矽酮高分子分析研判
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技術名稱-中文矽酮高分子分析研判的執行單位是中科院化學所, 產出年度是101, 計畫名稱是高值化學品技術開發與應用四年計畫, 技術規格是"官能基、分子量、成分組成分析", 潛力預估是矽酮高分子原料IR、NMR、GPC鑑定技術對研發、品管均為必要需求,可自行使用,開放技服商機無限。.

序號5569
產出年度101
技術名稱-中文矽酮高分子分析研判
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱高值化學品技術開發與應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文"電子相關商品功能要求越來越高,所需要的材料性能也越要更耐熱、更透明、更耐候,矽酮高分子是不可或缺的選擇,自 己有分析能量才能建立品管能力,且可辨別購買之高價矽酮高分子之品質以免影響產品良率。 "
技術現況敘述-英文(空)
技術規格"官能基、分子量、成分組成分析"
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍任何矽酮高分子原料IR、NMR、GPC鑑定技術應用。
潛力預估矽酮高分子原料IR、NMR、GPC鑑定技術對研發、品管均為必要需求,可自行使用,開放技服商機無限。
聯絡人員楊正乾
電話(03)4712201#358063
傳真(03)4719940
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址http://www.csistdup.org.tw
所須軟硬體設備一般化學合成設備及IR、NMR、GPC 光譜分析儀。
需具備之專業人才化學合成及化學分析儀器專業背景
同步更新日期2023-07-22

序號

5569

產出年度

101

技術名稱-中文

矽酮高分子分析研判

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

高值化學品技術開發與應用四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

"電子相關商品功能要求越來越高,所需要的材料性能也越要更耐熱、更透明、更耐候,矽酮高分子是不可或缺的選擇,自 己有分析能量才能建立品管能力,且可辨別購買之高價矽酮高分子之品質以免影響產品良率。 "

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

"官能基、分子量、成分組成分析"

