治療糖尿病GLP1R標靶藥物
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文治療糖尿病GLP1R標靶藥物的執行單位是生技中心, 產出年度是99, 計畫名稱是癌症與代謝異常疾病的標靶治療藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫), 技術規格是建立多項糖尿病相關體內外篩選系統、萃取分離與製程品管技術,開發以GLP-1R為藥物標靶的HC降血糖植物新藥。, 潛力預估是可應用於糖尿病病人之治療。.

序號4751
產出年度99
技術名稱-中文治療糖尿病GLP1R標靶藥物
執行單位生技中心
產出單位(空)
計畫名稱癌症與代謝異常疾病的標靶治療藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫)
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文確定HC降血糖效果及機制探討;進行生化指標分離確認;安定性試驗持續已進行6個月;HC水萃物於大鼠投藥4g/day共5週於肝、脾、肺腎並無發現毒性;完成1年GAP栽種。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格建立多項糖尿病相關體內外篩選系統、萃取分離與製程品管技術,開發以GLP-1R為藥物標靶的HC降血糖植物新藥。
技術成熟度雛形
可應用範圍作為治療糖尿病藥物及調整血糖之健康食品。
潛力預估可應用於糖尿病病人之治療。
聯絡人員賴麗秀
電話02-26956933#5203
傳真02- 66150063
電子信箱Ihlai@mail.dcb.org.tw
參考網址http://www.dcb.org.tw/
所須軟硬體設備無菌操作台、二氧化碳培養箱、動物房及細胞活性分析儀等相關設備。
需具備之專業人才化學分析、細胞培養及動物試驗相關背景。
同步更新日期2019-07-24

序號

4751

產出年度

99

技術名稱-中文

治療糖尿病GLP1R標靶藥物

執行單位

生技中心

產出單位

(空)

計畫名稱

癌症與代謝異常疾病的標靶治療藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫)

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

確定HC降血糖效果及機制探討;進行生化指標分離確認;安定性試驗持續已進行6個月;HC水萃物於大鼠投藥4g/day共5週於肝、脾、肺腎並無發現毒性;完成1年GAP栽種。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

建立多項糖尿病相關體內外篩選系統、萃取分離與製程品管技術,開發以GLP-1R為藥物標靶的HC降血糖植物新藥。

技術成熟度

雛形

可應用範圍

作為治療糖尿病藥物及調整血糖之健康食品。

潛力預估

可應用於糖尿病病人之治療。

聯絡人員

賴麗秀

電話

02-26956933#5203

傳真

02- 66150063

電子信箱

Ihlai@mail.dcb.org.tw

參考網址

http://www.dcb.org.tw/

所須軟硬體設備

無菌操作台、二氧化碳培養箱、動物房及細胞活性分析儀等相關設備。

需具備之專業人才

化學分析、細胞培養及動物試驗相關背景。

同步更新日期

2019-07-24

根據名稱 治療糖尿病GLP1R標靶藥物 找到的相關資料

(以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 治療糖尿病GLP1R標靶藥物 ...)

治療糖尿病GLP1R標靶藥物篩選技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與代謝異常疾病之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: | 技術規格: 建立多項糖尿病相關體內外篩選系統、萃取分離與製程品管技術,開發以GLP-1R為藥物標靶的HC降血糖植物新藥。 | 潛力預估: 可應用於糖尿病病人之治療。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

治療糖尿病GLP1R標靶藥物篩選技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與代謝異常疾病之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: | 技術規格: 建立多項糖尿病相關體內外篩選系統、萃取分離與製程品管技術,開發以GLP-1R為藥物標靶的HC降血糖植物新藥。 | 潛力預估: 可應用於糖尿病病人之治療。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

治療糖尿病GLP1R標靶藥物篩選技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與代謝異常疾病之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: | 技術規格: 建立多項糖尿病相關體內外篩選系統、萃取分離與製程品管技術,開發以GLP-1R為藥物標靶的HC降血糖植物新藥。 | 潛力預估: 可應用於糖尿病病人之治療。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

治療糖尿病GLP1R標靶藥物篩選技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與代謝異常疾病之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: | 技術規格: 建立多項糖尿病相關體內外篩選系統、萃取分離與製程品管技術,開發以GLP-1R為藥物標靶的HC降血糖植物新藥。 | 潛力預估: 可應用於糖尿病病人之治療。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
[ 搜尋所有 治療糖尿病GLP1R標靶藥物 ... ]

根據電話 02-26956933 5203 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 02-26956933 5203 ...)

