雙波段紅外線熱影像模組關鍵技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文雙波段紅外線熱影像模組關鍵技術的執行單位是中科院材料所, 產出年度是100, 計畫名稱是光電感測辨識模組與應用技術計畫, 技術規格是1.RDU雙頻熱像模組畫素: 320×256 陣列畫素 2.陣列畫素間距: 50mm×50mm 3.畫面更新率= 30fs/sec@Tint = 32m, 潛力預估是運用本技術進行熱像陣列模組測試,協助建立熱影像測試技術,希望在一年內開發醫學手術紅外線影像監控平台原型架構,實際將本技術研發成果協助國內業界建立熱像測試與醫學監控應用技術,5年內預估可創造新台幣5億以上之產值。.

序號5202
產出年度100
技術名稱-中文雙波段紅外線熱影像模組關鍵技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱光電感測辨識模組與應用技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用能帶調變半導體磊晶技術、結合高精度陣列元件製程整合技術與高真空封測技術,透過影像介面擷取模組整合功能,設計開發高階前瞻性的應用產品雛型。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.RDU雙頻熱像模組畫素: 320×256 陣列畫素 2.陣列畫素間距: 50mm×50mm 3.畫面更新率= 30fs/sec@Tint = 32m
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍熱影像市場
潛力預估運用本技術進行熱像陣列模組測試,協助建立熱影像測試技術,希望在一年內開發醫學手術紅外線影像監控平台原型架構,實際將本技術研發成果協助國內業界建立熱像測試與醫學監控應用技術,5年內預估可創造新台幣5億以上之產值。
聯絡人員湯相峰
電話03-4712201#357106
傳真03-4711024
電子信箱csist_mrdc@csnet.gov.tw
參考網址http://無。
所須軟硬體設備MBE或MOCVD磊晶製程設備,元件製程設備與量測設備。
需具備之專業人才光電、電子相關背景
同步更新日期2023-07-22

序號

5202

產出年度

100

技術名稱-中文

雙波段紅外線熱影像模組關鍵技術

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

光電感測辨識模組與應用技術計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用能帶調變半導體磊晶技術、結合高精度陣列元件製程整合技術與高真空封測技術,透過影像介面擷取模組整合功能,設計開發高階前瞻性的應用產品雛型。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.RDU雙頻熱像模組畫素: 320×256 陣列畫素 2.陣列畫素間距: 50mm×50mm 3.畫面更新率= 30fs/sec@Tint = 32m

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

熱影像市場

潛力預估

運用本技術進行熱像陣列模組測試,協助建立熱影像測試技術,希望在一年內開發醫學手術紅外線影像監控平台原型架構,實際將本技術研發成果協助國內業界建立熱像測試與醫學監控應用技術,5年內預估可創造新台幣5億以上之產值。

