奈米抗菌抗紫外線複合材料技術
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技術名稱-中文奈米抗菌抗紫外線複合材料技術的執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是104, 計畫名稱是高值化碳素材料開發與應用技術計畫, 領域是民生福祉, 技術規格是通過金黃色葡萄球菌及大腸桿菌抗菌試驗要求，紫外光340nm波長穿透率小於10%, 潛力預估是建材、民生用品、筆記型電腦、手機等消費性電子產品之外殼。.

序號	7671
產出年度	104
技術名稱-中文	奈米抗菌抗紫外線複合材料技術
執行單位	中科院材料暨光電研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	高值化碳素材料開發與應用技術計畫
領域	民生福祉
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用奈米粉體之小尺寸、高活性與高比表面積特性，以及無機金屬氧化物氧化鋅之紫外線吸收與抗菌等優異的性質，混成反應分散於不飽合聚酯樹脂及其複合材料中，強化有機高分子樹脂材料對紫外線以及細菌之阻絕抵抗，達到兼具抗菌及紫外線阻斷功能之多功能複合效果，保護複合材料基材，增加產品使用壽命，同時達成技術創新及產業化之雙重目標。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	通過金黃色葡萄球菌及大腸桿菌抗菌試驗要求，紫外光340nm波長穿透率小於10%
技術成熟度	試量產
可應用範圍	適用於消費性電子、資訊光電高科技產業、公共建築、商業大樓、醫療保健、交通運輸等各種難燃複合材料上。
潛力預估	建材、民生用品、筆記型電腦、手機等消費性電子產品之外殼。
聯絡人員	李昌崙
電話	04-27023051#503914
傳真	(04)27060522
電子信箱	csist@csistdup.org.tw
參考網址	http://www.ncsist.org.tw/csistdup/main/Default.aspx
所須軟硬體設備	分散攪拌機械、成型模具、噴塗機具、加熱硬化裝備。
需具備之專業人才	化學化工、材料
同步更新日期	2024-09-03

序號

7671

產出年度

104

技術名稱-中文

奈米抗菌抗紫外線複合材料技術

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

高值化碳素材料開發與應用技術計畫

領域

民生福祉

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用奈米粉體之小尺寸、高活性與高比表面積特性，以及無機金屬氧化物氧化鋅之紫外線吸收與抗菌等優異的性質，混成反應分散於不飽合聚酯樹脂及其複合材料中，強化有機高分子樹脂材料對紫外線以及細菌之阻絕抵抗，達到兼具抗菌及紫外線阻斷功能之多功能複合效果，保護複合材料基材，增加產品使用壽命，同時達成技術創新及產業化之雙重目標。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

