平面基板狹縫塗佈設備技術
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技術名稱-中文平面基板狹縫塗佈設備技術的執行單位是工研院院本部, 產出年度是101, 計畫名稱是工研院環境建構總計畫, 技術規格是基板尺寸:370mm x 470mm, 膜厚範圍:0.2?m ~ 200?m, 膜厚變異量:±3% (最佳值), 最大塗速:10m/mi, 潛力預估是應用於光電產業包括平面顯示器及太陽能電池,全球年產值預估10億.

序號5384
產出年度101
技術名稱-中文平面基板狹縫塗佈設備技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院環境建構總計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文完成精密狹縫塗佈設備開發,該設備用於平面基板溼式塗膜製程,其塗膜範圍、厚度、均勻度皆可精準控制。可支援狹縫塗佈模具客製化設計,已驗證包括光阻、導電高分子、硬化塗層、表面改質塗層、光學膠、漿料等塗料。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格基板尺寸:370mm x 470mm, 膜厚範圍:0.2?m ~ 200?m, 膜厚變異量:±3% (最佳值), 最大塗速:10m/mi
技術成熟度試量產
可應用範圍舉凡須在平面基板完成高品質塗膜之製程,皆可適用,包括平面顯示器製程、觸控面板製程、背光模組、透明導電基板,太陽能製程等產業。
潛力預估應用於光電產業包括平面顯示器及太陽能電池,全球年產值預估10億
聯絡人員謝志瑋, Chih-Wei Hsieh
電話03-5913904
傳真03-5820043
電子信箱cwhsieh@itri.org.tw
參考網址http://無
所須軟硬體設備同步運動控制技術、高精度運動控制技術
需具備之專業人才精密機械設計人才、電控設計人才、化學化工人才
同步更新日期2019-07-24

序號

5384

產出年度

101

技術名稱-中文

平面基板狹縫塗佈設備技術

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院環境建構總計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

完成精密狹縫塗佈設備開發,該設備用於平面基板溼式塗膜製程,其塗膜範圍、厚度、均勻度皆可精準控制。可支援狹縫塗佈模具客製化設計,已驗證包括光阻、導電高分子、硬化塗層、表面改質塗層、光學膠、漿料等塗料。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

基板尺寸:370mm x 470mm, 膜厚範圍:0.2?m ~ 200?m, 膜厚變異量:±3% (最佳值), 最大塗速:10m/mi

技術成熟度

試量產

可應用範圍

舉凡須在平面基板完成高品質塗膜之製程,皆可適用,包括平面顯示器製程、觸控面板製程、背光模組、透明導電基板,太陽能製程等產業。

潛力預估

應用於光電產業包括平面顯示器及太陽能電池,全球年產值預估10億

聯絡人員

謝志瑋, Chih-Wei Hsieh

電話

03-5913904

傳真

03-5820043

電子信箱

cwhsieh@itri.org.tw

參考網址

http://無

所須軟硬體設備

同步運動控制技術、高精度運動控制技術

需具備之專業人才

精密機械設計人才、電控設計人才、化學化工人才

同步更新日期

2019-07-24

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平面基板狹縫塗佈設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸: 370mm x 470mm 膜厚範圍:0.2µm~200µm 最佳膜厚均勻度:±3% 最大塗速:10m/mi | 潛力預估: 建立塗佈模具設計分析技術、整合精密機械設計開發能力及製程設計分析工具,提升國內平面基板狹縫塗佈設備技術能力,使塗膜品質達國際級水準。

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平面基板狹縫塗佈設備技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 基板尺寸:370mm x 470mm, 膜厚範圍:0.2μm ~ 200μm, 膜厚變異量:±3% (最佳值), 最大塗速:10m/mi | 潛力預估: 應用於光電產業包括平面顯示器及太陽能電池,全球年產值預估10億。