聯絡人員

湯相峰

電話

03-4712201#357106

傳真

03-4711024

電子信箱

csist_mrdc@csnet.gov.tw

參考網址

http://無。

所須軟硬體設備

MBE或MOCVD磊晶製程設備,元件製程設備與量測設備。

需具備之專業人才

光電、電子相關背景

同步更新日期

2023-07-22

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# 03-4712201 357106 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號2202
產出年度96
技術名稱-中文紅外線熱影像製程技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱光電輸出入模組與應用技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文1.已建立國內完整奈米紅外線熱影像製程與測試實驗室,開發新型 量子點元件製程技轉產業界運用,同時以本研發能量為未來國防奈米計畫奠基之基礎,落實本院奈米科技軍民通用策略方針。_x000D_2.建立國內奈米光電元件完整設計與開發能量,累積研發成果提升國內業界研發水準。_x000D_3.引導國內上游翔合半導體、聯亞光電磊晶廠商、中游光磊科技模組製程廠商、下游產品應用宇創科技公司將既有技術升級,企望未來建立完整量子點光電元件設計與開發策略聯盟,提升產品的品質、附加價值與國際競爭力。_x000D_
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.256x256低溫熱影像測試平台。_x000D_2.4吋量子型砷化鎵偵檢磊晶片驗證技術。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍海岸巡防、安全監控、醫學診斷
潛力預估紅外線熱影像技術之相關應用已漸在市場受到重視,預估未來在安全及醫療上的市場將會更為廣泛,將可提升國內廠商產品的品質及附加價值。
聯絡人員湯相峰先生
電話03-4712201-357106
傳真03-4711024
電子信箱hiangfengtang@yahoo.com.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備1.MBE或MOCVD磊晶平台_x000D_2.半導體黃光製程設備_x000D_3.NI影像測試擷取介面_x000D_4.類比數位IC介面測試環境_x000D_
需具備之專業人才光電、材料、電子
序號: 2202
產出年度: 96
技術名稱-中文: 紅外線熱影像製程技術
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 1.已建立國內完整奈米紅外線熱影像製程與測試實驗室,開發新型 量子點元件製程技轉產業界運用,同時以本研發能量為未來國防奈米計畫奠基之基礎,落實本院奈米科技軍民通用策略方針。_x000D_2.建立國內奈米光電元件完整設計與開發能量,累積研發成果提升國內業界研發水準。_x000D_3.引導國內上游翔合半導體、聯亞光電磊晶廠商、中游光磊科技模組製程廠商、下游產品應用宇創科技公司將既有技術升級,企望未來建立完整量子點光電元件設計與開發策略聯盟,提升產品的品質、附加價值與國際競爭力。_x000D_
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.256x256低溫熱影像測試平台。_x000D_2.4吋量子型砷化鎵偵檢磊晶片驗證技術。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 海岸巡防、安全監控、醫學診斷
潛力預估: 紅外線熱影像技術之相關應用已漸在市場受到重視,預估未來在安全及醫療上的市場將會更為廣泛,將可提升國內廠商產品的品質及附加價值。
聯絡人員: 湯相峰先生
電話: 03-4712201-357106
傳真: 03-4711024
電子信箱: hiangfengtang@yahoo.com.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 1.MBE或MOCVD磊晶平台_x000D_2.半導體黃光製程設備_x000D_3.NI影像測試擷取介面_x000D_4.類比數位IC介面測試環境_x000D_
需具備之專業人才: 光電、材料、電子

# 03-4712201 357106 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號2553
產出年度97
技術名稱-中文256 x 256 寬波段量子點焦平面紅外線單晶片
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱光電輸出入模組與應用技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本計畫技術開發乃應用雙波段中長波長紅外線光譜成像光電子技術,並配合先進影像演算法,大大提升早期乳癌診斷的準確度,且由於該診斷系統為一非侵入式、無游離輻射、低功率消耗、快速簡便、以及準確的醫學(紅外線雙光譜)影像分析技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格量子井紅外線偵測器之元件特性為: 1. 8-12μm : Responsivity > 0.4 A/W,Detectivity > 1010 cm.Hz1/2/W at 10k。 2. 3-5 μm : Responsivity > 0.4 A/W,Detectivity > 1010 cm.Hz1/2/W at 10k。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍乳癌早期診斷、皮膚癌診斷、關節炎診斷
潛力預估若能順利技轉於國內生產並取得國際認證,每年所獲純利>30%
聯絡人員湯相峰先生
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參考網址(空)
所須軟硬體設備NI-imaging acquisition system、電路設計平台與半導體製程實驗室
需具備之專業人才光電、材料、電子、影像處理等相關背景
序號: 2553
產出年度: 97
技術名稱-中文: 256 x 256 寬波段量子點焦平面紅外線單晶片
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本計畫技術開發乃應用雙波段中長波長紅外線光譜成像光電子技術,並配合先進影像演算法,大大提升早期乳癌診斷的準確度,且由於該診斷系統為一非侵入式、無游離輻射、低功率消耗、快速簡便、以及準確的醫學(紅外線雙光譜)影像分析技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 量子井紅外線偵測器之元件特性為: 1. 8-12μm : Responsivity > 0.4 A/W,Detectivity > 1010 cm.Hz1/2/W at 10k。 2. 3-5 μm : Responsivity > 0.4 A/W,Detectivity > 1010 cm.Hz1/2/W at 10k。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 乳癌早期診斷、皮膚癌診斷、關節炎診斷
潛力預估: 若能順利技轉於國內生產並取得國際認證,每年所獲純利>30%
聯絡人員: 湯相峰先生
電話: 03-4712201#357106
傳真: 03-4711024
電子信箱: hiangfengtang@yahoo.com.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: NI-imaging acquisition system、電路設計平台與半導體製程實驗室
需具備之專業人才: 光電、材料、電子、影像處理等相關背景

