木質素生質底漆
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文木質素生質底漆的執行單位是工研院材化所, 產出年度是102, 計畫名稱是生質材料開發與應用計畫, 技術規格是在耐鹽霧方面，先前的研究中，由於磺酸鹽木質素的使用上較容易吸潮，導致耐鹽霧之程度有限，不到100 h即有白化現象發生，因此我們改以吸水率較低之鹼溶木質素進行生質底漆之開發，其塗佈於鋁片上之耐鹽霧試驗，根據CNS 8886 Z8026鹽水噴霧試驗檢測標準，此漆膜無論有無cross cut之試片皆可達到..., 潛力預估是－.
| 序號 | 6046 |
| 產出年度 | 102 |
| 技術名稱-中文 | 木質素生質底漆 |
| 執行單位 | 工研院材化所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 生質材料開發與應用計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 木質素生質環氧金屬底漆開發中，透過交聯密度設計得到穩定且高物性的木質素生質環氧金屬底漆，塗於鋁片或鍍鋅鐵片上，其塗膜鉛筆硬度可達2H，百格接著測試達到100/100良好接著性，且皆可通過CNS 10757 K6801檢測標準之5% HCl耐化性測試≧100hr，以及5% Na2CO3耐鹼測試≧200hr，其浸泡酸鹼液後之漆膜外觀均無任何變化，亦可通過ASTM D 714耐濕性試驗(38℃，100%RH)200 hr外觀無變化。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 在耐鹽霧方面，先前的研究中，由於磺酸鹽木質素的使用上較容易吸潮，導致耐鹽霧之程度有限，不到100 h即有白化現象發生，因此我們改以吸水率較低之鹼溶木質素進行生質底漆之開發，其塗佈於鋁片上之耐鹽霧試驗，根據CNS 8886 Z8026鹽水噴霧試驗檢測標準，此漆膜無論有無cross cut之試片皆可達到1000小時以上外觀無變化，可維持在分級數字(RN)10，即肉眼無法辨識出有腐蝕之最佳等級。 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | － |
| 潛力預估 | － |
| 聯絡人員 | 沈永清 |
| 電話 | 03-5732776 |
| 傳真 | 03-5912805 |
| 電子信箱 | ycsheen@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://－ |
| 所須軟硬體設備 | － |
| 需具備之專業人才 | － |
| 同步更新日期 | 2024-09-03 |
序號6046 |
產出年度102 |
技術名稱-中文木質素生質底漆 |
執行單位工研院材化所 |
產出單位(空) |
計畫名稱生質材料開發與應用計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文木質素生質環氧金屬底漆開發中，透過交聯密度設計得到穩定且高物性的木質素生質環氧金屬底漆，塗於鋁片或鍍鋅鐵片上，其塗膜鉛筆硬度可達2H，百格接著測試達到100/100良好接著性，且皆可通過CNS 10757 K6801檢測標準之5% HCl耐化性測試≧100hr，以及5% Na2CO3耐鹼測試≧200hr，其浸泡酸鹼液後之漆膜外觀均無任何變化，亦可通過ASTM D 714耐濕性試驗(38℃，100%RH)200 hr外觀無變化。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格在耐鹽霧方面，先前的研究中，由於磺酸鹽木質素的使用上較容易吸潮，導致耐鹽霧之程度有限，不到100 h即有白化現象發生，因此我們改以吸水率較低之鹼溶木質素進行生質底漆之開發，其塗佈於鋁片上之耐鹽霧試驗，根據CNS 8886 Z8026鹽水噴霧試驗檢測標準，此漆膜無論有無cross cut之試片皆可達到1000小時以上外觀無變化，可維持在分級數字(RN)10，即肉眼無法辨識出有腐蝕之最佳等級。 |
技術成熟度雛型 |
可應用範圍－ |
潛力預估－ |
聯絡人員沈永清 |
電話03-5732776 |
傳真03-5912805 |
電子信箱ycsheen@itri.org.tw |
參考網址http://－ |
所須軟硬體設備－ |
需具備之專業人才－ |
同步更新日期2024-09-03 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 生質材料開發與應用計畫 | 領域: | 技術規格: 完成利用生質材料木質素環氧化改質合成技術，克服木質素反應性、相容性、附著力及耐溶性不佳的困難，開發木質素生質環氧樹脂底漆，其環氧值≧0.921 mmol/g，鉛筆硬度2H，百格接著100/100。 | 潛力預估: － @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 生質材料開發與應用計畫 | 領域: | 技術規格: 完成利用生質材料木質素環氧化改質合成技術，克服木質素反應性、相容性、附著力及耐溶性不佳的困難，開發木質素生質環氧樹脂底漆，其環氧值≧0.921 mmol/g，鉛筆硬度2H，百格接著100/100。 | 潛力預估: － @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
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(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5732776 ...) | 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.含.UV 感光官能基
2.反應性奈米級SiO2：5% 以上
3.Transmittance（550nm）：95% 以上
