高深寬比金屬沉積技術
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技術名稱-中文高深寬比金屬沉積技術的執行單位是工研院院本部, 產出年度是102, 計畫名稱是工研院環境建構總計畫, 技術規格是1.高深寬比濕式無電鍍銅晶種層沉積技術可在直徑10 um，深105 um，深寬比10：1之矽穿孔孔洞中完成厚度為250±50 nm的晶種層沉積。 2.開發高深寬比填孔銅電鍍液，能於直徑10um、深度104um，深寬比大於10之孔洞內完成銅填孔沉積，而無任何孔隙或包孔。, 潛力預估是能降低高深寬比填孔製程成本之50%，開發自主之電鍍藥液配方.

序號	6283
產出年度	102
技術名稱-中文	高深寬比金屬沉積技術
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院環境建構總計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	開發濕式晶種層技術取代傳統乾式濺鍍或PVD製程，能於深寬比10之孔洞內形成均勻之晶種層沉積。銅電鍍技術，能於直徑10um、深度104um，深寬比大於10之孔洞內完成銅填孔沉積，而無任何孔隙或包孔。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	1.高深寬比濕式無電鍍銅晶種層沉積技術可在直徑10 um，深105 um，深寬比10：1之矽穿孔孔洞中完成厚度為250±50 nm的晶種層沉積。 2.開發高深寬比填孔銅電鍍液，能於直徑10um、深度104um，深寬比大於10之孔洞內完成銅填孔沉積，而無任何孔隙或包孔。
技術成熟度	概念
可應用範圍	半導體、微機電、LED封裝
潛力預估	能降低高深寬比填孔製程成本之50%，開發自主之電鍍藥液配方
聯絡人員	黃萌祺
電話	03-5915841
傳真	03-5826104
電子信箱	ach@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備	電鍍與無電鍍設備
需具備之專業人才	材料、化學、機械
同步更新日期	2024-09-03

序號

6283

產出年度

102

技術名稱-中文

高深寬比金屬沉積技術

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院環境建構總計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

開發濕式晶種層技術取代傳統乾式濺鍍或PVD製程，能於深寬比10之孔洞內形成均勻之晶種層沉積。銅電鍍技術，能於直徑10um、深度104um，深寬比大於10之孔洞內完成銅填孔沉積，而無任何孔隙或包孔。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.高深寬比濕式無電鍍銅晶種層沉積技術可在直徑10 um，深105 um，深寬比10：1之矽穿孔孔洞中完成厚度為250±50 nm的晶種層沉積。 2.開發高深寬比填孔銅電鍍液，能於直徑10um、深度104um，深寬比大於10之孔洞內完成銅填孔沉積，而無任何孔隙或包孔。

技術成熟度

概念

可應用範圍

半導體、微機電、LED封裝

潛力預估

能降低高深寬比填孔製程成本之50%，開發自主之電鍍藥液配方

聯絡人員

黃萌祺

電話

03-5915841

傳真

03-5826104

電子信箱

ach@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040

所須軟硬體設備

電鍍與無電鍍設備

需具備之專業人才

材料、化學、機械

同步更新日期

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奈米材料綠色生產技術	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立的生物系統具有高度的多樣性，產生的金奈米之特性依微生物種類之不同而不同，目前已可產出不同粒徑規格的產品，最小之粒徑可達7 nM。 \| 潛力預估: 有效擴展奈米材料之來源，提供生物奈米材料特有之性質。
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比較在NORV2PURO transient transfection和以2μM nociceptin 刺激後, 細胞在不同時間點及不同劑量下之pits/vesicles形成	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: G蛋白偶聯接受體藥物研發二年計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 分別經由比較分析不同時間點、不同劑量，觀察NOR agonist對於NOR受體之活化狀況，可以深入分析受體對agonist之動力學資料，進而確認所構築受體之反應性，比較所構築受體與原始受體反應狀況之...