# 03-4712201 357106 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號6085
產出年度98
領域別(空)
專利名稱-中文共振穿隧量子點元件裝置
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱光電感測辨識模組與應用技術計畫
專利發明人湯相峰、江建德、楊三德、羅俊傑、顏順隆
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼發明第I 315585號
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種共振穿隧量子點乾子元件裝置,該量子點電子元件係包含一對N型上、下電子注入層與至少一週期以上雙能障侷限的量子點層。 當施以該元件在上或下電子注入層適當之正或負電場足以驅動所注入電子流在雙能障所侷限之能階中產生隧傳導時,其元件持性表現為負電阻行為,且此元件不但具有雙極性負電阻功能與極佳的溫度穩定度,同時也可在室溫環境下操作。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員湯相峰
電話03-4712201#357106
傳真03-4711024
電子信箱csist_mrdc@csnet.gov.tw
參考網址(空)
備註20101351-Joanne
特殊情形(空)
序號: 6085
產出年度: 98
領域別: (空)
專利名稱-中文: 共振穿隧量子點元件裝置
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 光電感測辨識模組與應用技術計畫
專利發明人: 湯相峰、江建德、楊三德、羅俊傑、顏順隆
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 發明第I 315585號
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種共振穿隧量子點乾子元件裝置,該量子點電子元件係包含一對N型上、下電子注入層與至少一週期以上雙能障侷限的量子點層。 當施以該元件在上或下電子注入層適當之正或負電場足以驅動所注入電子流在雙能障所侷限之能階中產生隧傳導時,其元件持性表現為負電阻行為,且此元件不但具有雙極性負電阻功能與極佳的溫度穩定度,同時也可在室溫環境下操作。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 湯相峰
電話: 03-4712201#357106
傳真: 03-4711024
電子信箱: csist_mrdc@csnet.gov.tw
參考網址: (空)
備註: 20101351-Joanne
特殊情形: (空)

# 03-4712201 357106 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號4279
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文紅外線熱影像陣列模組驗證架構與製造方法
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱光電輸出入模組與應用技術計畫
專利發明人湯相峰、江建德、翁炳國、施志昌、高耀堂、羅俊傑、楊三德
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼US 7,462.920B2
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文此發明係一種紅外線熱影像陣列模組架構與製造方法,包含近紅外光(NIR: 850nm~1700nm),中波段紅外光(Mid-IR: 3~5μm)或遠紅外光(L-IR: 8~12μm)感測元件陣列、陣列式光訊號讀取積體電路單元及熱顯像校正電路。此影像陣列感測模組接合架構與製作方式,適用於紅外線感測陣列單元與訊號讀取積體電路單元為異質材料系統下之熱影像陣列模組開發。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員湯相峰
電話03-4712201 ext 357106
傳真03-4711024
電子信箱張國仁03-4712201 ext 357082
參考網址(空)
備註0
特殊情形(空)
序號: 4279
產出年度: 97
領域別: (空)
專利名稱-中文: 紅外線熱影像陣列模組驗證架構與製造方法
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫
專利發明人: 湯相峰、江建德、翁炳國、施志昌、高耀堂、羅俊傑、楊三德
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: US 7,462.920B2
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 此發明係一種紅外線熱影像陣列模組架構與製造方法,包含近紅外光(NIR: 850nm~1700nm),中波段紅外光(Mid-IR: 3~5μm)或遠紅外光(L-IR: 8~12μm)感測元件陣列、陣列式光訊號讀取積體電路單元及熱顯像校正電路。此影像陣列感測模組接合架構與製作方式,適用於紅外線感測陣列單元與訊號讀取積體電路單元為異質材料系統下之熱影像陣列模組開發。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 湯相峰
電話: 03-4712201 ext 357106
傳真: 03-4711024
電子信箱: 張國仁03-4712201 ext 357082
參考網址: (空)
備註: 0
特殊情形: (空)

