技術名稱-中文6Mo系不銹鋼低入熱銲接技術的執行單位是金屬中心, 產出年度是103, 計畫名稱是化工產業高值化技術與應用發展計畫, 領域是民生福祉, 技術規格是銲接入熱小於20kJ/ cm，銲道金屬PREN≧40，銲道品質符合ASME SECTION Ⅸ規範要求，銲接區抗腐蝕性能較316lL不銹鋼提升100%。, 潛力預估是可應用於石化管線設備、高耐蝕反應槽/儲槽、熱交換器、閘閥、攪拌設備等,此防蝕技術應用可減少設備腐蝕造成工安意外、停產、設備更新損失約30億元。.
| 序號 | 7106 |
| 產出年度 | 103 |
| 技術名稱-中文 | 6Mo系不銹鋼低入熱銲接技術 |
| 執行單位 | 金屬中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 化工產業高值化技術與應用發展計畫 |
| 領域 | 民生福祉 |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 腐蝕問題造成許多結構物或設備組件的損壞、環境污染、甚至火災暴炸等工安事件，台灣地處亞熱帶、高溫多濕海島型氣候，大氣腐蝕情況相對嚴重，沿海地區的石化工業設備面臨更多挑戰，保溫層下管線、設備的腐蝕(CUI)尤其嚴重，因此發展6Mo系不銹鋼低入熱銲接技術，以提高結構高防蝕性能，降低設備維修頻率。本技術移轉對象即因應此產業需求。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 銲接入熱小於20kJ/ cm，銲道金屬PREN≧40，銲道品質符合ASME SECTION Ⅸ規範要求，銲接區抗腐蝕性能較316lL不銹鋼提升100%。 |
| 技術成熟度 | (空) |
| 可應用範圍 | 可應用於石化業、電廠、汚染防治領域應用。 |
| 潛力預估 | 可應用於石化管線設備、高耐蝕反應槽/儲槽、熱交換器、閘閥、攪拌設備等,此防蝕技術應用可減少設備腐蝕造成工安意外、停產、設備更新損失約30億元。 |
| 聯絡人員 | 吳隆佃 |
| 電話 | 07-351-3121#2510 |
| 傳真 | 07-353-3382 |
| 電子信箱 | wult@mail.mirdc.org.tw |
| 參考網址 | http://www.mirdc.org.tw/research/Technogy_detial.aspx?cond=A403060002&sty=03 |
| 所須軟硬體設備 | CMT(cold metal transfer)銲接機、機器人控制設備、CMT與機器人整合軟體。 |
| 需具備之專業人才 | 銲材選用、銲接程序條件控制、銲接缺陷控制、敏化/偏析抑制、銲機設備與機器人整合技術 |
| 同步更新日期 | 2024-09-03 |
序號7106 |
產出年度103 |
技術名稱-中文6Mo系不銹鋼低入熱銲接技術 |
執行單位金屬中心 |
產出單位(空) |
計畫名稱化工產業高值化技術與應用發展計畫 |
領域民生福祉 |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文腐蝕問題造成許多結構物或設備組件的損壞、環境污染、甚至火災暴炸等工安事件，台灣地處亞熱帶、高溫多濕海島型氣候，大氣腐蝕情況相對嚴重，沿海地區的石化工業設備面臨更多挑戰，保溫層下管線、設備的腐蝕(CUI)尤其嚴重，因此發展6Mo系不銹鋼低入熱銲接技術，以提高結構高防蝕性能，降低設備維修頻率。本技術移轉對象即因應此產業需求。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格銲接入熱小於20kJ/ cm，銲道金屬PREN≧40，銲道品質符合ASME SECTION Ⅸ規範要求，銲接區抗腐蝕性能較316lL不銹鋼提升100%。 |
技術成熟度(空) |
可應用範圍可應用於石化業、電廠、汚染防治領域應用。 |
潛力預估可應用於石化管線設備、高耐蝕反應槽/儲槽、熱交換器、閘閥、攪拌設備等,此防蝕技術應用可減少設備腐蝕造成工安意外、停產、設備更新損失約30億元。 |
聯絡人員吳隆佃 |
電話07-351-3121#2510 |
傳真07-353-3382 |
電子信箱wult@mail.mirdc.org.tw |
參考網址http://www.mirdc.org.tw/research/Technogy_detial.aspx?cond=A403060002&sty=03 |
所須軟硬體設備CMT(cold metal transfer)銲接機、機器人控制設備、CMT與機器人整合軟體。 |
需具備之專業人才銲材選用、銲接程序條件控制、銲接缺陷控制、敏化/偏析抑制、銲機設備與機器人整合技術 |
同步更新日期2024-09-03 |
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| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞， 又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度<±15% | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□ 2. 介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V/... | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，如開發完成，未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage<10V、軟性塑膠基板 | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞， 又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度<±15% | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□ 2. 介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V/... | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，如開發完成，未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage<10V、軟性塑膠基板 | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ... |
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