4.平均粒徑：60nm 以下 | 潛力預估: 應 用在光電薄膜、塑膠地磚、地板、木器、金屬及3C產業的耐磨高硬度塗料市場，估計超過50億元。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 通過百格試驗、‧ 耐酒精擦拭、‧ 鉛筆硬度達3H、‧ 透光度>90%、Haze<0.5%、‧ 耐150℃*30min， | 潛力預估: 應 用在光電薄膜、塑膠地磚、地板、木器、金屬及3C產業的耐磨高硬度塗料市場，估計超過50億元。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接觸角(水)>150°、滑落角(水)<2 °、耐刷洗>1000次、耐紫外線>1000h、耐戶外實際曝曬>1年。 | 潛力預估: 超疏水塗料結合奈米相控制技術、自組裝技術以及奈米結構控制設計技術，具有室溫塗佈乾燥、具有優異的性能，尤其在自潔防污、耐刷洗及長時間之室外曝曬耐候性質，更領先國際領導品牌的產品，可應用於建築、家用產品、... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 提供一種硬質塗膜組成物與硬質塗膜，可用做為高硬度耐磨之表面處理劑或塗料。 | 潛力預估: 3C及通訊產品之抗眩塗膜 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.一種混成乳液組成物及其製造方法 授權專利號：中華民國專利證號：135959 2.具多種親水基之聚酯型乳化劑及其製法 授權專利號：中華民國專利證號：148780 3.硬質塗膜組成物與硬質塗膜 授權專... | 潛力預估: 3C及通訊產品之抗眩塗膜。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 生質材料開發與應用計畫 | 領域: | 技術規格: 分別可以做到發泡倍率2.9、4.7、6.0、7.5、8.6、12.6，壓縮強度分別為210、200、183、165、130、110 kgf/cm2，而相較於未使用木質素的發泡材料，隨著生質材料木質素添... | 潛力預估: － @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 含烷氧基醚類鏈段之環氧樹脂專利授權，授權專利號：中華民國專利證號：130150 | 潛力預估: 高耐蝕扣件、汽車扣件、建材扣件。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透明疏水自潔塗料的製作方法、所製得之塗料以及塗膜專利授權，授權專利號：中華民國專利申請號：P54950092TWC1 | 潛力預估: 期能搶下YKK在國內之市場，由100%內銷逐步邁向外銷。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.含.UV 感光官能基
2.反應性奈米級SiO2：5% 以上
3.Transmittance（550nm）：95% 以上
4.平均粒徑：60nm 以下 | 潛力預估: 應 用在光電薄膜、塑膠地磚、地板、木器、金屬及3C產業的耐磨高硬度塗料市場，估計超過50億元。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 通過百格試驗、‧ 耐酒精擦拭、‧ 鉛筆硬度達3H、‧ 透光度>90%、Haze<0.5%、‧ 耐150℃*30min， | 潛力預估: 應 用在光電薄膜、塑膠地磚、地板、木器、金屬及3C產業的耐磨高硬度塗料市場，估計超過50億元。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接觸角(水)>150°、滑落角(水)<2 °、耐刷洗>1000次、耐紫外線>1000h、耐戶外實際曝曬>1年。 | 潛力預估: 超疏水塗料結合奈米相控制技術、自組裝技術以及奈米結構控制設計技術，具有室溫塗佈乾燥、具有優異的性能，尤其在自潔防污、耐刷洗及長時間之室外曝曬耐候性質，更領先國際領導品牌的產品，可應用於建築、家用產品、... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 提供一種硬質塗膜組成物與硬質塗膜，可用做為高硬度耐磨之表面處理劑或塗料。 | 潛力預估: 3C及通訊產品之抗眩塗膜 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.一種混成乳液組成物及其製造方法 授權專利號：中華民國專利證號：135959 2.具多種親水基之聚酯型乳化劑及其製法 授權專利號：中華民國專利證號：148780 3.硬質塗膜組成物與硬質塗膜 授權專... | 潛力預估: 3C及通訊產品之抗眩塗膜。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 生質材料開發與應用計畫 | 領域: | 技術規格: 分別可以做到發泡倍率2.9、4.7、6.0、7.5、8.6、12.6，壓縮強度分別為210、200、183、165、130、110 kgf/cm2，而相較於未使用木質素的發泡材料，隨著生質材料木質素添... | 潛力預估: － @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 含烷氧基醚類鏈段之環氧樹脂專利授權，授權專利號：中華民國專利證號：130150 | 潛力預估: 高耐蝕扣件、汽車扣件、建材扣件。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透明疏水自潔塗料的製作方法、所製得之塗料以及塗膜專利授權，授權專利號：中華民國專利申請號：P54950092TWC1 | 潛力預估: 期能搶下YKK在國內之市場，由100%內銷逐步邁向外銷。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System，極具應用潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number：640 x 3 x480 .Pixel pitch：90 um x 120 um .Aperture ratio： 30% .Brightness：> 30... | 潛力預估: 軟體設備：LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備：雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓<25V | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System，極具應用潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number：640 x 3 x480 .Pixel pitch：90 um x 120 um .Aperture ratio： 30% .Brightness：> 30... | 潛力預估: 軟體設備：LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備：雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓<25V | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
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