# 03-4712201 357106 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號7305
產出年度102
技術名稱-中文室溫紅外線熱影像模組關鍵技術
執行單位中科院材料暨光電研究所─固態元件組
產出單位(空)
計畫名稱光電半導體元件與系統應用關鍵計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家
已獲得專利之國家
技術現況敘述-中文具備160*120室溫紅外線熱影像開發能力
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(1)解析度:160*120 (2)NEDT小於100mK (3)觀測波段:8~12um
技術成熟度試量產等級
可應用範圍車用夜視、居家安全監控、工業檢測、醫療輔助偵測等
潛力預估
聯絡人員陳信彰 湯相峰
電話03-4712201#357074 03-4712201#357106
傳真(空)
電子信箱hcchen0429@gmail.com
參考網址(空)
所須軟硬體設備無塵室FAB
需具備之專業人才光電材料、電機電子、微機電製程經驗
序號: 7305
產出年度: 102
技術名稱-中文: 室溫紅外線熱影像模組關鍵技術
執行單位: 中科院材料暨光電研究所─固態元件組
產出單位: (空)
計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家:
已獲得專利之國家:
技術現況敘述-中文: 具備160*120室溫紅外線熱影像開發能力
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (1)解析度:160*120 (2)NEDT小於100mK (3)觀測波段:8~12um
技術成熟度: 試量產等級
可應用範圍: 車用夜視、居家安全監控、工業檢測、醫療輔助偵測等
潛力預估:
聯絡人員: 陳信彰 湯相峰
電話: 03-4712201#357074 03-4712201#357106
傳真: (空)
電子信箱: hcchen0429@gmail.com
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 無塵室FAB
需具備之專業人才: 光電材料、電機電子、微機電製程經驗

# 03-4712201 357106 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號7306
產出年度102
技術名稱-中文65K/0.75W 史特靈致冷器關鍵技術開發與影像系統硬體整合市場應用
執行單位中科院材料暨光電研究所─固態元件組
產出單位(空)
計畫名稱光電半導體元件與系統應用關鍵計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家
已獲得專利之國家
技術現況敘述-中文尚在開發65K/0.75W 史特靈致冷器中
技術現況敘述-英文(空)
技術規格全載致冷能力:57K
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍車用夜視、居家安全監控、工業檢測、醫療輔助偵測等
潛力預估
聯絡人員陳信彰 湯相峰
電話03-4712201#357074 03-4712201#357106
傳真(空)
電子信箱hcchen0429@gmail.com
參考網址(空)
所須軟硬體設備機械加工設備
需具備之專業人才機械設計、電機電子
序號: 7306
產出年度: 102
技術名稱-中文: 65K/0.75W 史特靈致冷器關鍵技術開發與影像系統硬體整合市場應用
執行單位: 中科院材料暨光電研究所─固態元件組
產出單位: (空)
計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家:
已獲得專利之國家:
技術現況敘述-中文: 尚在開發65K/0.75W 史特靈致冷器中
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 全載致冷能力:57K
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 車用夜視、居家安全監控、工業檢測、醫療輔助偵測等
潛力預估:
聯絡人員: 陳信彰 湯相峰
電話: 03-4712201#357074 03-4712201#357106
傳真: (空)
電子信箱: hcchen0429@gmail.com
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 機械加工設備
需具備之專業人才: 機械設計、電機電子

