VLAN based data center SDN技術 (基於VLAN之資料中心軟體定義網路技術)
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技術名稱-中文VLAN based data center SDN技術 (基於VLAN之資料中心軟體定義網路技術)的執行單位是工研院院本部, 產出年度是103, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 領域是服務創新, 技術規格是可支援4094個虛擬網路, 潛力預估是資料中心與企業網路,或其他有使用VLAN的網路環境.

序號6591
產出年度103
技術名稱-中文VLAN based data center SDN技術 (基於VLAN之資料中心軟體定義網路技術)
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域服務創新
已申請專利之國家美國、大陸、中華民國
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文使用VLAN來達成網路虛擬化功能,並且為每個 VLAN計算獨立的Spanning Tree來優化實體網路的頻寬利用率
技術現況敘述-英文(空)
技術規格可支援4094個虛擬網路
技術成熟度雛型
可應用範圍資料中心網路
潛力預估資料中心與企業網路,或其他有使用VLAN的網路環境
聯絡人員阮耀飛
電話03-5916173
傳真03-5820292
電子信箱yf.juan@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備Switch:D-link DGS-3120-24TC Gigabit Ethernet Switch
需具備之專業人才具備基礎乙太網路知識

序號

6591

產出年度

103

技術名稱-中文

VLAN based data center SDN技術 (基於VLAN之資料中心軟體定義網路技術)

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

領域

服務創新

已申請專利之國家

美國、大陸、中華民國

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

使用VLAN來達成網路虛擬化功能,並且為每個 VLAN計算獨立的Spanning Tree來優化實體網路的頻寬利用率

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

可支援4094個虛擬網路

技術成熟度

雛型

可應用範圍

資料中心網路

潛力預估

資料中心與企業網路,或其他有使用VLAN的網路環境

聯絡人員

阮耀飛

電話

03-5916173

傳真

03-5820292

電子信箱

yf.juan@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

所須軟硬體設備

Switch:D-link DGS-3120-24TC Gigabit Ethernet Switch

需具備之專業人才

具備基礎乙太網路知識

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多量 SSD array 管理技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及應用服務技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.快捷外設互聯標準 3.10G 乙太網路 | 潛力預估: 1.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品。 2.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品。

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多量 SSD Array 管理技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.快捷外設互聯標準 3.10G 乙太網路 | 潛力預估: 1.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品。 2.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品。

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多量 SSD array 管理技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.快捷外設互聯標準 3.10G 乙太網路 | 潛力預估: 1. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品 2. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品

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雲端運算作業系統

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 1. 虛擬機管理 2. 儲存管理 3. 安全防護 4. 耗電管理 5. 伺服器、網路管理 6. 實體資源分配 7. 多面向負載平衡功能 8. 虛擬資料中心管理 9. 實體資料中心管理 10. 相容Op... | 潛力預估: 1. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,提供資料中心整案輸出(Data Center Total Solution)2. 發展軟體供應服務或系統整合(SI)廠商,提供資料中心或企業雲(Private...

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快閃記憶體儲存陣列技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.1 百萬 random IOPS | 潛力預估: 1. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品 2. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品

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多量 SSD array 管理技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及應用服務技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.快捷外設互聯標準 3.10G 乙太網路 | 潛力預估: 1.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品。 2.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品。

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多量 SSD Array 管理技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.快捷外設互聯標準 3.10G 乙太網路 | 潛力預估: 1.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品。 2.搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品。

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多量 SSD array 管理技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.快捷外設互聯標準 3.10G 乙太網路 | 潛力預估: 1. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品 2. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品

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雲端運算作業系統

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 1. 虛擬機管理 2. 儲存管理 3. 安全防護 4. 耗電管理 5. 伺服器、網路管理 6. 實體資源分配 7. 多面向負載平衡功能 8. 虛擬資料中心管理 9. 實體資料中心管理 10. 相容Op... | 潛力預估: 1. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,提供資料中心整案輸出(Data Center Total Solution)2. 發展軟體供應服務或系統整合(SI)廠商,提供資料中心或企業雲(Private...

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快閃記憶體儲存陣列技術

執行單位: 工研院雲端中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 雲端運算系統及軟體技術研發計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 1.單層式儲存/多層式儲存 2.1 百萬 random IOPS | 潛力預估: 1. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展資料中心與企業雲的雲端系統加速產品 2. 搭配國內IT硬體OEM/ODM廠商,發展存儲系統加速產品

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抑鈣沉澱黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜?平均鏈長3-4之間,蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 以國人鈣缺乏量(僅建議量1g/d之一半)補充計算,每年需補充4140噸之鈣當量,以鈣:抑鈣沉澱胜太以1:1之比率計算,每年就有4140噸之抑鈣沉澱胜太之需求潛力。

脂質代謝調整胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長6-7之間,蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 減重食品市場150億,飼料添加物市場80-90億。

肉類胜太替代用黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間,蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。

4.1吋半穿透/反射LCD 設計與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1(穿透)、30:1(反射)視角:穿透模式 ─ 左右100度,上下80度反應速度:25 ms | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制,且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造,及新型省電驅動法的技術,以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果

3-Gamma 電壓驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System,極具應用潛力

3-Gamma 電流驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

抑鈣沉澱黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜?平均鏈長3-4之間,蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 以國人鈣缺乏量(僅建議量1g/d之一半)補充計算,每年需補充4140噸之鈣當量,以鈣:抑鈣沉澱胜太以1:1之比率計算,每年就有4140噸之抑鈣沉澱胜太之需求潛力。

脂質代謝調整胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長6-7之間,蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 減重食品市場150億,飼料添加物市場80-90億。

肉類胜太替代用黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間,蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。

4.1吋半穿透/反射LCD 設計與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1(穿透)、30:1(反射)視角:穿透模式 ─ 左右100度,上下80度反應速度:25 ms | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制,且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造,及新型省電驅動法的技術,以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果

3-Gamma 電壓驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System,極具應用潛力

3-Gamma 電流驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

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