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平面基板狹縫塗佈設備技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸:370mm x 470mm, 膜厚範圍:0.2?m ~ 200?m, 膜厚變異量:±3% (最佳值), 最大塗速:10m/mi | 潛力預估: 應用於光電產業包括平面顯示器及太陽能電池,全球年產值預估10億

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平面基板狹縫塗佈設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸: 370mm x 470mm 膜厚範圍:0.2µm~200µm 最佳膜厚均勻度:±3% 最大塗速:10m/mi | 潛力預估: 建立塗佈模具設計分析技術、整合精密機械設計開發能力及製程設計分析工具,提升國內平面基板狹縫塗佈設備技術能力,使塗膜品質達國際級水準。

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平面基板狹縫塗佈設備技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 基板尺寸:370mm x 470mm, 膜厚範圍:0.2μm ~ 200μm, 膜厚變異量:±3% (最佳值), 最大塗速:10m/mi | 潛力預估: 應用於光電產業包括平面顯示器及太陽能電池,全球年產值預估10億。

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平面基板狹縫塗佈設備技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸:370mm x 470mm, 膜厚範圍:0.2?m ~ 200?m, 膜厚變異量:±3% (最佳值), 最大塗速:10m/mi | 潛力預估: 應用於光電產業包括平面顯示器及太陽能電池,全球年產值預估10億

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圖案化基板塗佈關鍵模組暨製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 塗佈面積:≧G2 (370 mm* 470 mm),塗佈膜厚:≦ 500 nm (搭配材料),膜厚變異量(TD方向):≦ ± 3%。 | 潛力預估: 此技術可進一步發展為超薄薄膜濕式塗佈關鍵設備技術。

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圖案化基板塗佈關鍵模組暨製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 塗佈面積:≧G2 (370 mm* 470 mm),塗佈膜厚:≦ 500 nm (搭配材料),膜厚變異量(TD方向):≦ ± 3%。 | 潛力預估: 此技術可進一步發展為超薄薄膜濕式塗佈關鍵設備技術。

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有機廢水生物淨化技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 有機負荷1500mg/L,水力停留時間24小時,廢水COD去除效率達到90%以上. | 潛力預估: 可徹底解決光電/半導體產業有機廢水問題,提升該產業水回收再利用比例

以分子選殖方式建構 V2 C端表達載體系統並建構nociceptin receptor V2 tail 及 d opioid receptor receptor V2 tail 表達質體

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: G蛋白偶聯接受體藥物研發二年計畫 | 領域: | 技術規格: 本系統可用以快速修飾所選殖GPCR受體基因之C端,將原本形成之pits form變更為vesicle form。對於Transfluor技術平台引進及建立而言,可以降低因訊號太弱所導致之結果誤判,加... | 潛力預估: 研究顯示,DOR主要在調節心肌對交感神經及副交感神經之敏感度,但一些新證據顯示DOR可能與保護心肌缺氧有關。全世界急性心肌缺氧市場約為五億美元,慢性心肌缺氧市場約為十五億美元,相關藥物僅有Genete...

RK5F-NOR、pRK5F-NOR/pNRKhygro-caGRK及NORV2PURO 瞬間轉染的pits / vesicles形成結果比較

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: G蛋白偶聯接受體藥物研發二年計畫 | 領域: | 技術規格: 以細胞瞬間轉染方式分析NOR、NOR伴轉染caGRK、NORV2等三種受體對agonist之反應,以螢光顯微鏡作為分析工具,具體觀察agonist刺激後所形成之pits與vesicle反應。 | 潛力預估: 對於GFP-arrestin穩定表達細胞株進行轉染與伴轉染技術之建立,可進一步了解該細胞株對於轉染種類及成分之感受性與效率。此外,經由比較分析NOR、NOR伴轉染caGRK、NORV2等三種受體對ag...

比較在NORV2PURO transient transfection和以2μM nociceptin 刺激後, 細胞在不同時間點及不同劑量下之pits/vesicles形成

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: G蛋白偶聯接受體藥物研發二年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 分別經由比較分析不同時間點、不同劑量,觀察NOR agonist對於NOR受體之活化狀況,可以深入分析受體對agonist之動力學資料,進而確認所構築受體之反應性,比較所構築受體與原始受體反應狀況之...

