MEMS振盪器
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文MEMS振盪器的執行單位是工研院南分院, 產出年度是101, 計畫名稱是南部新興產業發展關鍵技術計畫, 技術規格是頻率: 50MHz-400MHz，Q值: 30,000@400MHz，溫度係數:<29ppm/C。, 潛力預估是挾帶體積小、低成本等優勢，可望隨著技術進步，在振盪器市場，由低至高精準度規格，逐漸取代石英晶體。.

序號	5867
產出年度	101
技術名稱-中文	MEMS振盪器
執行單位	工研院南分院
產出單位	(空)
計畫名稱	南部新興產業發展關鍵技術計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	透過微機電製程，已實現具奈米級電容驅動方式的MEMS共振器，並研發自有高Q值、低阻抗等專利技術。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	頻率: 50MHz-400MHz，Q值: 30,000@400MHz，溫度係數:<29ppm/C。
技術成熟度	雛型
可應用範圍	行動電話、筆記型電腦、遊戲玩具、車用電子等電路中的時序元件。
潛力預估	挾帶體積小、低成本等優勢，可望隨著技術進步，在振盪器市場，由低至高精準度規格，逐漸取代石英晶體。
聯絡人員	蘇修璋
電話	06-3847194
傳真	06-3847294
電子信箱	ian.su@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720
所須軟硬體設備	微機電元件模擬軟體，半導體製程設備(曝光機、薄膜設備、蝕刻設備)。
需具備之專業人才	電子電路、半導體製程、微機電、機械相關背景。
同步更新日期	2024-09-03

序號

5867

產出年度

101

技術名稱-中文

MEMS振盪器

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

南部新興產業發展關鍵技術計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

透過微機電製程，已實現具奈米級電容驅動方式的MEMS共振器，並研發自有高Q值、低阻抗等專利技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

頻率: 50MHz-400MHz，Q值: 30,000@400MHz，溫度係數:<29ppm/C。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

行動電話、筆記型電腦、遊戲玩具、車用電子等電路中的時序元件。

潛力預估

挾帶體積小、低成本等優勢，可望隨著技術進步，在振盪器市場，由低至高精準度規格，逐漸取代石英晶體。

聯絡人員

蘇修璋

電話

06-3847194

傳真

06-3847294

電子信箱

ian.su@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720

所須軟硬體設備

微機電元件模擬軟體，半導體製程設備(曝光機、薄膜設備、蝕刻設備)。

需具備之專業人才

電子電路、半導體製程、微機電、機械相關背景。

同步更新日期

2024-09-03

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具低運動阻抗與高功率負載特性之微機械共振器應用於單晶片CMOS-MEMS振盪器電路	作者: 蘇煥鈞 \| 指導教授: 李昇憲 \| 學位類別: 碩士 \| 畢業學年度: 103 \| 論文名稱(外文): A Monolithic CMOS-MEMS Oscillator Based on A Low Motional Impedance and High Power Handling Resonato... \| 系所名稱: 奈米工程與微系統研究所 \| 學校名稱: 國立清華大學 @ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統
熱致動壓阻感測式CMOS-MEMS振盪器研製	作者: 張容豪 \| 指導教授: 李昇憲 \| 學位類別: 碩士 \| 畢業學年度: 103 \| 論文名稱(外文): Thermal-Driven Piezoresistive-Sensed CMOS-MEMS Oscillators \| 系所名稱: 動力機械工程學系 \| 學校名稱: 國立清華大學 @ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統
具溫度補償功能之 CMOS-MEMS振盪器	作者: 劉峻佑 \| 指導教授: 李昇憲 \| 學位類別: 碩士 \| 畢業學年度: 104 \| 論文名稱(外文): Temperature-Compensated CMOS-MEMS Oscillators \| 系所名稱: 動力機械工程學系 \| 學校名稱: 國立清華大學 @ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