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

任何矽酮高分子原料IR、NMR、GPC鑑定技術應用。

潛力預估

矽酮高分子原料IR、NMR、GPC鑑定技術對研發、品管均為必要需求,可自行使用,開放技服商機無限。

聯絡人員

楊正乾

電話

(03)4712201#358063

傳真

(03)4719940

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

http://www.csistdup.org.tw

所須軟硬體設備

一般化學合成設備及IR、NMR、GPC 光譜分析儀。

需具備之專業人才

化學合成及化學分析儀器專業背景

同步更新日期

2023-07-22

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# 03 4712201 358063 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號14557
產出年度103
領域別民生福祉
專利名稱-中文Germs resisting and self cleaning infiltration thin film and manufacturing method thereof
執行單位中科院化學研究所
產出單位中科院化學研究所
計畫名稱高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人楊正乾、吳國輝、古旺彩
核准國家美國
獲證日期99/03/25
證書號碼US8415408B2
專利期間起119/03/24
專利期間訖The invention provides a germs resisting and self-cleaning.infiltration thin film and manufacturing method thereof. At first, a Polyethyleneimine (PEI) and a Polyvinyl Alcohol (PVA) are used to make a polymer thin film. Then, a germ resistant and an inorganic metal oxide are added into the polymer thin film to form the selective infiltration thin film capable of resisting germs and self-cleaning.
專利性質發明
技術摘要-中文The invention provides a germs resisting and self-cleaning.infiltration thin film and manufacturing method thereof. At first, a Polyethyleneimine (PEI) and a Polyvinyl Alcohol (PVA) are used to make a polymer thin film. Then, a germ resistant and an inorganic metal oxide are added into the polymer thin film to form the selective infiltration thin film capable of resisting germs and self-cleaning.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊正乾
電話03-4712201#358063
傳真03-4116381
電子信箱csist@csistdup.org
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 14557
產出年度: 103
領域別: 民生福祉
專利名稱-中文: Germs resisting and self cleaning infiltration thin film and manufacturing method thereof
執行單位: 中科院化學研究所
產出單位: 中科院化學研究所
計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人: 楊正乾、吳國輝、古旺彩
核准國家: 美國
獲證日期: 99/03/25
證書號碼: US8415408B2
專利期間起: 119/03/24
專利期間訖: The invention provides a germs resisting and self-cleaning.infiltration thin film and manufacturing method thereof. At first, a Polyethyleneimine (PEI) and a Polyvinyl Alcohol (PVA) are used to make a polymer thin film. Then, a germ resistant and an inorganic metal oxide are added into the polymer thin film to form the selective infiltration thin film capable of resisting germs and self-cleaning.
專利性質: 發明
技術摘要-中文: The invention provides a germs resisting and self-cleaning.infiltration thin film and manufacturing method thereof. At first, a Polyethyleneimine (PEI) and a Polyvinyl Alcohol (PVA) are used to make a polymer thin film. Then, a germ resistant and an inorganic metal oxide are added into the polymer thin film to form the selective infiltration thin film capable of resisting germs and self-cleaning.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 楊正乾
電話: 03-4712201#358063
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03 4712201 358063 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號14556
產出年度103
領域別民生福祉
專利名稱-中文側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂及其製備方法及含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料之製備方法
執行單位中科院化學研究所
產出單位中科院化學研究所
計畫名稱高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人楊正乾、馬振基
核准國家中華民國
獲證日期102/03/11
證書號碼I388585
專利期間起117/08/20
專利期間訖本發明關於一種側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂及其製備方法及含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料之製備方法,側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂包括籠狀聚倍半矽氧烷基團連接於環氧樹脂(DGEBA)之側邊。側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂之製備方法,其步驟包括將環氧樹脂和籠狀聚倍半矽氧烷反應形成側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂。含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料之製備方法,其步驟包括:將環氧樹脂(DGEBA)和側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂反應得到含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料。側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂能均勻分散於含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料中。
專利性質發明
技術摘要-中文本發明關於一種側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂及其製備方法及含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料之製備方法,側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂包括籠狀聚倍半矽氧烷基團連接於環氧樹脂(DGEBA)之側邊。側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂之製備方法,其步驟包括將環氧樹脂和籠狀聚倍半矽氧烷反應形成側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂。含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料之製備方法,其步驟包括:將環氧樹脂(DGEBA)和側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂反應得到含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料。側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂能均勻分散於含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料中。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊正乾
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 14556
產出年度: 103
領域別: 民生福祉
專利名稱-中文: 側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂及其製備方法及含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料之製備方法
執行單位: 中科院化學研究所
產出單位: 中科院化學研究所
計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人: 楊正乾、馬振基
核准國家: 中華民國
獲證日期: 102/03/11
證書號碼: I388585
專利期間起: 117/08/20
專利期間訖: 本發明關於一種側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂及其製備方法及含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料之製備方法,側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂包括籠狀聚倍半矽氧烷基團連接於環氧樹脂(DGEBA)之側邊。側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂之製備方法,其步驟包括將環氧樹脂和籠狀聚倍半矽氧烷反應形成側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂。含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料之製備方法,其步驟包括:將環氧樹脂(DGEBA)和側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂反應得到含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料。側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂能均勻分散於含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料中。
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明關於一種側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂及其製備方法及含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料之製備方法,側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂包括籠狀聚倍半矽氧烷基團連接於環氧樹脂(DGEBA)之側邊。側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂之製備方法,其步驟包括將環氧樹脂和籠狀聚倍半矽氧烷反應形成側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂。含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料之製備方法,其步驟包括:將環氧樹脂(DGEBA)和側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂反應得到含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料。側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂能均勻分散於含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料中。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 楊正乾
電話: 03-4712201#358063
傳真: 03-4116381
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特殊情形: (空)

# 03 4712201 358063 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號5566
產出年度101
技術名稱-中文碳三撥水劑之水性接著劑測試
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱高值化學品技術開發與應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文氟素高分子材料有最好的撥水、撥油性質,但在實用上必須與其他材料如壓克力纖維黏合應用價值更高,而其間的接著甚為重要,水性接著劑有環保上的要求是將來趨勢。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格黏度: 10000~60000 cps、固含量:20~50%
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍氟素高分子材料與高分子纖維的接著
潛力預估織物輕量化、功能性化、防水透濕、保暖,氟素高分子材料的應用價值越來越重要,將來市場會越來越大。
聯絡人員楊正乾
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參考網址www.csistdup.org.tw
所須軟硬體設備一般化學合成設備
需具備之專業人才化學化工專業背景
序號: 5566
產出年度: 101
技術名稱-中文: 碳三撥水劑之水性接著劑測試
執行單位: 中科院化學所
產出單位: (空)
計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 氟素高分子材料有最好的撥水、撥油性質,但在實用上必須與其他材料如壓克力纖維黏合應用價值更高,而其間的接著甚為重要,水性接著劑有環保上的要求是將來趨勢。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 黏度: 10000~60000 cps、固含量:20~50%
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 氟素高分子材料與高分子纖維的接著
潛力預估: 織物輕量化、功能性化、防水透濕、保暖,氟素高分子材料的應用價值越來越重要,將來市場會越來越大。
聯絡人員: 楊正乾
電話: (03)4712201#358063
傳真: (03)4719940
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參考網址: www.csistdup.org.tw
所須軟硬體設備: 一般化學合成設備
需具備之專業人才: 化學化工專業背景

