技術名稱-中文高值皮革鞋面快速製程加工技術的執行單位是鞋技中心, 產出年度是102, 計畫名稱是多功能智慧型鞋品開發三年計畫, 潛力預估是除了應用於休閒鞋、運動鞋等產品之鞋面加工外，更可延伸應用於袋包箱及運動休閒器材等用皮產業。.
| 序號 | 6107 |
| 產出年度 | 102 |
| 技術名稱-中文 | 高值皮革鞋面快速製程加工技術 |
| 執行單位 | 鞋技中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 多功能智慧型鞋品開發三年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 近年來，國內外鞋廠致力於自動化快速加工成型製程的開發應用，更特別著墨在鞋面製程中的無車縫鞋面技術開發 |
| 技術現況敘述-英文 | 尤其在聚合物(橡、塑膠、高分子樹脂等)鞋面材料貼合的技術上已有相當的成熟度，唯獨在利用天然皮革做為鞋面材料開發鞋面無車縫技術時，依舊無法克服熱加工溫度高及接著強度不足等問題，致使具有高效率的無車縫鞋面成型加工製程，無法應用在具有提升鞋品價值的天然皮革鞋面上。因此，整合表面處理、接著材料開發及自動化製程應用等技術，建立天然皮革鞋面快速加工技術。應用此項技術所開發之鞋面符合快速加工、美觀與高耐用性之需求。 |
| 技術規格 | (空) |
| 技術成熟度 | 應用高值皮革鞋面快速製程加工技術所開發之皮革鞋面規格為：鞋面接合膠著強度大於1.2公斤/公分，熱加工成型溫度90~130℃，全鞋常溫曲折20,000次鞋材分片間無鬆脫。 |
| 可應用範圍 | 雛型 |
| 潛力預估 | 除了應用於休閒鞋、運動鞋等產品之鞋面加工外，更可延伸應用於袋包箱及運動休閒器材等用皮產業。 |
| 聯絡人員 | 應用自動化設備進行皮革鞋面無車縫加工，發展具備簡化生產工序、低人力成本與高質感之高值化鞋品技術，可提升鞋面生產效率20%以上，進而增進產業獲利。 |
| 電話 | 王湧仁 |
| 傳真 | 04-23590112#738 |
| 電子信箱 | 04-23501216 |
| 參考網址 | http://0061@bestmotion.com |
| 所須軟硬體設備 | www.bestmotion.com |
| 需具備之專業人才 | 熱壓成型機。 |
序號6107 |
產出年度102 |
技術名稱-中文高值皮革鞋面快速製程加工技術 |
執行單位鞋技中心 |
產出單位(空) |
計畫名稱多功能智慧型鞋品開發三年計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文近年來，國內外鞋廠致力於自動化快速加工成型製程的開發應用，更特別著墨在鞋面製程中的無車縫鞋面技術開發 |
技術現況敘述-英文尤其在聚合物(橡、塑膠、高分子樹脂等)鞋面材料貼合的技術上已有相當的成熟度，唯獨在利用天然皮革做為鞋面材料開發鞋面無車縫技術時，依舊無法克服熱加工溫度高及接著強度不足等問題，致使具有高效率的無車縫鞋面成型加工製程，無法應用在具有提升鞋品價值的天然皮革鞋面上。因此，整合表面處理、接著材料開發及自動化製程應用等技術，建立天然皮革鞋面快速加工技術。應用此項技術所開發之鞋面符合快速加工、美觀與高耐用性之需求。 |
技術規格(空) |
技術成熟度應用高值皮革鞋面快速製程加工技術所開發之皮革鞋面規格為：鞋面接合膠著強度大於1.2公斤/公分，熱加工成型溫度90~130℃，全鞋常溫曲折20,000次鞋材分片間無鬆脫。 |
可應用範圍雛型 |
潛力預估除了應用於休閒鞋、運動鞋等產品之鞋面加工外，更可延伸應用於袋包箱及運動休閒器材等用皮產業。 |
聯絡人員應用自動化設備進行皮革鞋面無車縫加工，發展具備簡化生產工序、低人力成本與高質感之高值化鞋品技術，可提升鞋面生產效率20%以上，進而增進產業獲利。 |
電話王湧仁 |
傳真04-23590112#738 |
電子信箱04-23501216 |
參考網址http://0061@bestmotion.com |
所須軟硬體設備www.bestmotion.com |
需具備之專業人才熱壓成型機。 |
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| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: M492072 | 專利期間起: 113/07/23 | 專利期間訖: 一種可依使用者需求調整鞋墊結構曲面之鞋品，讓鞋子穿著時更具舒適性，此鞋墊結構可以單獨使用或應用於室內拖鞋、休閒鞋等鞋品。 | 專利性質: 新型 | 執行單位: 鞋技中心 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 多功能智慧型鞋品開發三年計畫 | 專利發明人: 王湧仁, 王珮如, 林彥文, 黃賜源, 劉虣虣 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: M492072 | 專利期間起: 113/07/23 | 專利期間訖: 一種可依使用者需求調整鞋墊結構曲面之鞋品，讓鞋子穿著時更具舒適性，此鞋墊結構可以單獨使用或應用於室內拖鞋、休閒鞋等鞋品。 | 專利性質: 新型 | 執行單位: 鞋技中心 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 多功能智慧型鞋品開發三年計畫 | 專利發明人: 王湧仁, 王珮如, 林彥文, 黃賜源, 劉虣虣 @ 技術司專利資料集 |
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| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞， 又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞， 又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引... |
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