# 03-4712201 357106 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號445
產出年度93
技術名稱-中文QDIP 元件磊晶製程與量測分析
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文針對高品質多層之量子點陣列磊晶技術以MOCVD之技術來製作量子點磊晶片。因鑑於InAs/GaAs量子點QD之磊晶技術以往多以MBE為之,以MOCVD技術為之者極少。但MOCVD又極具成長潛力;計畫前評估聯亞光電公司所使用之Thomas Swan廠牌機台,三族與五族原料氣體可以完全分離,在低溫成長量子點方面,與其它廠牌之MOCVD系統比較,有其絕對之優勢。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍奈米等級材料形態量測
潛力預估可提供實驗室等級分析服務
聯絡人員湯相峰
電話03-4712201轉357106
傳真03-4711024
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備完整半導體製程黃光無塵與分析實驗室
需具備之專業人才光電材料背景
序號: 445
產出年度: 93
技術名稱-中文: QDIP 元件磊晶製程與量測分析
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 針對高品質多層之量子點陣列磊晶技術以MOCVD之技術來製作量子點磊晶片。因鑑於InAs/GaAs量子點QD之磊晶技術以往多以MBE為之,以MOCVD技術為之者極少。但MOCVD又極具成長潛力;計畫前評估聯亞光電公司所使用之Thomas Swan廠牌機台,三族與五族原料氣體可以完全分離,在低溫成長量子點方面,與其它廠牌之MOCVD系統比較,有其絕對之優勢。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 奈米等級材料形態量測
潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務
聯絡人員: 湯相峰
電話: 03-4712201轉357106
傳真: 03-4711024
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 完整半導體製程黃光無塵與分析實驗室
需具備之專業人才: 光電材料背景

# 03-4712201 357106 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號3150
產出年度98
技術名稱-中文256×256紅外線寬波段量子點/量子井焦平面偵檢晶元
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱光電感測辨識模組與應用技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文目前已能開發出3-14um寬頻段紅外線量子點(井)影像焦平面陣列感測器結構4吋磊晶片,並有實驗室雛型產出
技術現況敘述-英文(空)
技術規格256x256 感測畫素
技術成熟度雛形
可應用範圍晶片偵錯與生醫診斷
潛力預估技術成熟量產後20億/年之產值
聯絡人員湯相峰
電話03-4712201轉357106
傳真03-4711024
電子信箱csist_mrdc@csnet.gov.tw
參考網址
所須軟硬體設備1000級無塵室陣列製程及影像擷取分析平台
需具備之專業人才材料、物理、光電、電子
序號: 3150
產出年度: 98
技術名稱-中文: 256×256紅外線寬波段量子點/量子井焦平面偵檢晶元
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 光電感測辨識模組與應用技術計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 目前已能開發出3-14um寬頻段紅外線量子點(井)影像焦平面陣列感測器結構4吋磊晶片,並有實驗室雛型產出
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 256x256 感測畫素
技術成熟度: 雛形
可應用範圍: 晶片偵錯與生醫診斷
潛力預估: 技術成熟量產後20億/年之產值
聯絡人員: 湯相峰
電話: 03-4712201轉357106
傳真: 03-4711024
電子信箱: csist_mrdc@csnet.gov.tw
參考網址:
所須軟硬體設備: 1000級無塵室陣列製程及影像擷取分析平台
需具備之專業人才: 材料、物理、光電、電子
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與雙波段紅外線熱影像模組關鍵技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

12吋晶圓廠製程排水回收計畫

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商提升水回收率10~15% | 潛力預估: 根據力晶12吋廠實際推動的經驗,不僅可提升回收水質與水回率,且因機台排管分流資料庫的建立,大幅提升污染事故的處置效率與經濟效益。

大面積TFT-LCD 光激化乾式清洗技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃基板經 UV 光照射清洗後,基板上五點接觸角平均 < 10度 | 潛力預估: 應映2008年LCD設備國產化需達50%之目標,故國內廠商需積極佈局易跨入之前段製程設備,此製程技術與設備皆為前段清洗設備必須。

晶圓表面有機污染檢測技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成Trinton-X-100 1 ppm及50 ppm的檢量線 | 潛力預估: 高科技業中微污染控制是很重要的議題,任何的微量有機殘留都會影響製程與良率,因此有機物殘留檢測技術的建立,除了可以驗證清洗效率外,並能確保substrate表面之潔淨度。

