增加穿隧磁阻變化率的方法(國立清華大學材料所)
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技術名稱-中文增加穿隧磁阻變化率的方法(國立清華大學材料所)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是藉由離子佈植的方法，可使穿隧磁阻變化率增加至30%以上, 潛力預估是隨著穿隧磁阻變化率的提升，磁性記憶體之發展已有雛型，但因整體結構與既有之記憶體差異甚大，故仍需加以改善。.

序號	4130
產出年度	99
技術名稱-中文	增加穿隧磁阻變化率的方法(國立清華大學材料所)
執行單位	學界科專辦公室
產出單位	(空)
計畫名稱	學界科專計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	目前應用在磁性記憶體(MRAM)上的記憶單元主要分為巨磁阻自旋閥和穿遂式磁阻兩種。巨磁阻自旋閥磁頭由於其磁阻率已可符合實際應用之需求，因此已取代了原先的異向性磁阻磁頭。穿隧式磁阻的穿隧磁阻變化率在室溫下已高達30%以上，因此穿隧式磁阻將預期將廣泛應用在磁性記憶體上。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	藉由離子佈植的方法，可使穿隧磁阻變化率增加至30%以上
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	磁記錄媒體
潛力預估	隨著穿隧磁阻變化率的提升，磁性記憶體之發展已有雛型，但因整體結構與既有之記憶體差異甚大，故仍需加以改善。
聯絡人員	賴志煌先生
電話	(03)-5715131 ex:33822
傳真	(03)-5722366
電子信箱	chlai@mx.nthu.edu.tw
參考網址	http://www.mse.nthu.edu.tw/~chlai/
所須軟硬體設備	真空濺鍍系統
需具備之專業人才	真空技術、磁性材料、材料研發與分析能力
同步更新日期	2019-07-24

序號

4130

產出年度

技術名稱-中文

增加穿隧磁阻變化率的方法(國立清華大學材料所)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

目前應用在磁性記憶體(MRAM)上的記憶單元主要分為巨磁阻自旋閥和穿遂式磁阻兩種。巨磁阻自旋閥磁頭由於其磁阻率已可符合實際應用之需求，因此已取代了原先的異向性磁阻磁頭。穿隧式磁阻的穿隧磁阻變化率在室溫下已高達30%以上，因此穿隧式磁阻將預期將廣泛應用在磁性記憶體上。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