鑽石晶圓拋光技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2~4吋鑽石晶圓表面粗糙度有效降低為20nm以下 | 潛力預估: 以加工設備較為低廉及製程溫度並不高,能有效的縮短加工時間並使成本降低,不同的拋光製程及設備可使國內的產業擺脫長期依賴國外技術的現象

藍寶石基板製程技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: TTV<10μm,Ra<0.3nm,Bow\Warp<10μm | 潛力預估: 目前國內預估藍寶石晶圓年需求量約120萬片,產值約達十億元,商機值得投入

硬脆薄膜奈米製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋鑽石晶圓,鑽石膜厚度≦20μm,平均表面粗糙度(Ra) ≦20nm | 潛力預估: 攻佔TFT LCD切刀市場(兩億/年),提供鑽石厚膜協助廠商及早進入市場

微結構光學膜片製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)柱間隔5μm~100μm,棱柱高度5μm ~100μm,棱柱角度30o~150o (2)透鏡直徑2 μm~500μm,透鏡高度2 μm~100μm,最小透鏡間隙 0 μm | 潛力預估: 目前平面顯示器相關產品需求非常大而且未來照明產業的相關應用也將非常廣泛

SOI晶圓製程技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)全域厚度變異≦3μm / ψ150mm,表面粗糙度Ra≦5 A (2)絕緣層厚度 0.5μm~2μm,絕緣層膜厚均勻性≦5% (3)元件層厚度≧8μm (4)元件層厚度均勻性 ±5% | 潛力預估: SOI應用領域相當廣泛,如:微機電元件、High Power IC、光通訊元件等。以SOI晶圓取代目前微機電相關製程技術,可大幅提升產品競爭力,因此,預估在未來3年內SOI晶圓市場將會有爆炸性之成長

奈米微粒製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)研磨分散設備:研磨槽容積:1.6L,切線速度:15m/s,研磨介質粒徑:0.1mm(最小) (2)高壓均質設備:最大壓力:280MPa,流量:25L/hr | 潛力預估: 奈米微粒製造技術開發完成奈米微粒研磨分散設備及高壓均質設備,針對奈米等級微粒粉碎、分散、乳化等濕式製程均可適用,是奈米產業發展的重要設備技術。本技術完成後,可提供國內具備價格、彈性、和性能等優勢的製造...

模組化高剛性平台

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 不放大振動之頻寬為0-200Hz,剛性大於8×108 N/m(地板為完全剛性之狀況) | 潛力預估: 模組化精密高剛性平台技術之開發及應用,可以取代目前重量較重之花崗岩平台或鋼筋混凝土平台,經由平台之減重並維持更高之剛性,可以減輕廠房結構之負擔,增加廠房之使用率。適用於12吋半導體製程及平面顯示器產業...

奈米機械隔振模組技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1-400Hz以內均有減振之效果,其中垂直方向在6Hz以上之減振能力為-14dB(80%),水平方向在6Hz以上之減振能力為-12dB(75%) | 潛力預估: 隨著奈米科技及相關技術之不斷提昇,使得相關之奈米級檢測設備之應用更為普及。對於小型之奈米檢測設備如SPM及AFM,本模組可有效地與檢測設備結合,以取代大型之光學桌及氣墊隔振系統,並且能在低頻提供更好的...

線型馬達高速切削加工機技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: X/Y/Z行程:800×600×500mm X/Y/Z‧??? 最大進給速度:120m/min X/Y/Z‧??? 最大進給加速度:2G‧???主軸最高轉速:24,000rpm | 潛力預估: 近年來高速切削之相關技術蓬勃發展,其應用範圍已從早期侷限於航太業鋁合金切削擴充至汽車業、模具業、電子業,切削材料除傳統的鋁合金切削外,亦包括鑄鐵、合金鋼、複合材料與高硬度材料。高速切削具有高切削量、低...

