多層薄膜脫層缺陷檢測技術
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技術名稱-中文多層薄膜脫層缺陷檢測技術的執行單位是工研院院本部, 產出年度是103, 計畫名稱是智慧手持裝置核心技術攻堅計畫, 領域是智慧科技, 技術規格是1.缺陷種類：脫層(Delamination)、分析產生的區域 2.空間解析度：≦ 10μm, 潛力預估是本項技術為影像式非接觸式脫層檢測技術，可快速非破壞的優勢分析脫層問題。.

序號	6667
產出年度	103
技術名稱-中文	多層薄膜脫層缺陷檢測技術
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	智慧手持裝置核心技術攻堅計畫
領域	智慧科技
已申請專利之國家	無
已獲得專利之國家	無
技術現況敘述-中文	本項影像式非接觸式脫層檢測技術，基脫層導致光程漸變經微分後可強化對比，可觀測薄膜內脫層的現象，突破傳統脫層檢測方法不適用於薄膜的限制，透過切片驗證確實可達成脫層檢測的功效。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	1.缺陷種類：脫層(Delamination)、分析產生的區域 2.空間解析度：≦ 10μm
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	多層透明薄膜內層脫層檢測之應用
潛力預估	本項技術為影像式非接觸式脫層檢測技術，可快速非破壞的優勢分析脫層問題。
聯絡人員	楊富程
電話	03-5743882
傳真	03-5712307
電子信箱	fushiangyang@itri.org.tw
參考網址	http://-
所須軟硬體設備	硬體:差分干涉系統軟體:缺陷影像處理軟體
需具備之專業人才	光電、軟體
同步更新日期	2019-07-24

序號

6667

產出年度

103

技術名稱-中文

多層薄膜脫層缺陷檢測技術

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

智慧手持裝置核心技術攻堅計畫

領域

智慧科技

已申請專利之國家

無

已獲得專利之國家

無

技術現況敘述-中文

本項影像式非接觸式脫層檢測技術，基脫層導致光程漸變經微分後可強化對比，可觀測薄膜內脫層的現象，突破傳統脫層檢測方法不適用於薄膜的限制，透過切片驗證確實可達成脫層檢測的功效。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.缺陷種類：脫層(Delamination)、分析產生的區域 2.空間解析度：≦ 10μm

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

多層透明薄膜內層脫層檢測之應用

潛力預估

本項技術為影像式非接觸式脫層檢測技術，可快速非破壞的優勢分析脫層問題。

聯絡人員

楊富程

電話

03-5743882

傳真

03-5712307

電子信箱

fushiangyang@itri.org.tw

參考網址

http://-

所須軟硬體設備

硬體:差分干涉系統軟體:缺陷影像處理軟體

需具備之專業人才

光電、軟體

同步更新日期

2019-07-24

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高密度通道光譜影像儀及分析技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 波長範圍350 nm 至 850 nm，波長解析度小於3 nm。 \| 潛力預估: 可取代單通道光譜儀，以提高量測速度。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
透明材質全域式應力檢測技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 橫向解析度：20 μm；相位解析度 < 1 nm；相位量測範圍：10~300 nm \| 潛力預估: 可應用於大面積應力量測及分析 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
全域式應力量測系統(量測中心產出)	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)相位解析度 \| 潛力預估: 可提供全區域應力大小及方向之定量資訊，此系統感度高可偵測低光彈系數之材料並可測出微小應力，可因應產品薄化面積大化之品質監控需求。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
斷層應力量測分析技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)縱向空間解析度：＜0.5 μm (2)應力方向解析度：＜0.1度 (3)相位解析度：＜0.5 nm \| 潛力預估: 可提供軟電產業及相關產業內層結構應力分析之功能、目前並無市售產品、因此預估每年有千萬元以上的產值效益。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
全域式斷層應力量測分析技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 量測面積：50 mm×50 mm spot size：50μm 應力方向解析度：＜0.1度應力量測解析度：1 MPa @PI材質應力量測範圍：10~3000 MPa \| 潛力預估: 關鍵技術可以應用於斷層結構掃描等應用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
橢偏影像量測技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1、空間解析度: ≦5μm 2、可調頻寬範圍: ≦100nm 3、檢測基材: LTSP \| 潛力預估: 關鍵技術可應用於材料缺陷檢測等應用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
影像式有機薄膜厚度均勻性檢測模組技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 空間解析度:≦5μm 厚度量測重複性: ≦1% 檢測膜材:Organic Film \| 潛力預估: 關鍵技術可應用於材料厚度均勻性與缺陷檢測等應用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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阻斷奈米彈性材料技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米彈性材料之性能提昇 Green Strength增加逾200% (聚氨基甲酸酯彈性阻斷材料逾50%)，阻水阻氣性提昇逾40%，耐磨性能提昇逾50%、抗撕裂強度提昇逾50%。 \| 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。
防腐蝕奈米改質壓克力塗料技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 塗層材料具UV輻射穿透率改善200％，IR輻射穿透率改善85％，阻水阻氣性提昇逾50%，耐磨性能提昇逾60%、基材附著強度提昇逾100%。 \| 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。
伺服閥系統技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 流量12cis，壓力3000psi \| 潛力預估: 可搶攻高級閥件市場，極具市場潛力
精密慣導系統元件技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 可搶攻導航系統市場，極具市場潛力
鈦合金進氣道	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 通過AMS-STD-2219銲接X-RAY之A級檢驗要求 \| 潛力預估: 可搶攻國際航太工業，極具市場淺力
精密高強度鍛造技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍛造件幾何精度須達到幾何公差.15mm，須通過AMS 4079C 機械性能及超音波MIL- STD–2154 Class AA檢驗規範 \| 潛力預估: 可搶攻航太工業及核電工程結構零組件市場
數位驅動控制器	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.迴授精度線性：± 0.5%。2.機械行程：50 ± 2 Degrees。3.電氣行程：45±2 Degrees。4..操作電壓：18 ~ 32V。5.標準操作電壓值：24V。6.無載速度：130 ... \| 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。
火鶴軍用小靶機設計	執行單位: 中科院資通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里採彈射及滑行起飛等需求規格設計 \| 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。
數位飛控電腦模組設計、製造	執行單位: 中科院資通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度：-55 ~ +85℃操作環境：-40 ~ +55℃；+70℃至少30分鐘可靠度 MT... \| 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。
共用型軍用發射系統	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 \| 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會
低溫共燒陶瓷微波高密度構裝	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 D \| 潛力預估:
S-頻段單晶低雜訊放大器	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: ＊頻段:S-頻段＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB \| 潛力預估:
直接數位訊號(DDS)合成電路設計開發	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB \| 潛力預估:
低頻高增益帶通濾波器設計開發	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB \| 潛力預估:
InSb 320X256紅外線偵檢元件模組	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: Format : 320X256 Pitch : 30um RoA > 1.E5Ohm-cm2 漏電流 < 1nA (負偏壓250mV) 接合良率 > 99.9% 操作率 > 99% \| 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上

阻斷奈米彈性材料技術

多層薄膜脫層缺陷檢測技術 - 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

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