奈米用水系統微量有機物質氧化去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 0.13 mm 製程水質規格:TOC ≦ 0.8 ppb、Bacteria < 1 cfu/ml、total SiO2 ≦ 1 ppb、ion < 20 ppt、Particle ≦ 2 count... | 潛力預估: 應映奈米及高科技製程所需用水規格,科針對國內12吋晶圓及下世代大尺寸的用水系統進行設計。

以ST微控器為控制核心之無感測直流無刷馬達驅動器

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 有機會應用於風扇負載,或直流變頻壓縮機,展現節能效益,或更進一步的控制。此為其商業淺力。

UV/O3系統實廠操作技術評估與開發

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 科學園區管理局之污水納管管制條例,以及製程用水回收率需達85%之規定皆促使廠商進行有機廢水之處理

電子式溫度資料蒐集紀錄元件

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: -30o~70oC±0.6oC(-20o~50o)/±1.2oC其他範圍,紅外線傳輸,工作條件:-20o~70oC,5~95﹪RH | 潛力預估: 搭配蓄冷保溫櫃與保溫箱使用,推動全溫層保鮮服務,由於價格與進口產品比較具備相當高的競爭優勢,預估國內需求量每年超過1000個以上,加上授權廠家具備接受國外OEM及行銷能力,其評估每年出口(OEM)應可...

雨水貯留供水系統可行性評估系統

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 輔助設計軟體。 | 潛力預估: 因應建築規則,綠建築專章已通過,建築設計市場需求殷切。

高濃度臭氧水產生技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 臭氧水濃度:50ppm | 潛力預估: 臭氧技術因是on-site製造,具有高潔淨度特性,符合奈米製程高標準的潔淨度要求,並且省能省水,氧化力強,能在常溫下快速將有機物直接氧化成為CO2、羧酸類(R-COOH)等簡單小分子,反應產物可迅速揮...

二相流體精密洗淨製程技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可適用於具多孔性或具奈米孔洞之超微細結構元件與材料之清洗潔淨,奈米孔徑範圍可 < 5 nm~> 200 nm | 潛力預估: 未來半導體及顯示器相繼產用具奈米孔洞或微細結構元件,故清洗技術需採用此技術。

蓄冷容器積載最佳化技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 傳統物流公司以專用車輛配送,常、低溫貨件,或實施多溫共配之物流公司,以常溫車輛共配常、低溫貨件時,運用畚積載最佳化系統,可有效利用車廂內空間提供裝載率,將技術導入服務業者應用,預估可產生每年1仟萬元的...

PROFIBUS通訊技術及CAN-Bus通訊技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 基於現今工廠與日常機能自動化盛行的需求,標準的工業網路為最主要的構成要件。

功因控制技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 220VAC輸入,具備保護功能,功因可達0.97以上。 | 潛力預估: 運用於高功因雙向電能轉換控制系統之DSP架構,可應用於雙向交流電能轉換市場,如電梯、變頻器、工具機

12吋晶圓廠製程生產用水規劃

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商去除水中有機物達回收限值1ppm以下 | 潛力預估: 提升TOC處理效率,節省用藥成本與降低環境 二次污染的風險。

奈米水中極性有機物採樣分析技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: MDL:4.167ppb~20.3ppb之間(依水樣體積4.8ml換算) | 潛力預估: 可應用於機台排水,去離子水及一般水中揮發性有機物的追蹤檢測,該方法具備前處理操作步驟簡易,不需購置purge and trap設備,可快速獲得結果之優點。但如需檢測超純水等級水質或 更低濃度之水樣,...