# 03 4712201 358063 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號5567
產出年度101
技術名稱-中文建立矽橡膠研發能量
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱高值化學品技術開發與應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文"電子相關商品功能要求越來越高,所需要的材料性能也越要更耐熱、更透明、更耐候,矽橡膠是不可或缺的選擇,自己有研發能量才不會受制於人,建立矽橡膠製備能量不但必要而且必須。 "
技術現況敘述-英文(空)
技術規格"矽橡膠 30-~3500cps,矽橡膠:SiO2:TiO2 100:20:20,Si(OEt)4 1~10%,Sn催化劑 0.5% 。"
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍電子灌注膠
潛力預估電子相關商品均需使用,產品應用市場相當廣
聯絡人員楊正乾
電話(03)4712201#358063
傳真(03)4719940
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址www.csistdup.org.tw
所須軟硬體設備一般化學合成設備
需具備之專業人才化學化工專業背景
序號: 5567
產出年度: 101
技術名稱-中文: 建立矽橡膠研發能量
執行單位: 中科院化學所
產出單位: (空)
計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: "電子相關商品功能要求越來越高,所需要的材料性能也越要更耐熱、更透明、更耐候,矽橡膠是不可或缺的選擇,自己有研發能量才不會受制於人,建立矽橡膠製備能量不但必要而且必須。 "
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: "矽橡膠 30-~3500cps,矽橡膠:SiO2:TiO2 100:20:20,Si(OEt)4 1~10%,Sn催化劑 0.5% 。"
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 電子灌注膠
潛力預估: 電子相關商品均需使用,產品應用市場相當廣
聯絡人員: 楊正乾
電話: (03)4712201#358063
傳真: (03)4719940
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
參考網址: www.csistdup.org.tw
所須軟硬體設備: 一般化學合成設備
需具備之專業人才: 化學化工專業背景