視網膜病變(DR)之中草藥產品開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: 建立相關疾病動物模型;建立相關生化機轉的藥物活性測試方法(VEGF/sorbitol 測定、ROS傷害測定、血管增生測定等);建立相關病理分析方法,如視網膜電波圖(ERG)、眼科檢測及病理切片等。_x... | 潛力預估: 技術平台可用於強化常規糖尿病控制及治療,減少眼部手術及失明之機率,極具市場潛力_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

治療糖尿病腎病之中草藥產品開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: 不同比例的四味藥材萃出物_x000D_ | 潛力預估: 短期可發展成降血糖保健食品,長期可發展為治療糖尿病及其併發腎病之植物藥品。_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

肺癌病人化療輔助之藥品DCB-CA2開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: 中草藥萃出物_x000D_ | 潛力預估: 用於肺癌病人之治療_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

抗肺癌惡病質之中草藥藥物開發技術平台

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: 測試輔助藥對原位肺癌鼠之抗惡病質功效及相關指標(血清白蛋白、三酸甘油脂及副睪脂肪體的增加)_x000D_ | 潛力預估: 可應用於癌症病人生活品質之提升_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

治療直腸癌惡病質之動物模式

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: "所開發之技術包括:腫瘤惡病質動物模式、相關評估指標之測試方法(飼料攝取量、血清白蛋白、瘦素、IL-6、三酸甘油脂及小鼠終淨體重變化百分比)等。_x000D_"_x000D_ | 潛力預估: 可應用於治療直腸癌惡病質之新藥及其輔助藥物之開發_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

抗直腸癌惡病質之中草藥新藥

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: 一種植物藥材抽提物_x000D_ | 潛力預估: 短期可開發成癌症病人營養補充品,長期可發展為植物藥。_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

非侵入式冷光影像分析細胞株及技術平台

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: "雙倍數時間與母株相近;冷光檢測強度為50-60 photons/ second/ cell;冷光表現穩定度為15週以上(不含G418);繼代分盤比可為1:5-1:10(每3~4天繼代);致腫瘤性於脾... | 潛力預估: 本技術平台可被廣泛應用,並提高檢測敏感度,減少實驗動物之使用數量,降低研發成本,極具應用潛力。_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

癌症治療輔助藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: 本Drug Substance DCB-CA1係由兩味中草藥高分子多醣體以等比例組合而成,其具有下列藥效及活性。輔助癌症治療之藥效 : 增強LV/5-FU化療藥效;減輕化療毒副作用:提高造血及免疫調節... | 潛力預估: 可取代現有臨床使用之癌症治療輔助藥,極具市場潛力_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

視網膜病變(DR)之中草藥產品開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: 建立相關疾病動物模型;建立相關生化機轉的藥物活性測試方法(VEGF/sorbitol 測定、ROS傷害測定、血管增生測定等);建立相關病理分析方法,如視網膜電波圖(ERG)、眼科檢測及病理切片等。_x... | 潛力預估: 技術平台可用於強化常規糖尿病控制及治療,減少眼部手術及失明之機率,極具市場潛力_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

治療糖尿病腎病之中草藥產品開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: 不同比例的四味藥材萃出物_x000D_ | 潛力預估: 短期可發展成降血糖保健食品,長期可發展為治療糖尿病及其併發腎病之植物藥品。_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

肺癌病人化療輔助之藥品DCB-CA2開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: 中草藥萃出物_x000D_ | 潛力預估: 用於肺癌病人之治療_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

抗肺癌惡病質之中草藥藥物開發技術平台

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: 測試輔助藥對原位肺癌鼠之抗惡病質功效及相關指標(血清白蛋白、三酸甘油脂及副睪脂肪體的增加)_x000D_ | 潛力預估: 可應用於癌症病人生活品質之提升_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

治療直腸癌惡病質之動物模式

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: "所開發之技術包括:腫瘤惡病質動物模式、相關評估指標之測試方法(飼料攝取量、血清白蛋白、瘦素、IL-6、三酸甘油脂及小鼠終淨體重變化百分比)等。_x000D_"_x000D_ | 潛力預估: 可應用於治療直腸癌惡病質之新藥及其輔助藥物之開發_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

抗直腸癌惡病質之中草藥新藥

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: 一種植物藥材抽提物_x000D_ | 潛力預估: 短期可開發成癌症病人營養補充品,長期可發展為植物藥。_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

非侵入式冷光影像分析細胞株及技術平台

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: "雙倍數時間與母株相近;冷光檢測強度為50-60 photons/ second/ cell;冷光表現穩定度為15週以上(不含G418);繼代分盤比可為1:5-1:10(每3~4天繼代);致腫瘤性於脾... | 潛力預估: 本技術平台可被廣泛應用,並提高檢測敏感度,減少實驗動物之使用數量,降低研發成本,極具應用潛力。_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

癌症治療輔助藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常疾病領域藥物開發-(生技製藥國家型之新藥臨床前研發計畫) | 領域: | 技術規格: 本Drug Substance DCB-CA1係由兩味中草藥高分子多醣體以等比例組合而成,其具有下列藥效及活性。輔助癌症治療之藥效 : 增強LV/5-FU化療藥效;減輕化療毒副作用:提高造血及免疫調節... | 潛力預估: 可取代現有臨床使用之癌症治療輔助藥,極具市場潛力_x000D_

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
[ 搜尋所有 02-26956933 5203 ... ]

與治療糖尿病GLP1R標靶藥物同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

半穿透/反射式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本,背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力,與現有CCFL...

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。

OTFT device development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,如開發完成,未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

半穿透/反射式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本,背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力,與現有CCFL...

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。

OTFT device development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,如開發完成,未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。

 |