靜電吸附盤及其半導體設備
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文靜電吸附盤及其半導體設備的執行單位是工研院電光所, 產出年度是104, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 領域是智慧科技, 技術規格是1. 本發明為藉由在氮化鋁(AlN)或其它陶瓷介電質基板之間夾入電極，進行燒成而製作的陶瓷製的靜電吸盤是將靜電吸附用電力施加於內建的電極，施加電壓為3000V與-3000V之轉換，電極表面設計一氣孔間隙(Air Gap)通道，被吸附晶圓材為之矽晶圓，獲得氮化鋁(AlN)陶瓷介電質基板之淨靜電吸附壓力..., 潛力預估是市場預估30億台幣.
| 序號 | 7585 |
| 產出年度 | 104 |
| 技術名稱-中文 | 靜電吸附盤及其半導體設備 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 |
| 領域 | 智慧科技 |
| 已申請專利之國家 | 中華民國 |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 本發明的靜電吸盤，其特徵在於包含具有陶瓷層的材料包括，藉由在氮化鋁(AlN)或氧化鋁(Al2O3)等的陶瓷介電質基板之間夾入電極，進行燒成而製作的陶瓷製的靜電吸盤是將靜電吸附用電力施加於內建的電極，透過靜電力吸附矽晶圓等的基板。本文探討不同情況對被吸附物靜電力的影響情況，如下：（1）被吸附物材料（2）靜電吸盤陶瓷材料（3）矽晶圓厚度（4）陶瓷表面粗糙度，及靜電吸放時間的影響範疇。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 1. 本發明為藉由在氮化鋁(AlN)或其它陶瓷介電質基板之間夾入電極，進行燒成而製作的陶瓷製的靜電吸盤是將靜電吸附用電力施加於內建的電極，施加電壓為3000V與-3000V之轉換，電極表面設計一氣孔間隙(Air Gap)通道，被吸附晶圓材為之矽晶圓，獲得氮化鋁(AlN)陶瓷介電質基板之淨靜電吸附壓力，用以吸附矽晶圓。 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 半導體產業 |
| 潛力預估 | 市場預估30億台幣 |
| 聯絡人員 | 郭養國 |
| 電話 | 03-4712201#358172 |
| 傳真 | 03-4116381 |
| 電子信箱 | ykkuo2002@yahoo.com.tw |
| 參考網址 | http://www.csistdup.org.tw/ |
| 所須軟硬體設備 | 半導體相關軟硬體設備 |
| 需具備之專業人才 | 具備半導體設備操作之專業人才 |
| 同步更新日期 | 2024-09-03 |
序號7585 |
產出年度104 |
技術名稱-中文靜電吸附盤及其半導體設備 |
執行單位工研院電光所 |
產出單位(空) |
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫 |
領域智慧科技 |
已申請專利之國家中華民國 |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文本發明的靜電吸盤，其特徵在於包含具有陶瓷層的材料包括，藉由在氮化鋁(AlN)或氧化鋁(Al2O3)等的陶瓷介電質基板之間夾入電極，進行燒成而製作的陶瓷製的靜電吸盤是將靜電吸附用電力施加於內建的電極，透過靜電力吸附矽晶圓等的基板。本文探討不同情況對被吸附物靜電力的影響情況，如下：（1）被吸附物材料（2）靜電吸盤陶瓷材料（3）矽晶圓厚度（4）陶瓷表面粗糙度，及靜電吸放時間的影響範疇。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格1. 本發明為藉由在氮化鋁(AlN)或其它陶瓷介電質基板之間夾入電極，進行燒成而製作的陶瓷製的靜電吸盤是將靜電吸附用電力施加於內建的電極，施加電壓為3000V與-3000V之轉換，電極表面設計一氣孔間隙(Air Gap)通道，被吸附晶圓材為之矽晶圓，獲得氮化鋁(AlN)陶瓷介電質基板之淨靜電吸附壓力，用以吸附矽晶圓。 |
技術成熟度試量產 |
可應用範圍半導體產業 |
潛力預估市場預估30億台幣 |
聯絡人員郭養國 |
電話03-4712201#358172 |
傳真03-4116381 |
電子信箱ykkuo2002@yahoo.com.tw |
參考網址http://www.csistdup.org.tw/ |
所須軟硬體設備半導體相關軟硬體設備 |
需具備之專業人才具備半導體設備操作之專業人才 |
同步更新日期2024-09-03 |
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| 執行單位: 中科院化學研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 1. 本發明為藉由在氮化鋁(AlN)或其它陶瓷介電質基板之間夾入電極，進行燒成而製作的陶瓷製的靜電吸盤是將靜電吸附用電力施加於內建的電極，施加電壓為3000V與-3000V之轉換，電極表面設計一氣孔間... | 潛力預估: 市場預估30億台幣 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院化學研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 1. 本發明為藉由在氮化鋁(AlN)或其它陶瓷介電質基板之間夾入電極，進行燒成而製作的陶瓷製的靜電吸盤是將靜電吸附用電力施加於內建的電極，施加電壓為3000V與-3000V之轉換，電極表面設計一氣孔間... | 潛力預估: 市場預估30億台幣 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
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| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院化學研究所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 郭養國、向嘉頤、姜林靜惠、黃福興 | 證書號碼: I 432274 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 專利發明人: 郭養國、王金鵬、呂理煌 | 證書號碼: 發明第I 432673號 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院化學研究所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 郭養國、向嘉頤、劉得鉢、姜林靜惠 | 證書號碼: I531528 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院化學研究所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 賴冠廷、許志雄、楊旻諭 | 證書號碼: I548591 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
| 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 民生福祉領域工業基礎技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 碳熱還原法球磨混合技術、碳熱還原法溶膠-凝膠植碳技術 | 潛力預估: 高導熱氮化鋁基板、高導熱氮化鋁陶瓷元件 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 氮化鋁e-chuck共燒成品的四點抗彎強度及維式硬度測試驗證技術、氮化鋁e-chuck共燒成品的電絕緣性與漏電流測試驗證技術、氮化鋁e-chuck共燒成品的散熱性能驗證技術、氮化鋁e-chuck共燒成... | 潛力預估: 半導體製程的鍍膜、離子植入、黃光與蝕刻等製程設備 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院化學研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 一種利用多軸機械加工之立體天線線路成型技術。 | 潛力預估: 加工過程不需使用任何光罩，並以控制基板表面粗糙度等方式提升銅線覆蓋品質，是一種低成本與快速的加工方法。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院化學研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 非平面絕緣基板製作技術、立體微影技術技術等。 | 潛力預估: 提高天線低頻的性能，同時對於天線的微小化亦有相當程度的幫助，有助於搭載之天線載具降低重量與能源的使用。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院化學研究所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 郭養國、向嘉頤、姜林靜惠、黃福興 | 證書號碼: I 432274 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
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| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓<25V | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞， 又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度<±15% | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓<25V | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞， 又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度<±15% | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL... |
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