藉由離子佈植的方法，可使穿隧磁阻變化率增加至30%以上

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

磁記錄媒體

潛力預估

隨著穿隧磁阻變化率的提升，磁性記憶體之發展已有雛型，但因整體結構與既有之記憶體差異甚大，故仍需加以改善。

聯絡人員

賴志煌先生

電話

(03)-5715131 ex:33822

傳真

(03)-5722366

電子信箱

chlai@mx.nthu.edu.tw

參考網址

http://www.mse.nthu.edu.tw/~chlai/

所須軟硬體設備

真空濺鍍系統

需具備之專業人才

真空技術、磁性材料、材料研發與分析能力

同步更新日期

2019-07-24

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磁性記錄裝置的製造方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由離子佈植的方法，使磁性記錄層形成多數間隔排列之非磁區域區與獨立的序化區域，且有效地降低鐵鉑合金之序化溫度 \| 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
磁性記錄裝置及其製造方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由離子佈植的方法，使膜間粗糙化，藉以改善記錄層之垂直異向性與矯頑場 \| 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
垂直記錄媒體(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: Tb中間層的引入可使垂直／水平矯頑場之比例由2.2大幅增加至21.4 \| 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
垂直記錄媒體(國立清華大學材料所／和喬科技股份有限公司)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 交互耦合層造成之矯頑場下降量達15%，去磁態翻轉場下降量達17% \| 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
具有序化結構鐵鉑合金膜的磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由Cu3Si的形成，引入底層應力，使鐵鉑合金之序化溫序降低至300℃，且矯頑場增加量高達250% \| 潛力預估: 鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由錳鉑底層膜的引入，可使鐵鉑合金之序化溫度降至300℃，並使矯頑場增加達17% \| 潛力預估: 鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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電漿束液晶配向製程驗證與系統模組大型化技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 \| 領域: \| 技術規格: *配向尺寸可達G3(550650mm)，配向均勻性佳。技術規格：錨定能～10-5J/m2，預傾角：0～10度，VHR>95%，Rdc \| 潛力預估: 目前配向效果遠高於光配向，與離子束配向結果相當但設備價格低。**
平面顯示器陣列圖案瑕疵檢測系統整合應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 檢測物: TFT-LCD陣列圖案、彩色濾光片；檢測速率: 75 M pixel/sec；最小瑕疵: 10μm \| 潛力預估: 高速多個CCD攝影機同步取像控制技術；快速瑕疵檢測法則
Roll-to-Roll精密捲繞對位技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 \| 領域: \| 技術規格: Roll to Roll輸送基材寬度：300mm，單板基材尺寸：300mm × 210mm，對位精度：±2.5μm，Cell gap精度：±2μm。 \| 潛力預估: 搭配視覺、水平載台及伺服系統來進行高精度對位，較傳統的捲繞機構更適用於電子級產品之設備上。
精密PCB鑽孔控制技術系統整合應用	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鑽孔速度：400孔/分鐘_x000D_/檔案管理_x000D_/座標顯示_x000D_/加工路徑顯示_x000D_/翻、排版指令_x000D_/多次鑽孔功能_x000D_/擴鑽圓孔/長槽擴鑽指令_x0... \| 潛力預估: 具備刀具偏擺/摩耗自動補償、加工件精修以及自動尋找插銷孔功能，節省刀具成本以及增加機器運作效能。
直接驅動電機應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 直驅馬達之設計規格,最高轉速150rpm,最大轉矩250Nm,擎留轉矩100Nm,解晰度(8192p/r’4)0.01°,3種無反電動勢感知起動電氣角偵測方法。建立自行研發旋轉式直接驅動伺服系統基礎。 \| 潛力預估: 可設計與製作主流產品相容性規格,產生關鍵性零件與系統之可替代性
先進生技設備應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 \| 領域: \| 技術規格: Heat up rate>3C/sec；Cool down rate>2C/sec_x000D_；Test time \| 潛力預估: 縮短檢測時間,減少檢體與試劑用量
生物反應器關鍵技術之應用	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 溫度控制精度≦ ±0.2℃；環境pH值控制精度≦±0.02 pH；溶氣控制精度≦ ±2 % \| 潛力預估: 製程需求設計產品
放電加工創成控制器應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 創成放電加工技術間隙伺服控制、放電軌跡路徑加工控制、3D曲面放電加工控制、自動換電極功能、電極尺寸偵測及補償功能及創成放電電源(ON Time=500ns、Ip=0.5A、9段電容選擇)。 \| 潛力預估: 未來奈米科技、光電通訊、生醫科技對微細加工製作零組件或模具勢必有強烈需求，未來市場前途看好，微細加工的方法有微雷射加工、電子光束加工、蝕刻等方法，而放電加工為非傳統加工方式，係利用火花放電所產生的熱能...
半導體切割技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 切割寬度 3~5 μm ，最小切割道寬度25μm \| 潛力預估: 硬脆材料切割市場
串列網路伺服運動控制應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 串列網路伺服軸：8軸(Mitsubishi SSCNET)，可擴充至16軸_x000D_/ 泛用開迴路：4軸_x000D_/ 泛用閉迴路：1軸，可擴充至5軸_x000D_/ 數位轉類比：2組(16 b... \| 潛力預估: 可實現高速、高精度的定位控制，及多軸即時同步運動控制，在不用增加控制母板下，硬體軸數與IO點數擴充彈性大，為國內光電半導體設備與CNC工具機業，提供了一個降低系統配線複雜度與維護簡單化的有效解決方案。
一種使用超音波能量的晶圓鍵合製程方法	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍵合溫度:Max.200℃，鍵合時間:Max.10mi \| 潛力預估: 可搶攻半導體照明市場，極具市場淺力
一種晶片晶圓鍵合之自適性調整與支撐機構	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 平面度:1μm，耐重:＞1000㎏，平行調整角度範圍:5°，尺寸:2吋 \| 潛力預估: 可搶攻半導體照明市場，極具市場淺力
真空加熱氣浮傳輸技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: *工件尺寸: 620750 mm (I.e. 第3.5代LCD面板尺寸) \| 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (I.E. 第5代LCD面板尺寸), 等相關技術應用**
晶圓電鍍設備技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 金凸塊電鍍均勻性< 5% \| 潛力預估: 可搶攻凸塊電鍍設備市場
大面積電漿光阻剝離技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: *基板尺寸: 620750 mm (第3.5代LCD面板尺寸), 光阻去除速率>3μm, 製程溫度：300℃或低於 \| 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (第5代LCD面板尺寸), 高速大面積電漿蝕刻、灰化等相關技術應用**