# 03 4712201 358063 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號9256
產出年度101
領域別材料化工
專利名稱-中文梯狀含磷聚倍半矽氧烷有機/無機奈米複合材料之製造方法
執行單位中科院化學所
產出單位中科院四所
計畫名稱高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人楊正乾,馬振基,古旺彩,彭運鑫
核准國家中華民國
獲證日期100/05/17
證書號碼I341849
專利期間起100/05/11
專利期間訖116/02/09
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係為一種梯狀含磷聚倍半矽氧烷有機/無機奈米複合材料之製造方法,其係揭示梯狀聚倍半矽氧烷與改質之環氧樹脂進行反應,顯示焦碳殘餘量(charyield)以及厭氧指數(LimitingOxygenIndex)提升之外,其熱裂解速率並有大幅減緩之趨勢,展現出優異之難燃性及熱安定性,所得到之奈米複合材料不因聚倍半矽氧烷之含量增加而減少透光性,增加其應用上(裝潢塗料、保護性塗料等)之優異性。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊正乾
電話03-4712201#358063
傳真(03)4713119
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 9256
產出年度: 101
領域別: 材料化工
專利名稱-中文: 梯狀含磷聚倍半矽氧烷有機/無機奈米複合材料之製造方法
執行單位: 中科院化學所
產出單位: 中科院四所
計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人: 楊正乾,馬振基,古旺彩,彭運鑫
核准國家: 中華民國
獲證日期: 100/05/17
證書號碼: I341849
專利期間起: 100/05/11
專利期間訖: 116/02/09
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係為一種梯狀含磷聚倍半矽氧烷有機/無機奈米複合材料之製造方法,其係揭示梯狀聚倍半矽氧烷與改質之環氧樹脂進行反應,顯示焦碳殘餘量(charyield)以及厭氧指數(LimitingOxygenIndex)提升之外,其熱裂解速率並有大幅減緩之趨勢,展現出優異之難燃性及熱安定性,所得到之奈米複合材料不因聚倍半矽氧烷之含量增加而減少透光性,增加其應用上(裝潢塗料、保護性塗料等)之優異性。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 楊正乾
電話: 03-4712201#358063
傳真: (03)4713119
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03 4712201 358063 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號9257
產出年度101
領域別材料化工
專利名稱-中文Epoxy/modifiedsilicondioxidecorrosionresistantnanocompositematerialandpreparationmethodthereof
執行單位中科院化學所
產出單位中科院四所
計畫名稱高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人楊正乾、葉瑞銘
核准國家美國
獲證日期100/02/08
證書號碼US7884176B2
專利期間起96/10/05
專利期間訖116/10/05
專利性質發明
技術摘要-中文Anepoxy/modifiedsilicondioxidecorrosionresistantnanocompositematerialandpreparationmethodthereofaredisclosed.themethodincludes:addingtriphenylolmethanetriglycidyletherand1,4-butanedioldigylycidyletheritoproduceglycidylether/TSorTASsolution.addacuringagenttogenerateepoxy/TSsolutionorTASsolution.AftercuringobtainAnepoxy/modifiedsilicondioxidecorrosionresistantnanocompositematerial.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊正乾
電話03-4712201#358063
傳真(03)4713119
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 9257
產出年度: 101
領域別: 材料化工
專利名稱-中文: Epoxy/modifiedsilicondioxidecorrosionresistantnanocompositematerialandpreparationmethodthereof
執行單位: 中科院化學所
產出單位: 中科院四所
計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人: 楊正乾、葉瑞銘
核准國家: 美國
獲證日期: 100/02/08
證書號碼: US7884176B2
專利期間起: 96/10/05
專利期間訖: 116/10/05
專利性質: 發明
技術摘要-中文: Anepoxy/modifiedsilicondioxidecorrosionresistantnanocompositematerialandpreparationmethodthereofaredisclosed.themethodincludes:addingtriphenylolmethanetriglycidyletherand1,4-butanedioldigylycidyletheritoproduceglycidylether/TSorTASsolution.addacuringagenttogenerateepoxy/TSsolutionorTASsolution.AftercuringobtainAnepoxy/modifiedsilicondioxidecorrosionresistantnanocompositematerial.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 楊正乾
電話: 03-4712201#358063
傳真: (03)4713119
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03 4712201 358063 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號9258
產出年度101
領域別材料化工
專利名稱-中文Epoxycompositematerialcontainingpolyaniline/carbonblackandpreparationmethodthereof
執行單位中科院化學所
產出單位中科院四所
計畫名稱高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人楊正乾、吳國輝
核准國家美國
獲證日期100/01/14
證書號碼US7834068B2
專利期間起96/10/30
專利期間訖116/10/30
專利性質發明
技術摘要-中文Dispersingapluralityofpolyaniline/carboncompositewithcore-shellstuructureintheepoxyresintoproducetheepoxycompositematerialcontainingpolyaniline/carbonblackbeingappliedtoconductivecoatingormicrowaveabsorbingelements.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊正乾
電話03-4712201#358063
傳真(03)4713119
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 9258
產出年度: 101
領域別: 材料化工
專利名稱-中文: Epoxycompositematerialcontainingpolyaniline/carbonblackandpreparationmethodthereof
執行單位: 中科院化學所
產出單位: 中科院四所
計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人: 楊正乾、吳國輝
核准國家: 美國
獲證日期: 100/01/14
證書號碼: US7834068B2
專利期間起: 96/10/30
專利期間訖: 116/10/30
專利性質: 發明
技術摘要-中文: Dispersingapluralityofpolyaniline/carboncompositewithcore-shellstuructureintheepoxyresintoproducetheepoxycompositematerialcontainingpolyaniline/carbonblackbeingappliedtoconductivecoatingormicrowaveabsorbingelements.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 楊正乾
電話: 03-4712201#358063
傳真: (03)4713119
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03 4712201 358063 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號9260
產出年度101
領域別材料化工
專利名稱-中文Carbonnanotubecompoundandmethodforproducingthesame
執行單位中科院化學所
產出單位中科院四所
計畫名稱高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人楊正乾、葉瑞銘
核准國家美國
獲證日期100/04/12
證書號碼US7923527B1
專利期間起98/10/14
專利期間訖118/10/14
專利性質發明
技術摘要-中文Theinventionprovidesacarbonnanotubecompoundandmethodforproducingthesame.Themethodoftheinventioncomprisesthefollowingsteps.Firstly,Aniline-trimerandDMAc(dimethylacetamide)solutionaremixedtoformafirstsolution.Secondly,DianhydrideandDMAcsolutionaremixedtoformasecondsolution.Thefirstsolutionandthesecondaremixedtoformathirdsolution.Additionally,carboxyl-multiwallcarbonnanotube(c-MWNT),DiaminodiphenyletherandDMAcsolutionaremixedtoformafourthsolution.Thethirdsolutionandthefourtharemixedtoformapolyamicacid/c-MWNTsolution.Somepolyamicacid/c-MWNTsolutionisspreadonasubstrateandprocessedwithathermaltreatment,andacarbonnanotubecompoundiseventuallyproduced.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊正乾
電話03-4712201#358063
傳真(03)4713119
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 9260
產出年度: 101
領域別: 材料化工
專利名稱-中文: Carbonnanotubecompoundandmethodforproducingthesame
執行單位: 中科院化學所
產出單位: 中科院四所
計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人: 楊正乾、葉瑞銘
核准國家: 美國
獲證日期: 100/04/12
證書號碼: US7923527B1
專利期間起: 98/10/14
專利期間訖: 118/10/14
專利性質: 發明
技術摘要-中文: Theinventionprovidesacarbonnanotubecompoundandmethodforproducingthesame.Themethodoftheinventioncomprisesthefollowingsteps.Firstly,Aniline-trimerandDMAc(dimethylacetamide)solutionaremixedtoformafirstsolution.Secondly,DianhydrideandDMAcsolutionaremixedtoformasecondsolution.Thefirstsolutionandthesecondaremixedtoformathirdsolution.Additionally,carboxyl-multiwallcarbonnanotube(c-MWNT),DiaminodiphenyletherandDMAcsolutionaremixedtoformafourthsolution.Thethirdsolutionandthefourtharemixedtoformapolyamicacid/c-MWNTsolution.Somepolyamicacid/c-MWNTsolutionisspreadonasubstrateandprocessedwithathermaltreatment,andacarbonnanotubecompoundiseventuallyproduced.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 楊正乾
電話: 03-4712201#358063
傳真: (03)4713119
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
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備註: (空)
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與矽酮高分子分析研判同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

