高強度壓鑄鋁合金材料技術開發
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文高強度壓鑄鋁合金材料技術開發的執行單位是工研院院本部, 產出年度是104, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 領域是服務創新, 技術規格是壓鑄鋁合金強度>200MPa, 潛力預估是可結合陽極處理技術發展3C產品應用.
根據名稱 高強度壓鑄鋁合金材料技術開發 找到的相關資料
根據電話 03-5916987 找到的相關資料
(以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5916987 ...)序號 | 4883 |
產出年度 | 100 |
技術名稱-中文 | 中溫熱電材料與模組製程技術 |
執行單位 | 工研院材化所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 熱電發電模組及節能應用技術計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | GeTe、PbTe、Zn4Sb3 系中溫用熱電材料的熔配與成形技術,以及將該些材料組成熱電模組的組裝技術。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 中溫熱電材料ZT>1.0,中溫熱電模組面積~40x40 mm/每片,熱電轉換效率~5% |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | 可將溫度在200~500℃之熱源轉換為電力,可應用於工業餘熱再利用或小型電力產生器。 |
潛力預估 | 目前產值預估:5~10億/年,未來應用普及後,產值將大幅成長。 |
聯絡人員 | 陳俊沐 |
電話 | 03-5916987 |
傳真 | 03-5820207 |
電子信箱 | mu@itri.org.tw |
參考網址 | - |
所須軟硬體設備 | 高溫熔煉、真空熱壓、模組焊接等設備 |
需具備之專業人才 | 合金熔煉、粉末冶金、異種材料接合等專業人才 |
序號: 4883 |
產出年度: 100 |
技術名稱-中文: 中溫熱電材料與模組製程技術 |
執行單位: 工研院材化所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 熱電發電模組及節能應用技術計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: GeTe、PbTe、Zn4Sb3 系中溫用熱電材料的熔配與成形技術,以及將該些材料組成熱電模組的組裝技術。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 中溫熱電材料ZT>1.0,中溫熱電模組面積~40x40 mm/每片,熱電轉換效率~5% |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: 可將溫度在200~500℃之熱源轉換為電力,可應用於工業餘熱再利用或小型電力產生器。 |
潛力預估: 目前產值預估:5~10億/年,未來應用普及後,產值將大幅成長。 |
聯絡人員: 陳俊沐 |
電話: 03-5916987 |
傳真: 03-5820207 |
電子信箱: mu@itri.org.tw |
參考網址: - |
所須軟硬體設備: 高溫熔煉、真空熱壓、模組焊接等設備 |
需具備之專業人才: 合金熔煉、粉末冶金、異種材料接合等專業人才 |
序號 | 6463 |
產出年度 | 102 |
技術名稱-中文 | 熱電模組耐溫接合技術 |
執行單位 | 工研院材化所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 綠色電能材料與系統應用開發計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 目前發電用熱電模組(TEG)之組裝接合方式均採用傳統錫膏材料,因為其熔點最高只有約 220℃,當使用溫度高於該熔解溫度時,熱電模組將因焊錫熔解而損壞。為了提高熱電模組的使用穩定性與發電效率,本計畫開發特殊接合材料與技術,可利用傳統迴焊設備,只需改變迴焊條件,即可組裝耐高溫之熱電模組。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 熱電模組最高耐溫280℃ 模組尺寸30x30~40x40 mm 熱電模組厚度1.3~2.0mm 可使用一般迴銲爐 採用無毒環保型接合材料 |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | 熱電模組基板與熱電晶粒間的接合,梯度熱電材料(segmented functional graded material, FGM)間的接合,以及雙層結構熱電模接合(two-stage or cascaded thermoelectric module),藉以提升熱電發電的轉換效率。 另外由於本技術可避免接合層焊料被擠壓出介面(pump out),造成電性焊接點失效,因此也可應用於一般的電子零件接合,也有提高其使用穩定性效果。 |
潛力預估 | 本技術可應用於300℃以下工業用餘熱之回收再利用,例如鋼鐵、水泥、石化、金屬熔煉、玻璃、食品、造紙及焚化爐等工業領域均有此工業於熱,此有助於節能省碳。另外,亦有機會應用於特殊電子產品的回焊,可提高接合介面的耐溫性。 |
聯絡人員 | 陳俊沐 |
電話 | 03-5916987 |
傳真 | 03-5820207 |
電子信箱 | mu@itri.org.tw |
參考網址 | - |
所須軟硬體設備 | 熱電晶粒製造設備、迴焊爐 |
需具備之專業人才 | 熱電材料或半導體材料製造或品保經驗 |
序號: 6463 |
產出年度: 102 |
技術名稱-中文: 熱電模組耐溫接合技術 |
執行單位: 工研院材化所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 綠色電能材料與系統應用開發計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 目前發電用熱電模組(TEG)之組裝接合方式均採用傳統錫膏材料,因為其熔點最高只有約 220℃,當使用溫度高於該熔解溫度時,熱電模組將因焊錫熔解而損壞。為了提高熱電模組的使用穩定性與發電效率,本計畫開發特殊接合材料與技術,可利用傳統迴焊設備,只需改變迴焊條件,即可組裝耐高溫之熱電模組。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 熱電模組最高耐溫280℃ 模組尺寸30x30~40x40 mm 熱電模組厚度1.3~2.0mm 可使用一般迴銲爐 採用無毒環保型接合材料 |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: 熱電模組基板與熱電晶粒間的接合,梯度熱電材料(segmented functional graded material, FGM)間的接合,以及雙層結構熱電模接合(two-stage or cascaded thermoelectric module),藉以提升熱電發電的轉換效率。 另外由於本技術可避免接合層焊料被擠壓出介面(pump out),造成電性焊接點失效,因此也可應用於一般的電子零件接合,也有提高其使用穩定性效果。 |
潛力預估: 本技術可應用於300℃以下工業用餘熱之回收再利用,例如鋼鐵、水泥、石化、金屬熔煉、玻璃、食品、造紙及焚化爐等工業領域均有此工業於熱,此有助於節能省碳。另外,亦有機會應用於特殊電子產品的回焊,可提高接合介面的耐溫性。 |
聯絡人員: 陳俊沐 |
電話: 03-5916987 |
傳真: 03-5820207 |
電子信箱: mu@itri.org.tw |
參考網址: - |
所須軟硬體設備: 熱電晶粒製造設備、迴焊爐 |
需具備之專業人才: 熱電材料或半導體材料製造或品保經驗 |
[ 搜尋所有
03-5916987 ... ]
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發
被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色 |
| 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣 |
| 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃;
(2)結合強度3000psi以上;
(3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE(Packet PC)或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制,以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能,創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I... |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像,可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組,預估其生產成本的降低後,可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台,創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會,亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯... |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米;厚度可達500微米;平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率:5GHz~6GHz,頻寬:100MHz~150MHz,插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路,通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上,現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發
被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色 |
執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣 |
執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃;
(2)結合強度3000psi以上;
(3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE(Packet PC)或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制,以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能,創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I... |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像,可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組,預估其生產成本的降低後,可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台,創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會,亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯... |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米;厚度可達500微米;平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場,極具市場潛力 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率:5GHz~6GHz,頻寬:100MHz~150MHz,插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路,通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上,現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
|