高效層析設備技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文高效層析設備技術的執行單位是金屬中心, 產出年度是101, 計畫名稱是高值化食品機械與中間工廠推動計畫, 技術規格是1.層析流體：超臨界CO2。 2.設計壓力：30MPa。 3.設計溫度：80℃。 4.偵測器：UV/VIS。, 潛力預估是高純度保健食品,預估產值2000萬/年。.

序號	5934
產出年度	101
技術名稱-中文	高效層析設備技術
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	高值化食品機械與中間工廠推動計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	中間工廠級超臨界二氧化碳層析設備技術，以超臨界二氧化碳為沖提流體，並可添加適當輔溶劑，整合高壓紫外光/可見光光譜線上偵測系統與多流道切換閥控制技術，適用於天然植物藥或化學合成藥物與保健食品之純化與量產。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	1.層析流體：超臨界CO2。 2.設計壓力：30MPa。 3.設計溫度：80℃。 4.偵測器：UV/VIS。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	保健成分純化。
潛力預估	高純度保健食品,預估產值2000萬/年。
聯絡人員	洪俊宏
電話	07-3513121-2634
傳真	07-3539411
電子信箱	junhung@mail.mirdc.org.tw
參考網址	http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備	超臨界CO2層析設備
需具備之專業人才	高壓氣體特定設備操作人員
同步更新日期	2024-09-03

序號

5934

產出年度

101

技術名稱-中文

高效層析設備技術

執行單位

金屬中心

產出單位

(空)

計畫名稱

高值化食品機械與中間工廠推動計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

中間工廠級超臨界二氧化碳層析設備技術，以超臨界二氧化碳為沖提流體，並可添加適當輔溶劑，整合高壓紫外光/可見光光譜線上偵測系統與多流道切換閥控制技術，適用於天然植物藥或化學合成藥物與保健食品之純化與量產。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.層析流體：超臨界CO2。 2.設計壓力：30MPa。 3.設計溫度：80℃。 4.偵測器：UV/VIS。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

保健成分純化。

潛力預估

高純度保健食品,預估產值2000萬/年。

聯絡人員

洪俊宏

電話

07-3513121-2634

傳真

07-3539411

電子信箱

junhung@mail.mirdc.org.tw

參考網址

http://www.mirdc.org.tw

所須軟硬體設備

超臨界CO2層析設備

需具備之專業人才

高壓氣體特定設備操作人員

同步更新日期

2024-09-03

根據名稱高效層析設備技術找到的相關資料

無其他高效層析設備技術資料。

[ 搜尋所有 高效層析設備技術 ... ]

根據電話 07-3513121-2634 找到的相關資料

(以下顯示 4 筆) (或要:直接搜尋所有 07-3513121-2634 ...)

超臨界流體萃取實驗設備技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 金屬中心機械與自動化環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: '1. 最大操作壓力：360bar 2. 操作溫度：25~90℃ 3. 萃取槽容積：2公升 4. 分離槽容積：1公升 5. CO2隔膜泵：9LPH 6. 乙醇隔膜泵：0.6LPH \| 潛力預估: 取代進口設備0.1億元/年；創造產值1.0億元/年 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
高溫高壓容器設計技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 金屬中心機械與自動化環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧處理壓力：300bar ‧處理溫度：500℃ \| 潛力預估: 取代進口設備0.5億元/年 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
液相萃取設備技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值化食品機械與中間工廠推動計畫 \| 領域: \| 技術規格: 液相萃取設備技術： -萃取流體：超臨界CO2 -設計壓力：30MPa 以上 -萃取管柱長度：1.5m以上 -管柱加熱：三段式獨立溫控 \| 潛力預估: 1.超臨界CO2液相萃取設備 2.保健成分萃取濃縮 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
超高壓處理設備技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值化食品機械與中間工廠推動計畫 \| 領域: \| 技術規格: 超高壓殺菌設備規格: ?最大操作壓力：400~600MPa ?殺菌槽容積：10L；內外雙層縮配筒體 ?溫度控制：冰/熱水夾套 ?密封圈：PTFE+金屬環密封組合 \| 潛力預估: 預計超高壓殺菌/萃取設備產值約1億 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 07-3513121-2634 ... ]

在『經濟部產業技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:

與高效層析設備技術同分類的經濟部產業技術司可移轉技術資料集

LTPS TFT Display相關電路設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) \| 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區...
高導電導線技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% \| 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場接受性高
半穿透/反射式液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: 可取代現行2-gap技術
半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap \| 潛力預估: 可取代現行2-gap技術
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: none \| 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT...
LTPS光罩Reduction技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 \| 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接...
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。
具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 \| 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用
軟性液晶顯示器連續式製程開發	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板寬度>30cm \| 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術
直接沈積多晶矽製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 \| 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞，又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引...
20" 奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20” 均勻度<±15% \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度<35°C。 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL...
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□ 2. 介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V/... \| 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。
OTFT device development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，如開發完成，未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。
OTFT OLED development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage<10V、軟性塑膠基板 \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...