多量 SSD array 管理技術
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技術名稱-中文多量 SSD array 管理技術的執行單位是工研院雲端中心, 產出年度是102, 計畫名稱是雲端運算系統及軟體技術研發計畫, 技術規格是1.單層式儲存/多層式儲存 2.快捷外設互聯標準 3.10G 乙太網路, 潛力預估是1. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品 2. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品.

序號6148
產出年度102
技術名稱-中文多量 SSD array 管理技術
執行單位工研院雲端中心
產出單位(空)
計畫名稱雲端運算系統及軟體技術研發計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文工研院規劃開發多量 SSD array 管理技術,特色為高 throughput 與低成本。多量 SSD array 管理技術可作為PCIe卡, SSD伺候機, 或 與硬碟儲存系統結合。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.單層式儲存/多層式儲存 2.快捷外設互聯標準 3.10G 乙太網路
技術成熟度雛型
可應用範圍1. 資料中心(Data Center) 2. 企業內部雲端系統建置(Private Cloud) 3. 運算系統加速(performance acceleration)
潛力預估1. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品 2. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品
聯絡人員阮耀飛
電話03-5916173
傳真03-5830292
電子信箱yf.juan@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備Servers/Racks
需具備之專業人才系統整合專業團隊(System integration (SI) team) 大型系統軟體開發相關經驗

序號

6148

產出年度

102

技術名稱-中文

多量 SSD array 管理技術

執行單位

工研院雲端中心

產出單位

(空)

計畫名稱

雲端運算系統及軟體技術研發計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

工研院規劃開發多量 SSD array 管理技術,特色為高 throughput 與低成本。多量 SSD array 管理技術可作為PCIe卡, SSD伺候機, 或 與硬碟儲存系統結合。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.單層式儲存/多層式儲存 2.快捷外設互聯標準 3.10G 乙太網路

技術成熟度

雛型

可應用範圍

1. 資料中心(Data Center) 2. 企業內部雲端系統建置(Private Cloud) 3. 運算系統加速(performance acceleration)

潛力預估

1. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品 2. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品

聯絡人員

阮耀飛

電話

03-5916173

傳真

03-5830292

電子信箱

yf.juan@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

所須軟硬體設備

Servers/Racks

需具備之專業人才

系統整合專業團隊(System integration (SI) team) 大型系統軟體開發相關經驗

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多量 SSD array 管理技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及應用服務技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.快捷外設互聯標準 3.10G 乙太網路 | 潛力預估: 1.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品。 2.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品。

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多量 SSD Array 管理技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.快捷外設互聯標準 3.10G 乙太網路 | 潛力預估: 1.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品。 2.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品。

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快閃記憶體儲存陣列技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.1 百萬 random IOPS | 潛力預估: 1. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品 2. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品

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多量 SSD array 管理技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及應用服務技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.快捷外設互聯標準 3.10G 乙太網路 | 潛力預估: 1.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品。 2.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品。

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多量 SSD Array 管理技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.快捷外設互聯標準 3.10G 乙太網路 | 潛力預估: 1.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品。 2.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品。

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快閃記憶體儲存陣列技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.1 百萬 random IOPS | 潛力預估: 1. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品 2. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品

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VLAN based data center SDN技術 (基於VLAN之資料中心軟體定義網路技術)

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 可支援4094個虛擬網路 | 潛力預估: 資料中心與企業網路,或其他有使用VLAN的網路環境

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雲端運算作業系統

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 1. 虛擬機管理 2. 儲存管理 3. 安全防護 4. 耗電管理 5. 伺服器、網路管理 6. 實體資源分配 7. 多面向負載平衡功能 8. 虛擬資料中心管理 9. 實體資料中心管理 10. 相容Op... | 潛力預估: 1. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,提供資料中心整案輸出(Data Center Total Solution)2. 發展軟體供應服務或系統整合(SI)廠商,提供資料中心或企業雲(Private...

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VLAN based data center SDN技術 (基於VLAN之資料中心軟體定義網路技術)

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 可支援4094個虛擬網路 | 潛力預估: 資料中心與企業網路,或其他有使用VLAN的網路環境

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雲端運算作業系統

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 1. 虛擬機管理 2. 儲存管理 3. 安全防護 4. 耗電管理 5. 伺服器、網路管理 6. 實體資源分配 7. 多面向負載平衡功能 8. 虛擬資料中心管理 9. 實體資料中心管理 10. 相容Op... | 潛力預估: 1. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,提供資料中心整案輸出(Data Center Total Solution)2. 發展軟體供應服務或系統整合(SI)廠商,提供資料中心或企業雲(Private...

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氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

奈米材料及元件檢測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。

具振動抑制複材管件結構改良

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發 被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等

輕質蜂巢聲阻結構

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色

酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃; (2)結合強度3000psi以上; (3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。

繞射光學鏡片設計與製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。

CMOS影像IC設計及影像處理像技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。

紅外光無線數位電子錢包付款技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE(Packet PC)或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制,以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能,創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I...

自助式數位印相系統

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像,可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。

音效即時傳輸與播放系統

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組,預估其生產成本的降低後,可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台,創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會,亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯...

氮化鋁鎵紫外線偵檢器磊晶技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

氮化鋁鎵紫外線偵檢器製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

太陽光紫外線強度量測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

QDIP 元件磊晶製程與量測分析

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務

氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

奈米材料及元件檢測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。

具振動抑制複材管件結構改良

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發 被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等

輕質蜂巢聲阻結構

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色

酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃; (2)結合強度3000psi以上; (3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。

繞射光學鏡片設計與製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。

CMOS影像IC設計及影像處理像技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。

紅外光無線數位電子錢包付款技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE(Packet PC)或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制,以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能,創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I...

自助式數位印相系統

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像,可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。

音效即時傳輸與播放系統

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組,預估其生產成本的降低後,可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台,創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會,亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯...

氮化鋁鎵紫外線偵檢器磊晶技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

氮化鋁鎵紫外線偵檢器製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

太陽光紫外線強度量測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

QDIP 元件磊晶製程與量測分析

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務

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