Light&Light A19球泡燈
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技術名稱-中文Light&Light A19球泡燈的執行單位是工研院電光所, 產出年度是100, 計畫名稱是高效能半導體光源及應用技術計畫, 技術規格是操作功率 Power：10W、光通量 Luminous Flux：800 lm、發光角度：330度、色溫 CCT：2700K、演色性 CRI：80, 潛力預估是具有量產潛力.

序號	5102
產出年度	100
技術名稱-中文	Light&Light A19球泡燈
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	高效能半導體光源及應用技術計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	Light & Light A19球泡燈，封裝技術以小晶粒開發軟性多晶光源模組，降低模組的生產成本，利用LED直接出光，達成大角度光型，無需二次光學。採用全塑膠散熱器，減輕重量，並提供大面積散熱，提高設計彈性，優於現有LED球泡燈。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	操作功率 Power：10W、光通量 Luminous Flux：800 lm、發光角度：330度、色溫 CCT：2700K、演色性 CRI：80
技術成熟度	雛型
可應用範圍	各種室內燈具
潛力預估	具有量產潛力
聯絡人員	張弘文
電話	03-5918018
傳真	03-5915138
電子信箱	hwchang@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備	積分球、配光曲線量測儀、熱模擬軟體如Flotherm、Tracepro
需具備之專業人才	光電半導體、封裝製程、光學設計、熱模擬分析、光電熱特性檢測

序號

5102

產出年度

100

技術名稱-中文

Light&Light A19球泡燈

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

高效能半導體光源及應用技術計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

Light & Light A19球泡燈，封裝技術以小晶粒開發軟性多晶光源模組，降低模組的生產成本，利用LED直接出光，達成大角度光型，無需二次光學。採用全塑膠散熱器，減輕重量，並提供大面積散熱，提高設計彈性，優於現有LED球泡燈。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

操作功率 Power：10W、光通量 Luminous Flux：800 lm、發光角度：330度、色溫 CCT：2700K、演色性 CRI：80

技術成熟度

雛型

可應用範圍

各種室內燈具

潛力預估

具有量產潛力

聯絡人員

張弘文

電話

03-5918018

傳真

03-5915138

電子信箱

hwchang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/

所須軟硬體設備

積分球、配光曲線量測儀、熱模擬軟體如Flotherm、Tracepro

需具備之專業人才

光電半導體、封裝製程、光學設計、熱模擬分析、光電熱特性檢測

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高速光傳接模組技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧1.25Gigabit Ethernet Transceiver：單模/Output Power>-11dBm.Sensitivity-10dBm.Sensitivity-8dBm.Sensitiv... \| 潛力預估: 將可與國際模組廠商作技術競爭並符合國際系統廠商規格同時將參與國際光通訊規格制定。 @ 技術司可移轉技術資料集
高速光電元件技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 符合2.5Gigabit Ethernet要求。 ‧ 符合Bellcore 468元件環測要求。 \| 潛力預估: 因應將來FTTX時機的到來，會對LD與PIN的市場需求量大增，故應提昇培養技術成熟度與量產的技巧，以符合未來市場或技轉的要求。 @ 技術司可移轉技術資料集
摻鉺光纖放大器製作技術 (Erbium-Doped Fiber Amplifier Assembling Technology)	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *‧ Operation Wavelength:1530~1560nm. ‧ Input Power:-20dBm16chs. ‧ Gain:>22Db. ‧ Gain Stability: \| 潛力預估: 將開發寬頻光放大器及小型化技術以增加放大頻寬，強化光放大器產業，支援關鍵性技術開發，以發展Metro/Access網路環境技術。** @ 技術司可移轉技術資料集
微光機電技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 1x2/2x2 MEMS Switch Insertion Loss:0.8dB max. Switching time \| 潛力預估: 具高精密、批量生產及低成本之優勢，為未來製程發展之趨勢。 @ 技術司可移轉技術資料集
高速光發射、接收次模組封裝技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Low cost TO-Can Package ‧ Uncooled 1310nm DFB TOSA ‧ 10km transmission ‧ SC/LC receptacle package ... \| 潛力預估: 由於TO-Can 封裝為國內光通訊光電元件封裝技術中最成熟之技術，本技術若結合廠商生產能力，將可大幅降低10Gb/s光電元件封裝製作成本。 @ 技術司可移轉技術資料集
平面光波導對準封裝技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Single Fiber/Fiber Array Block (FAB) to Waveguide Alignment ‧ Automatic Search and Optimization ‧ ... \| 潛力預估: 本技術可快速且精準的完成耦光對準及填膠固化，並可通過環境測試，極具市場潛力。 @ 技術司可移轉技術資料集
波長鎖定器製作技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Channel Spacing : 50 or 100 GHz ‧ Center Wavelength : ITU grid (1520nm~1570nm) ‧ Wavelength stabil... \| 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時，此元件將為不可或缺之關鍵元件。 @ 技術司可移轉技術資料集
高功率Pump雷射耦合器	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Center Wavelength : 1480nm ‧ Center Wavelength Range : ±40nm ‧ Insertion Loss : 55dB ‧ Directivity... \| 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時，此元件將為不可或缺之關鍵元件。 @ 技術司可移轉技術資料集