多元合金細晶及成形技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 鎂鋁合金材料晶粒尺寸﹤1mm、鎂鋁合金材料伸長率> 300%、多元合金塗層具有﹤5w /m. k之熱傳導率及Hv500以上之硬度 | 潛力預估: 3C產品鎂鋁合金外殼產值目前有80億, 預估每年有20-30%之成長率

奈米一維材料製造技術-垂直氧化鋅奈米線技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 一維氧化鋅奈米線材料之垂直有序排列的技術:氧化鋅奈米線/纖維材料之成長於Si基板角度為70o~90o;氧化鋅奈米線/纖維材料之寬徑30~300nm;氧化鋅奈米線/纖維材料長度≧2.5μm | 潛力預估: 本研究初期成果已克服了垂直氧化鋅奈米線在矽基板成長之障礙,並且成功驗證垂直氧化鋅奈米線在場發射功能,在此有利之基礎上,提高控制性與大面積之成長技術建立強化,並對於多種性質之其它光電元件用基板材之實施,...

微波材料測試治具開發技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材料K,Q量測, 測試頻率<65GHz, 1<K<100,10<Q<1’10000,誤差£±0.5% | 潛力預估: 建立壓電膜材之壓電參數量測技術,支援相關應用產品開發。提供確認壓電膜材製作技術與產品設計開發可行性評估。可以利用已有的技術開發國內還沒有的量測系統,提供壓電薄膜在wafer level階段時的定量量...

高離子導電性質子傳導膜應用評估技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧半氟系磺酸化離子高分子材料 ‧質子導電度:8*10-2 S/cm ‧甲醇穿透度:8*10-7 cm2/sec ‧膨潤性:40-60wt% ‧耐熱性:>250℃ | 潛力預估: 攜帶型產品電力消耗與日遽增,在今日電子產品小型化、多功能化的趨勢下,對電池的要求也日漸升高。目前鋰電池的能量密度已接近發展的極限(500~600Whr/l),未來高能量密度電池之開發為目前各消費電子大...