串列網路伺服運動控制應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ??? 串列網路伺服軸:8軸(Mitsubishi SSCNET),可擴充至16軸/泛用開迴路:4軸/泛用閉迴路:1軸,可擴充至5軸/數位轉類比:2組(16 bits),可擴充至6組/類比轉數位:2組... | 潛力預估: 可實現高速、高精度的定位控制,及多軸即時同步運動控制,在不用增加控制母板下,硬體軸數與IO點數擴充彈性大,為國內光電半導體設備與CNC工具機業,提供了一個降低系統配線複雜度與維護簡單化的有效解決方案。

光通訊TO-Can雷射銲接機

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 雷射束數目:3/雷射型式:Nd:YAG/功率:20 W/視覺與雷射頭分離/X1 軸行程: 50mm, 定位精度: 5μm, 解析度: 0.2μm/Y1軸 (手動) | 潛力預估:

有機廢水生物淨化技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 有機負荷1500mg/L,水力停留時間24小時,廢水COD去除效率達到90%以上. | 潛力預估: 可徹底解決光電/半導體產業有機廢水問題,提升該產業水回收再利用比例

以分子選殖方式建構 V2 C端表達載體系統並建構nociceptin receptor V2 tail 及 d opioid receptor receptor V2 tail 表達質體

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: G蛋白偶聯接受體藥物研發二年計畫 | 領域: | 技術規格: 本系統可用以快速修飾所選殖GPCR受體基因之C端,將原本形成之pits form變更為vesicle form。對於Transfluor技術平台引進及建立而言,可以降低因訊號太弱所導致之結果誤判,加... | 潛力預估: 研究顯示,DOR主要在調節心肌對交感神經及副交感神經之敏感度,但一些新證據顯示DOR可能與保護心肌缺氧有關。全世界急性心肌缺氧市場約為五億美元,慢性心肌缺氧市場約為十五億美元,相關藥物僅有Genete...

RK5F-NOR、pRK5F-NOR/pNRKhygro-caGRK及NORV2PURO 瞬間轉染的pits / vesicles形成結果比較

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: G蛋白偶聯接受體藥物研發二年計畫 | 領域: | 技術規格: 以細胞瞬間轉染方式分析NOR、NOR伴轉染caGRK、NORV2等三種受體對agonist之反應,以螢光顯微鏡作為分析工具,具體觀察agonist刺激後所形成之pits與vesicle反應。 | 潛力預估: 對於GFP-arrestin穩定表達細胞株進行轉染與伴轉染技術之建立,可進一步了解該細胞株對於轉染種類及成分之感受性與效率。此外,經由比較分析NOR、NOR伴轉染caGRK、NORV2等三種受體對ag...

比較在NORV2PURO transient transfection和以2μM nociceptin 刺激後, 細胞在不同時間點及不同劑量下之pits/vesicles形成

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: G蛋白偶聯接受體藥物研發二年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 分別經由比較分析不同時間點、不同劑量,觀察NOR agonist對於NOR受體之活化狀況,可以深入分析受體對agonist之動力學資料,進而確認所構築受體之反應性,比較所構築受體與原始受體反應狀況之...

鑽石晶圓拋光技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2~4吋鑽石晶圓表面粗糙度有效降低為20nm以下 | 潛力預估: 以加工設備較為低廉及製程溫度並不高,能有效的縮短加工時間並使成本降低,不同的拋光製程及設備可使國內的產業擺脫長期依賴國外技術的現象

藍寶石基板製程技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: TTV<10μm,Ra<0.3nm,Bow\Warp<10μm | 潛力預估: 目前國內預估藍寶石晶圓年需求量約120萬片,產值約達十億元,商機值得投入

硬脆薄膜奈米製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋鑽石晶圓,鑽石膜厚度≦20μm,平均表面粗糙度(Ra) ≦20nm | 潛力預估: 攻佔TFT LCD切刀市場(兩億/年),提供鑽石厚膜協助廠商及早進入市場

