若要尋找充電位置時,整個停車過程就可利用本系統的輔助來完成。

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電動車動力系統監控平台(ARTC)

執行單位: 車輛中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧電動車創新研發環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: MS SQL Server 2010 NET Framework 4 IIS 7 | 潛力預估: 預計在2015年全球電動車市場預計可達500萬,台灣電動車銷售市場約可達6萬輛,因此動力系統之優劣成為車輛性能評價關鍵,故動力系統監控平台在研發初期、示範運行階段,針對車輛運行所發生之訊息進行分析與監...

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車輛診斷通訊軟體開發與測試技術

執行單位: 車輛中心 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 節能電動化車輛關鍵模組技術暨產業化發展計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 1.車輛診斷通訊協定技術:ISO 14229-1 & ISO 15765-2_x000B_ 晶片韌體系統: 英飛凌 XC2300系列 2.電腦作業系統: Windows 7 以上 3.CAN Bu... | 潛力預估: 本技術可提供符合標準之車輛診斷通訊協定軟體,再搭配網路管理技術,可提供完整的車輛網路診斷與管理服務。

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肉類胜太替代用黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間,蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。

4.1吋半穿透/反射LCD 設計與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1(穿透)、30:1(反射)視角:穿透模式 ─ 左右100度,上下80度反應速度:25 ms | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制,且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造,及新型省電驅動法的技術,以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果

3-Gamma 電壓驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System,極具應用潛力

3-Gamma 電流驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓<25V | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

半穿透/反射式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

肉類胜太替代用黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間,蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。

4.1吋半穿透/反射LCD 設計與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1(穿透)、30:1(反射)視角:穿透模式 ─ 左右100度,上下80度反應速度:25 ms | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制,且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造,及新型省電驅動法的技術,以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果

3-Gamma 電壓驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System,極具應用潛力

3-Gamma 電流驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓<25V | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

半穿透/反射式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

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