化學鍍活化液與其化學鍍技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧化學鍍速率>0.25 ug/cm2.S ‧粒子平均粒徑12個月 | 潛力預估: 化學鍍活化液及其化學鍍技術,為一針對未來實行化學鍍進行超薄薄膜製程與習用化學鍍活化液缺點所設計,是以金屬奈米粒子觀念為出發點,當隨粒子粒徑越小時,比表面積越高,催化活性也越強,再加上粒子表面有有機穩定...

MB-OFDM UWB Matlab Baseband Simulation Platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: - 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform。 - Group A,B,C,D,E ... | 潛力預估: 可搶攻UWB、Wireless USB等市場,極具市場潛力

聚合型旋光性液晶化學品開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: HTP=30.44mm-1之旋光性液晶單體,純度>98% | 潛力預估: 聚合型高螺旋扭轉力液晶單體全球市場4億日元,市場佔有率若以5%計算約為新台幣500萬元/年,增亮膜市場約新台幣3000萬/年

12吋晶圓廠製程排水回收計畫

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商提升水回收率10~15% | 潛力預估: 根據力晶12吋廠實際推動的經驗,不僅可提升回收水質與水回率,且因機台排管分流資料庫的建立,大幅提升污染事故的處置效率與經濟效益。

大面積TFT-LCD 光激化乾式清洗技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃基板經 UV 光照射清洗後,基板上五點接觸角平均 < 10度 | 潛力預估: 應映2008年LCD設備國產化需達50%之目標,故國內廠商需積極佈局易跨入之前段製程設備,此製程技術與設備皆為前段清洗設備必須。

晶圓表面有機污染檢測技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成Trinton-X-100 1 ppm及50 ppm的檢量線 | 潛力預估: 高科技業中微污染控制是很重要的議題,任何的微量有機殘留都會影響製程與良率,因此有機物殘留檢測技術的建立,除了可以驗證清洗效率外,並能確保substrate表面之潔淨度。

奈米用水系統微量有機物質氧化去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 0.13 mm 製程水質規格:TOC ≦ 0.8 ppb、Bacteria < 1 cfu/ml、total SiO2 ≦ 1 ppb、ion < 20 ppt、Particle ≦ 2 count... | 潛力預估: 應映奈米及高科技製程所需用水規格,科針對國內12吋晶圓及下世代大尺寸的用水系統進行設計。

以ST微控器為控制核心之無感測直流無刷馬達驅動器

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 有機會應用於風扇負載,或直流變頻壓縮機,展現節能效益,或更進一步的控制。此為其商業淺力。

UV/O3系統實廠操作技術評估與開發

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 科學園區管理局之污水納管管制條例,以及製程用水回收率需達85%之規定皆促使廠商進行有機廢水之處理

電子式溫度資料蒐集紀錄元件

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: -30o~70oC±0.6oC(-20o~50o)/±1.2oC其他範圍,紅外線傳輸,工作條件:-20o~70oC,5~95﹪RH | 潛力預估: 搭配蓄冷保溫櫃與保溫箱使用,推動全溫層保鮮服務,由於價格與進口產品比較具備相當高的競爭優勢,預估國內需求量每年超過1000個以上,加上授權廠家具備接受國外OEM及行銷能力,其評估每年出口(OEM)應可...

雨水貯留供水系統可行性評估系統

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 輔助設計軟體。 | 潛力預估: 因應建築規則,綠建築專章已通過,建築設計市場需求殷切。

多元合金細晶及成形技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 鎂鋁合金材料晶粒尺寸﹤1mm、鎂鋁合金材料伸長率> 300%、多元合金塗層具有﹤5w /m. k之熱傳導率及Hv500以上之硬度 | 潛力預估: 3C產品鎂鋁合金外殼產值目前有80億, 預估每年有20-30%之成長率

奈米一維材料製造技術-垂直氧化鋅奈米線技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 一維氧化鋅奈米線材料之垂直有序排列的技術:氧化鋅奈米線/纖維材料之成長於Si基板角度為70o~90o;氧化鋅奈米線/纖維材料之寬徑30~300nm;氧化鋅奈米線/纖維材料長度≧2.5μm | 潛力預估: 本研究初期成果已克服了垂直氧化鋅奈米線在矽基板成長之障礙,並且成功驗證垂直氧化鋅奈米線在場發射功能,在此有利之基礎上,提高控制性與大面積之成長技術建立強化,並對於多種性質之其它光電元件用基板材之實施,...