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QDIP 元件磊晶製程與量測分析	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 \| 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務
厚膜加工製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米；厚度可達500微米；平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) \| 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力
5GHz體聲波濾波器	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 中心頻率：5GHz~6GHz，頻寬：100MHz~150MHz，插入損失6.0dB以內 \| 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路，通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上，現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。
高清淨合金材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 \| 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。
粉末射出成型技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 尺寸精密度2％。 \| 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元，並創造產值約5億元。
鈦鋯合金熔鑄技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *非晶板材尺寸可達3mm(t) 45mm(w)* 70mm(l) \| 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術，可創造年產值新台幣1.5億元。**
超微結構粉末及成型技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量，銅模速冷至批量10公斤，粉化粒度至次微米 \| 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸，價格競優勢弱，磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大
真空電漿噴覆技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結，結合強度大於10000psi。 \| 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。
高介電塗層噴覆製作技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件，需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性，並需能耐酸之腐蝕，以往下電極板表層僅以陽極處理，使用壽命僅有三個月，文獻顯示，若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁，壽命... \| 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。
記憶體靶材製作技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4吋,純度3N,密度>90％ \| 潛力預估: 隨著新型記憶體之開發磁阻材料及靶材越形重要
PDP抗電磁波濾板製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 透光率75%以上 \| 潛力預估: PDP抗電磁波濾板
鋁嫆湯清淨度分析技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可辨識夾雜物種類、尺寸(可達1mm)及含量 \| 潛力預估: 為發展高清淨鋁合金於薄壁材、感光鼓、半導體設備等高附加價值應用所必需
藥材DNA鑑定技術及300種常用中藥材ITS鑑定序列資料庫	執行單位: 工研院生醫中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 肝病及氣喘中草藥新藥開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 300種中藥材ITS鑑定序列資料庫 \| 潛力預估: 業界已逐漸接受以DNA鑑定藥材的技術，已以非專屬授權給相關廠商，並對外提供技術服務。
基因重組腺相關病毒 (AAV) 顆粒大量製備與純化	執行單位: 工研院生醫中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.基因重組腺相關病毒表現DNA載體之建構。_x000D_ 2.基因重組腺相關病毒顆粒之生產。_x000D_ 3.基因重組腺相關病毒顆粒之純化。_x000D_ 4.純化後基因重組腺相關病毒顆粒力價測定... \| 潛力預估: 有希望發展此技術成為商品化應用之核酸傳送工具，供學術研究及臨床治療之用
冷光檢測微系統研發技術 - 腎功能檢測器	執行單位: 工研院生醫中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.待測物: 肌酸酐、尿素、尿酸、葡萄糖_x000D_ 2.適用之樣品: 全血及血漿_x000D_ 3.五分鐘內得知結果 \| 潛力預估: 體外檢測設備(IVDD)之市場已從1997之183億美元成長為2004年之263億美元，其中又以專供居家及照護點使用部分成長最為迅速，此項技術即為針對此市場。此外，根據美國National Kidne...