電漿狀態監控系統
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技術名稱-中文電漿狀態監控系統的執行單位是金屬中心, 產出年度是102, 計畫名稱是CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫, 技術規格是具有穩定連續製程參數漂移功率之電漿製程參數控制技術, 潛力預估是協助國內鍍膜設備製造商增加設備可靠度，增加製程成膜品質。協助終端製造廠商掌握設備製程實際狀況，穩定各項連續製程參數。.

序號6521
產出年度102
技術名稱-中文電漿狀態監控系統
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本移轉技術為克服連續製程參數漂移之技術，藉由本技術可長時間穩定自動調整製程設備參數，確保電漿物種組合符達到製程要求。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格具有穩定連續製程參數漂移功率之電漿製程參數控制技術
技術成熟度(空)
可應用範圍薄膜太陽能電池製造、IC製造、薄膜電漿製程
潛力預估協助國內鍍膜設備製造商增加設備可靠度，增加製程成膜品質。協助終端製造廠商掌握設備製程實際狀況，穩定各項連續製程參數。
聯絡人員潘怡帆
電話07-6955510*303
傳真07-6955512
電子信箱jenny0219@mail.mirdc.org.tw
參考網址http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備監控程式軟體、光放射光譜儀（OES）
需具備之專業人才系統控制、製程光譜分析
同步更新日期2019-07-24

序號

6521

產出年度

102

技術名稱-中文

電漿狀態監控系統

執行單位

金屬中心

產出單位

(空)

計畫名稱

CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本移轉技術為克服連續製程參數漂移之技術，藉由本技術可長時間穩定自動調整製程設備參數，確保電漿物種組合符達到製程要求。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

具有穩定連續製程參數漂移功率之電漿製程參數控制技術

技術成熟度

(空)

可應用範圍

薄膜太陽能電池製造、IC製造、薄膜電漿製程

潛力預估

協助國內鍍膜設備製造商增加設備可靠度，增加製程成膜品質。協助終端製造廠商掌握設備製程實際狀況，穩定各項連續製程參數。

聯絡人員

潘怡帆

電話

07-6955510*303

傳真

07-6955512

電子信箱

jenny0219@mail.mirdc.org.tw

參考網址

http://www.mirdc.org.tw

所須軟硬體設備

監控程式軟體、光放射光譜儀（OES）

需具備之專業人才

系統控制、製程光譜分析

同步更新日期

2019-07-24

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設備監診之預濺鍍監測技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 電力監診模組，用以即時監測電力訊號及記錄DC-Power電力趨勢分布，以了解是否有異常現象及監測預先濺鍍(pre-Sputter)時間，一輔助驗證模組，利用OES光譜量測金屬成份訊號，用以驗證金屬氧化... | 潛力預估: 佳，協助國內鍍膜設備製造商增加設備可靠度，增加製程成膜品質。協助終端製造廠商掌握設備預先濺鍍製程實際狀況及設備異常回饋狀況，穩定各項連續製程參數。

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物理氣相沉積裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 蔡文立 | 證書號碼: I385265

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薄膜沉積裝置及其用以製備薄膜之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 翁敏航、吳春森、陳威宇、晁成虎 | 證書號碼: I393871

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設備監診之預濺鍍監測技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 電力監診模組，用以即時監測電力訊號及記錄DC-Power電力趨勢分布，以了解是否有異常現象及監測預先濺鍍(pre-Sputter)時間，一輔助驗證模組，利用OES光譜量測金屬成份訊號，用以驗證金屬氧化... | 潛力預估: 佳，協助國內鍍膜設備製造商增加設備可靠度，增加製程成膜品質。協助終端製造廠商掌握設備預先濺鍍製程實際狀況及設備異常回饋狀況，穩定各項連續製程參數。

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物理氣相沉積裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 蔡文立 | 證書號碼: I385265

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薄膜沉積裝置及其用以製備薄膜之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 翁敏航、吳春森、陳威宇、晁成虎 | 證書號碼: I393871