微波材料測試治具開發技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材料K,Q量測, 測試頻率<65GHz, 1<K<100,10<Q<1’10000,誤差£±0.5% | 潛力預估: 建立壓電膜材之壓電參數量測技術,支援相關應用產品開發。提供確認壓電膜材製作技術與產品設計開發可行性評估。可以利用已有的技術開發國內還沒有的量測系統,提供壓電薄膜在wafer level階段時的定量量...

高離子導電性質子傳導膜應用評估技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧半氟系磺酸化離子高分子材料 ‧質子導電度:8*10-2 S/cm ‧甲醇穿透度:8*10-7 cm2/sec ‧膨潤性:40-60wt% ‧耐熱性:>250℃ | 潛力預估: 攜帶型產品電力消耗與日遽增,在今日電子產品小型化、多功能化的趨勢下,對電池的要求也日漸升高。目前鋰電池的能量密度已接近發展的極限(500~600Whr/l),未來高能量密度電池之開發為目前各消費電子大...

化學鍍活化液與其化學鍍技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧化學鍍速率>0.25 ug/cm2.S ‧粒子平均粒徑12個月 | 潛力預估: 化學鍍活化液及其化學鍍技術,為一針對未來實行化學鍍進行超薄薄膜製程與習用化學鍍活化液缺點所設計,是以金屬奈米粒子觀念為出發點,當隨粒子粒徑越小時,比表面積越高,催化活性也越強,再加上粒子表面有有機穩定...

MB-OFDM UWB Matlab Baseband Simulation Platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: - 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform。 - Group A,B,C,D,E ... | 潛力預估: 可搶攻UWB、Wireless USB等市場,極具市場潛力

聚合型旋光性液晶化學品開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: HTP=30.44mm-1之旋光性液晶單體,純度>98% | 潛力預估: 聚合型高螺旋扭轉力液晶單體全球市場4億日元,市場佔有率若以5%計算約為新台幣500萬元/年,增亮膜市場約新台幣3000萬/年

12吋晶圓廠製程排水回收計畫

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商提升水回收率10~15% | 潛力預估: 根據力晶12吋廠實際推動的經驗,不僅可提升回收水質與水回率,且因機台排管分流資料庫的建立,大幅提升污染事故的處置效率與經濟效益。

大面積TFT-LCD 光激化乾式清洗技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃基板經 UV 光照射清洗後,基板上五點接觸角平均 < 10度 | 潛力預估: 應映2008年LCD設備國產化需達50%之目標,故國內廠商需積極佈局易跨入之前段製程設備,此製程技術與設備皆為前段清洗設備必須。

晶圓表面有機污染檢測技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成Trinton-X-100 1 ppm及50 ppm的檢量線 | 潛力預估: 高科技業中微污染控制是很重要的議題,任何的微量有機殘留都會影響製程與良率,因此有機物殘留檢測技術的建立,除了可以驗證清洗效率外,並能確保substrate表面之潔淨度。

奈米用水系統微量有機物質氧化去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 0.13 mm 製程水質規格:TOC ≦ 0.8 ppb、Bacteria < 1 cfu/ml、total SiO2 ≦ 1 ppb、ion < 20 ppt、Particle ≦ 2 count... | 潛力預估: 應映奈米及高科技製程所需用水規格,科針對國內12吋晶圓及下世代大尺寸的用水系統進行設計。

以ST微控器為控制核心之無感測直流無刷馬達驅動器

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 有機會應用於風扇負載,或直流變頻壓縮機,展現節能效益,或更進一步的控制。此為其商業淺力。

UV/O3系統實廠操作技術評估與開發

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 科學園區管理局之污水納管管制條例,以及製程用水回收率需達85%之規定皆促使廠商進行有機廢水之處理

電子式溫度資料蒐集紀錄元件

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: -30o~70oC±0.6oC(-20o~50o)/±1.2oC其他範圍,紅外線傳輸,工作條件:-20o~70oC,5~95﹪RH | 潛力預估: 搭配蓄冷保溫櫃與保溫箱使用,推動全溫層保鮮服務,由於價格與進口產品比較具備相當高的競爭優勢,預估國內需求量每年超過1000個以上,加上授權廠家具備接受國外OEM及行銷能力,其評估每年出口(OEM)應可...

雨水貯留供水系統可行性評估系統

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 輔助設計軟體。 | 潛力預估: 因應建築規則,綠建築專章已通過,建築設計市場需求殷切。

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