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空間手勢辨識與追跡模組	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 空間操作自由度：6 DOF，可感測軸數：9軸，可辨識動作種類：>13種。 \| 潛力預估: 主要合作廠商如數位遊戲、互動與數位電視之相關廠商。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
微型三軸加速度計	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: Range：±2g / ±8g , Non-Linearity (%of FS)：±0.5 , Cross Axis Sensitivity (%)：±1 , Noise Floor (μg/√Hz)... \| 潛力預估: 主要合作廠商如3C電子廠商、ASIC 設計廠商、微機電代工廠商。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
慣性量測模組(IMU)	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: Angular Rate Range：±300deg/sec，Angular Rate Noise：0.02°/sec/√Hz，Acc. Range：±2g，Acc. Noise：30μg/√Hz，O... \| 潛力預估: 主要合作廠商如3C電子廠商、ASIC 設計廠商、微機電代工廠商。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
MEMS麥克風	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 頻率響應：100Hz ~ 10k Hz，靈敏度：-38 ± 3 dB，訊噪比：62 dB (Typical). \| 潛力預估: 主要合作廠商如3C消費電子與醫療產品廠商。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
隨身動態心電監控判讀技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 心電圖：單導程/三導程心電圖，支援藍牙2.0及PDA/PC顯示省電模式，貼片尺寸 (mm)：單導程貼片 : 135 x 35 x 4.5,三導程貼片 : 120 x 199 x 6，特徵值PQRST偵... \| 潛力預估: 可應用於居家保健、醫療產業，可協助業界拓展居家照護、微型健康照護、無線個人網路通訊應用加值新興市場。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
光學防手振模組	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: DSC Anti-shaking , 12X Tele, Shutter 1/2”, ISO100, Compen. vibration: 4Hz~12Hz@ ±0.15°, Tremor resi... \| 潛力預估: 主要合作廠商如手機、相機業者、精密光學業、3C消費電子業。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
微型雷射投影系統	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 投影解析度：720P (1280x720pixels)，投影亮度：> 25 lm，色彩灰階：> 24bits，投影畫面：10~30吋，微型光機體積：< 2.5cm3，光機散熱容量：> 2W，元件掃描... \| 潛力預估: 主要合作廠商如3C相關產業，手機市場將是應用潛力最大的載具平台，其次為數位相機、DV攝影機、個人遊戲機等內嵌式產品；新興產品如平板電腦、智慧機器人等。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
影像深度辨識技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 適用距離：1.5~5M ，深度影像正確率：>90%，Z軸解析度：12mm @ 2m，手部追蹤誤差 < 20mm @ 2m，運算速度：75 FPS，FPGA資源：200 Logic element。 \| 潛力預估: 下一代智慧電視、智慧車輛、智慧機械、智慧安控等產品的直覺化介面。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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影像深度辨識技術

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低溫共燒陶瓷微波高密度構裝	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 Db \| 潛力預估:
S-頻段單晶低雜訊放大器	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: ＊頻段:S-頻段＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB \| 潛力預估:
直接數位訊號(DDS)合成電路設計開發	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB \| 潛力預估:
低頻高增益帶通濾波器設計開發	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB \| 潛力預估:
InSb 320X256紅外線偵檢元件模組	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: Format : 320X256 Pitch : 30um RoA > 1.E5Ohm-cm2 漏電流 < 1nA (負偏壓250mV) 接合良率 > 99.9% 操作率 > 99% \| 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上
InSb 320X256冷卻偵檢單元 (RDU)	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: Structure : IDCA RDU Life time > 5年 Cool-down time < 6分鐘 Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) \| 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上
InSb 320X256熱像機	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 偵測波段 : 3-5um 量子效率 > 50% NETD < 30mK IDCA RDU 致冷器冷卻能力 > 0.5W MTBF > 4000小時訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能輸... \| 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上
雷射預警系統組裝、測試及維修	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 \| 潛力預估: 96-100年：陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。
高解析度微波管零組件	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 整體重量:<5Kg，電子通道:1.0mmΦ以下，電子數據焦半徑:0.8mmΦ以下，聚焦週期:10個。週期聚焦峰值:3000Gauss，陰極表面磁通密度:小於10Gauss \| 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上
高性能防護鋼板加工機製研究	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 須符合軍規組裝測試 \| 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單
高性能防護鋼板試製及小批量產技術開發研究	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 \| 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單
軍用大型化鋁合金擠型技術開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 軍用大型化鋁合金擠型材成品公差應符合ANSI-H35.2，擠製成品之機械性質應抗拉強度大於400MPa，降伏強度大於350MPa伸長率大於8%以上。 \| 潛力預估: 可取代傳統鋼質結構材之各種成品
高性能鋁擠棒鎔鑄技術開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 具備鎔鑄高品質鋁擠棒鎔鑄技術，其非金屬夾雜物含量需低於0.15mm2/kgAl，含氫量需低於0.18cc/100g Al，成品率達80%。 \| 潛力預估: 可提供高強度型材之上游原料
低膨脹係數Al-Si合金成型技術開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 25 ~ 600C範圍內之熱膨脹係數達到11um/mC，抗拉強度達100Mpa以上。 \| 潛力預估: 可提供功能性材料應用
飛彈固體發動機噴嘴組複材組件小批試產	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃纖維、碳纖維長度6-12 mm 溶劑型酚醛樹脂固含量 60-65%。 \| 潛力預估: 高鐵、捷運構建之消耗性替換材料

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技術成熟度

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