通過金黃色葡萄球菌及大腸桿菌抗菌試驗要求，紫外光340nm波長穿透率小於10%

技術成熟度

試量產

可應用範圍

適用於消費性電子、資訊光電高科技產業、公共建築、商業大樓、醫療保健、交通運輸等各種難燃複合材料上。

潛力預估

建材、民生用品、筆記型電腦、手機等消費性電子產品之外殼。

聯絡人員

李昌崙

電話

04-27023051#503914

傳真

(04)27060522

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

http://www.ncsist.org.tw/csistdup/main/Default.aspx

所須軟硬體設備

分散攪拌機械、成型模具、噴塗機具、加熱硬化裝備。

需具備之專業人才

化學化工、材料

同步更新日期

2024-09-03

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奈米抗菌抗紫外線複合材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 通過金黃色葡萄球菌及大腸桿菌抗菌試驗要求，紫外光340nm波長穿透率小於10% \| 潛力預估: 建材、民生用品、筆記型電腦、手機等消費性電子產品之外殼。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米抗菌抗紫外線複合材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 通過金黃色葡萄球菌及大腸桿菌抗菌試驗要求，紫外光340nm波長穿透率小於10% \| 潛力預估: 建材、民生用品、筆記型電腦、手機等消費性電子產品之外殼。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米抗菌抗紫外線複合材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 通過金黃色葡萄球菌及大腸桿菌抗菌試驗要求，紫外光340nm波長穿透率小於10% \| 潛力預估: 建材、民生用品、筆記型電腦、手機等消費性電子產品之外殼。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米抗菌抗紫外線複合材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 通過金黃色葡萄球菌及大腸桿菌抗菌試驗要求，紫外光340nm波長穿透率小於10% \| 潛力預估: 建材、民生用品、筆記型電腦、手機等消費性電子產品之外殼。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米抗菌抗紫外線複合材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 通過金黃色葡萄球菌及大腸桿菌抗菌試驗要求，紫外光340nm波長穿透率小於10% \| 潛力預估: 建材、民生用品、筆記型電腦、手機等消費性電子產品之外殼。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米抗菌抗紫外線複合材料技術	執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 103 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: 民生福祉 \| 技術規格: 通過金黃色葡萄球菌及大腸桿菌抗菌試驗要求，紫外光340nm波長穿透率小於10% \| 潛力預估: 建材、民生用品、筆記型電腦、手機等消費性電子產品之外殼。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米抗菌抗紫外線複合材料技術	執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 \| 領域: 民生福祉 \| 技術規格: 通過金黃色葡萄球菌及大腸桿菌抗菌試驗要求，紫外光340nm波長穿透率小於10% \| 潛力預估: 建材、民生用品、筆記型電腦、手機等消費性電子產品之外殼。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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一種含有微膠龔聚磷酸鼓的聚氯基甲酸醋難燃材料之製備方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 \| 專利發明人: 李昌崙、沈北湖、李乘清、江金龍 \| 證書號碼: I544959 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
奈米粒子彈性體官能化表面安定處理技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米彈性材料原始強度提升200 % ，阻水阻氣提升50 %，抗撕裂強度提升100 % 。 \| 潛力預估: 高壓阻油阻氣、密封性及耐磨耗性等，應用於環保型奈米彈性阻尼材、密封材，例如電子業相關滾筒及輪胎等工業上，達抗磨損，高強度，延壽，環保等需求。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米聚氨基甲酸酯材料技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提昇彈性材料之性能【彈性材料原始強度增加逾200% ，聚氨基甲酸酯阻斷材料原始強度增加逾50% 】 \| 潛力預估: 具密封性及耐磨耗性等，應用於環保型奈米彈性阻尼材、密封材，例如製鞋工業。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
阻斷奈米彈性材料技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米彈性材料之性能提昇 Green Strength增加逾200% (聚氨基甲酸酯彈性阻斷材料逾50%)，阻水阻氣性提昇逾40%，耐磨性能提昇逾50%、抗撕裂強度提昇逾50%。 \| 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
防腐蝕奈米改質壓克力塗料技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 塗層材料具UV輻射穿透率改善200％，IR輻射穿透率改善85％，阻水阻氣性提昇逾50%，耐磨性能提昇逾60%、基材附著強度提昇逾100%。 \| 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米複合粉體技術	執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 104 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 \| 領域: 民生福祉 \| 技術規格: 聚熱性:△T～-10℃ 總陽光反射率: ＞30%。難燃等級: UL 94 V0 & HF-1 煙濃度: 90秒＜50 紫外線穿透率: 波長340nm ＜10% \| 潛力預估: 汽車機車及大眾交通運輸、公共建築元件。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米難燃不飽合聚脂複合材料技術	執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 104 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 \| 領域: 民生福祉 \| 技術規格: 難燃性:UL94 V0煙濃度:4分鐘低於200毒性氣體含量:ABD 0031總鹵素含量:低於10ppm。 \| 潛力預估: 大眾運輸與軌道車輛用複合材料元件 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米矽酸鹽橡膠積層複材儲油容器結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 96 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 輕航機暨航空關鍵系統整合技術三年計畫 \| 專利發明人: 沈北湖、黃為國等五員 \| 證書號碼: I 278391 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

一種含有微膠龔聚磷酸鼓的聚氯基甲酸醋難燃材料之製備方法

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

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奈米聚氨基甲酸酯材料技術

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

阻斷奈米彈性材料技術

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防腐蝕奈米改質壓克力塗料技術

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奈米複合粉體技術

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奈米難燃不飽合聚脂複合材料技術

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奈米矽酸鹽橡膠積層複材儲油容器結構

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CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□_x000D_；介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V... \| 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
多晶矽平坦化技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 \| 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力
4"奈米碳管場發射顯射器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓<25V \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力
AMOLED畫素與驅動電路設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... \| 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力
合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。
磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: MR>50%, RA<2kΩμm2, 90 nm 微縮化可行性佳 \| 潛力預估: Embedded 記憶體
相變化記憶體元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... \| 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。
微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) \| 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 \| 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 \| 潛力預估: 穩定可量產
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本

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序號

產出年度

技術名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

領域

已申請專利之國家

已獲得專利之國家

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技術現況敘述-英文

技術規格

技術成熟度

可應用範圍

潛力預估

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