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數位飛控電腦模組設計、製造

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度：-55 ~ +85℃操作環境：-40 ~ +55℃；+70℃至少30分鐘可靠度 MT... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。

共用型軍用發射系統

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

低溫共燒陶瓷微波高密度構裝

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 ＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 D | 潛力預估:

S-頻段單晶低雜訊放大器

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊頻段:S-頻段 ＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB | 潛力預估:

直接數位訊號(DDS)合成電路設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估:

低頻高增益帶通濾波器設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估:

InSb 320X256紅外線偵檢元件模組

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256 Pitch : 30um RoA > 1.E5Ohm-cm2 漏電流 < 1nA (負偏壓250mV) 接合良率 > 99.9% 操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上

InSb 320X256冷卻偵檢單元 (RDU)

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Structure : IDCA RDU Life time > 5年 Cool-down time < 6分鐘 Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上

InSb 320X256熱像機

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測波段 : 3-5um 量子效率 > 50% NETD < 30mK IDCA RDU 致冷器冷卻能力 > 0.5W MTBF > 4000小時 訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能 輸... | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上

雷射預警系統組裝、測試及維修

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 | 潛力預估: 96-100年：陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。

高解析度微波管零組件

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 整體重量: | 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上

高性能防護鋼板加工機製研究

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 須符合軍規組裝測試 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單

高性能防護鋼板試製及小批量產技術開發研究

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單

軍用大型化鋁合金擠型技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 軍用大型化鋁合金擠型材成品公差應符合ANSI-H35.2， 擠製成品之機械性質應抗拉強度大於400MPa， 降伏強度大於350MPa伸長率大於8%以上。 | 潛力預估: 可取代傳統鋼質結構材之各種成品

高性能鋁擠棒鎔鑄技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 具備鎔鑄高品質鋁擠棒鎔鑄技術，其非金屬夾雜物含量需低於0.15mm2/kgAl， 含氫量需低於0.18cc/100g Al， 成品率達80%。 | 潛力預估: 可提供高強度型材之上游原料

數位飛控電腦模組設計、製造

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度：-55 ~ +85℃操作環境：-40 ~ +55℃；+70℃至少30分鐘可靠度 MT... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。

共用型軍用發射系統

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

低溫共燒陶瓷微波高密度構裝

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 ＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 D | 潛力預估:

S-頻段單晶低雜訊放大器

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊頻段:S-頻段 ＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB | 潛力預估:

直接數位訊號(DDS)合成電路設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估:

低頻高增益帶通濾波器設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估:

InSb 320X256紅外線偵檢元件模組

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256 Pitch : 30um RoA > 1.E5Ohm-cm2 漏電流 < 1nA (負偏壓250mV) 接合良率 > 99.9% 操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上

InSb 320X256冷卻偵檢單元 (RDU)

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Structure : IDCA RDU Life time > 5年 Cool-down time < 6分鐘 Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上

InSb 320X256熱像機

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測波段 : 3-5um 量子效率 > 50% NETD < 30mK IDCA RDU 致冷器冷卻能力 > 0.5W MTBF > 4000小時 訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能 輸... | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上

雷射預警系統組裝、測試及維修

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 | 潛力預估: 96-100年：陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。

高解析度微波管零組件

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 整體重量: | 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上

高性能防護鋼板加工機製研究

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 須符合軍規組裝測試 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單

高性能防護鋼板試製及小批量產技術開發研究

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單

軍用大型化鋁合金擠型技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 軍用大型化鋁合金擠型材成品公差應符合ANSI-H35.2， 擠製成品之機械性質應抗拉強度大於400MPa， 降伏強度大於350MPa伸長率大於8%以上。 | 潛力預估: 可取代傳統鋼質結構材之各種成品

高性能鋁擠棒鎔鑄技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 具備鎔鑄高品質鋁擠棒鎔鑄技術，其非金屬夾雜物含量需低於0.15mm2/kgAl， 含氫量需低於0.18cc/100g Al， 成品率達80%。 | 潛力預估: 可提供高強度型材之上游原料

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