微結構光學膜片製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)柱間隔5μm~100μm,棱柱高度5μm ~100μm,棱柱角度30o~150o (2)透鏡直徑2 μm~500μm,透鏡高度2 μm~100μm,最小透鏡間隙 0 μm | 潛力預估: 目前平面顯示器相關產品需求非常大而且未來照明產業的相關應用也將非常廣泛

SOI晶圓製程技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)全域厚度變異≦3μm / ψ150mm,表面粗糙度Ra≦5 A (2)絕緣層厚度 0.5μm~2μm,絕緣層膜厚均勻性≦5% (3)元件層厚度≧8μm (4)元件層厚度均勻性 ±5% | 潛力預估: SOI應用領域相當廣泛,如:微機電元件、High Power IC、光通訊元件等。以SOI晶圓取代目前微機電相關製程技術,可大幅提升產品競爭力,因此,預估在未來3年內SOI晶圓市場將會有爆炸性之成長

奈米微粒製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)研磨分散設備:研磨槽容積:1.6L,切線速度:15m/s,研磨介質粒徑:0.1mm(最小) (2)高壓均質設備:最大壓力:280MPa,流量:25L/hr | 潛力預估: 奈米微粒製造技術開發完成奈米微粒研磨分散設備及高壓均質設備,針對奈米等級微粒粉碎、分散、乳化等濕式製程均可適用,是奈米產業發展的重要設備技術。本技術完成後,可提供國內具備價格、彈性、和性能等優勢的製造...

模組化高剛性平台

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 不放大振動之頻寬為0-200Hz,剛性大於8×108 N/m(地板為完全剛性之狀況) | 潛力預估: 模組化精密高剛性平台技術之開發及應用,可以取代目前重量較重之花崗岩平台或鋼筋混凝土平台,經由平台之減重並維持更高之剛性,可以減輕廠房結構之負擔,增加廠房之使用率。適用於12吋半導體製程及平面顯示器產業...

奈米機械隔振模組技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1-400Hz以內均有減振之效果,其中垂直方向在6Hz以上之減振能力為-14dB(80%),水平方向在6Hz以上之減振能力為-12dB(75%) | 潛力預估: 隨著奈米科技及相關技術之不斷提昇,使得相關之奈米級檢測設備之應用更為普及。對於小型之奈米檢測設備如SPM及AFM,本模組可有效地與檢測設備結合,以取代大型之光學桌及氣墊隔振系統,並且能在低頻提供更好的...

線型馬達高速切削加工機技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: X/Y/Z行程:800×600×500mm X/Y/Z‧??? 最大進給速度:120m/min X/Y/Z‧??? 最大進給加速度:2G‧???主軸最高轉速:24,000rpm | 潛力預估: 近年來高速切削之相關技術蓬勃發展,其應用範圍已從早期侷限於航太業鋁合金切削擴充至汽車業、模具業、電子業,切削材料除傳統的鋁合金切削外,亦包括鑄鐵、合金鋼、複合材料與高硬度材料。高速切削具有高切削量、低...

串列網路伺服運動控制應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ??? 串列網路伺服軸:8軸(Mitsubishi SSCNET),可擴充至16軸/泛用開迴路:4軸/泛用閉迴路:1軸,可擴充至5軸/數位轉類比:2組(16 bits),可擴充至6組/類比轉數位:2組... | 潛力預估: 可實現高速、高精度的定位控制,及多軸即時同步運動控制,在不用增加控制母板下,硬體軸數與IO點數擴充彈性大,為國內光電半導體設備與CNC工具機業,提供了一個降低系統配線複雜度與維護簡單化的有效解決方案。

光通訊TO-Can雷射銲接機

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 雷射束數目:3/雷射型式:Nd:YAG/功率:20 W/視覺與雷射頭分離/X1 軸行程: 50mm, 定位精度: 5μm, 解析度: 0.2μm/Y1軸 (手動) | 潛力預估:

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