12吋晶圓廠製程排水回收計畫

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商提升水回收率10~15% | 潛力預估: 根據力晶12吋廠實際推動的經驗,不僅可提升回收水質與水回率,且因機台排管分流資料庫的建立,大幅提升污染事故的處置效率與經濟效益。

大面積TFT-LCD 光激化乾式清洗技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃基板經 UV 光照射清洗後,基板上五點接觸角平均 < 10度 | 潛力預估: 應映2008年LCD設備國產化需達50%之目標,故國內廠商需積極佈局易跨入之前段製程設備,此製程技術與設備皆為前段清洗設備必須。

晶圓表面有機污染檢測技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成Trinton-X-100 1 ppm及50 ppm的檢量線 | 潛力預估: 高科技業中微污染控制是很重要的議題,任何的微量有機殘留都會影響製程與良率,因此有機物殘留檢測技術的建立,除了可以驗證清洗效率外,並能確保substrate表面之潔淨度。

奈米用水系統微量有機物質氧化去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 0.13 mm 製程水質規格:TOC ≦ 0.8 ppb、Bacteria < 1 cfu/ml、total SiO2 ≦ 1 ppb、ion < 20 ppt、Particle ≦ 2 count... | 潛力預估: 應映奈米及高科技製程所需用水規格,科針對國內12吋晶圓及下世代大尺寸的用水系統進行設計。

以ST微控器為控制核心之無感測直流無刷馬達驅動器

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 有機會應用於風扇負載,或直流變頻壓縮機,展現節能效益,或更進一步的控制。此為其商業淺力。

UV/O3系統實廠操作技術評估與開發

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 科學園區管理局之污水納管管制條例,以及製程用水回收率需達85%之規定皆促使廠商進行有機廢水之處理

電子式溫度資料蒐集紀錄元件

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: -30o~70oC±0.6oC(-20o~50o)/±1.2oC其他範圍,紅外線傳輸,工作條件:-20o~70oC,5~95﹪RH | 潛力預估: 搭配蓄冷保溫櫃與保溫箱使用,推動全溫層保鮮服務,由於價格與進口產品比較具備相當高的競爭優勢,預估國內需求量每年超過1000個以上,加上授權廠家具備接受國外OEM及行銷能力,其評估每年出口(OEM)應可...

雨水貯留供水系統可行性評估系統

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 輔助設計軟體。 | 潛力預估: 因應建築規則,綠建築專章已通過,建築設計市場需求殷切。

高濃度臭氧水產生技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 臭氧水濃度:50ppm | 潛力預估: 臭氧技術因是on-site製造,具有高潔淨度特性,符合奈米製程高標準的潔淨度要求,並且省能省水,氧化力強,能在常溫下快速將有機物直接氧化成為CO2、羧酸類(R-COOH)等簡單小分子,反應產物可迅速揮...

二相流體精密洗淨製程技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可適用於具多孔性或具奈米孔洞之超微細結構元件與材料之清洗潔淨,奈米孔徑範圍可 < 5 nm~> 200 nm | 潛力預估: 未來半導體及顯示器相繼產用具奈米孔洞或微細結構元件,故清洗技術需採用此技術。

蓄冷容器積載最佳化技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 傳統物流公司以專用車輛配送,常、低溫貨件,或實施多溫共配之物流公司,以常溫車輛共配常、低溫貨件時,運用畚積載最佳化系統,可有效利用車廂內空間提供裝載率,將技術導入服務業者應用,預估可產生每年1仟萬元的...

PROFIBUS通訊技術及CAN-Bus通訊技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 基於現今工廠與日常機能自動化盛行的需求,標準的工業網路為最主要的構成要件。

功因控制技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 220VAC輸入,具備保護功能,功因可達0.97以上。 | 潛力預估: 運用於高功因雙向電能轉換控制系統之DSP架構,可應用於雙向交流電能轉換市場,如電梯、變頻器、工具機

12吋晶圓廠製程生產用水規劃

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商去除水中有機物達回收限值1ppm以下 | 潛力預估: 提升TOC處理效率,節省用藥成本與降低環境 二次污染的風險。

奈米水中極性有機物採樣分析技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: MDL:4.167ppb~20.3ppb之間(依水樣體積4.8ml換算) | 潛力預估: 可應用於機台排水,去離子水及一般水中揮發性有機物的追蹤檢測,該方法具備前處理操作步驟簡易,不需購置purge and trap設備,可快速獲得結果之優點。但如需檢測超純水等級水質或 更低濃度之水樣,...

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