技術名稱-中文碳化矽磊晶晶圓缺陷分析技術的執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是104, 計畫名稱是智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫, 領域是智慧科技, 技術規格是完成碳化矽磊晶晶片非破壞性檢測，並將之位置圖像化，以便後續與元件特性進行比對及分析。並進行缺陷分類及統計。, 潛力預估是預估可創造500萬元以上產值.
| 序號 | 7686 |
| 產出年度 | 104 |
| 技術名稱-中文 | 碳化矽磊晶晶圓缺陷分析技術 |
| 執行單位 | 中科院材料暨光電研究所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 |
| 領域 | 智慧科技 |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 本技術針對碳化矽磊晶晶片，進行非破壞性檢測，並將之位置圖像化，以便後續與元件特性進行比對及分析。並進行缺陷分類及統計。並由廠商依生產程序執行元件製作，並於完成後進行on wafer 電性量測。雙方共同討論逐一檢視電性與缺陷相對應關係，以找出何種缺陷造成的損壞。可以提高公司生產良率。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 完成碳化矽磊晶晶片非破壞性檢測，並將之位置圖像化，以便後續與元件特性進行比對及分析。並進行缺陷分類及統計。 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 碳化矽磊晶晶圓表面光學檢測技術,碳化矽磊晶晶圓缺陷分析技術 |
| 潛力預估 | 預估可創造500萬元以上產值 |
| 聯絡人員 | 張緒萍 |
| 電話 | 03-4712201#359521 |
| 傳真 | 03-4711024 |
| 電子信箱 | spchang5810@hotmail.com |
| 參考網址 | http://h |
| 所須軟硬體設備 | 光學次表面量測系統 |
| 需具備之專業人才 | 材料、光電 |
| 同步更新日期 | 2024-09-03 |
序號7686 |
產出年度104 |
技術名稱-中文碳化矽磊晶晶圓缺陷分析技術 |
執行單位中科院材料暨光電研究所 |
產出單位(空) |
計畫名稱智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 |
領域智慧科技 |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文本技術針對碳化矽磊晶晶片，進行非破壞性檢測，並將之位置圖像化，以便後續與元件特性進行比對及分析。並進行缺陷分類及統計。並由廠商依生產程序執行元件製作，並於完成後進行on wafer 電性量測。雙方共同討論逐一檢視電性與缺陷相對應關係，以找出何種缺陷造成的損壞。可以提高公司生產良率。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格完成碳化矽磊晶晶片非破壞性檢測，並將之位置圖像化，以便後續與元件特性進行比對及分析。並進行缺陷分類及統計。 |
技術成熟度試量產 |
可應用範圍碳化矽磊晶晶圓表面光學檢測技術,碳化矽磊晶晶圓缺陷分析技術 |
潛力預估預估可創造500萬元以上產值 |
聯絡人員張緒萍 |
電話03-4712201#359521 |
傳真03-4711024 |
電子信箱spchang5810@hotmail.com |
參考網址http://h |
所須軟硬體設備光學次表面量測系統 |
需具備之專業人才材料、光電 |
同步更新日期2024-09-03 |
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| 執行單位: 中科院材電所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 進行非破壞性檢測，並將之位置圖像化，以便後續與元件特性進行比對及分析 | 潛力預估: 佳 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材電所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 進行非破壞性檢測，並將之位置圖像化，以便後續與元件特性進行比對及分析 | 潛力預估: 佳 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 厚度:350±10um 粗糙度:<1nm | 潛力預估: 碳化矽晶體檢測技術，預估未來市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: MPD<80cm-2 Rocking curve FWHM<65 arcsec 粗糙度≦1nm | 潛力預估: 碳化矽晶體檢測技術，預估未來市場具10億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 完成高硬度材質碳化矽表面蝕刻處裡，使表面更為平整或降低晶圓厚度 | 潛力預估: 預估可創造100萬元以上產值 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 核准國家: 日本 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 專利發明人: 熊治勇、馬代良、彭超群 | 證書號碼: 特許第5582585號 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 專利發明人: 熊治勇、馬代良、彭超群 | 證書號碼: 發明第I461578號 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 厚度:350±10um 粗糙度:<1nm | 潛力預估: 碳化矽晶體檢測技術，預估未來市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: MPD<80cm-2 Rocking curve FWHM<65 arcsec 粗糙度≦1nm | 潛力預估: 碳化矽晶體檢測技術，預估未來市場具10億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 完成高硬度材質碳化矽表面蝕刻處裡，使表面更為平整或降低晶圓厚度 | 潛力預估: 預估可創造100萬元以上產值 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
核准國家: 日本 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 專利發明人: 熊治勇、馬代良、彭超群 | 證書號碼: 特許第5582585號 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 專利發明人: 熊治勇、馬代良、彭超群 | 證書號碼: 發明第I461578號 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
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| 執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜?平均鏈長3-4之間，蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 以國人鈣缺乏量(僅建議量1g/d之一半)補充計算，每年需補充4140噸之鈣當量，以鈣:抑鈣沉澱胜太以1:1之比率計算，每年就有4140噸之抑鈣沉澱胜太之需求潛力。 |
| 執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長6-7之間，蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 減重食品市場150億，飼料添加物市場80-90億。 |
| 執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間，蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1（穿透）、30:1（反射）視角：穿透模式 ─ 左右100度，上下80度反應速度：25 ms | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制，且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造，及新型省電驅動法的技術，以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System，極具應用潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number：640 x 3 x480 .Pixel pitch：90 um x 120 um .Aperture ratio： 30% .Brightness：> 30... | 潛力預估: 軟體設備：LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備：雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓<25V | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜?平均鏈長3-4之間，蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 以國人鈣缺乏量(僅建議量1g/d之一半)補充計算，每年需補充4140噸之鈣當量，以鈣:抑鈣沉澱胜太以1:1之比率計算，每年就有4140噸之抑鈣沉澱胜太之需求潛力。 |
執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長6-7之間，蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 減重食品市場150億，飼料添加物市場80-90億。 |
執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間，蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1（穿透）、30:1（反射）視角：穿透模式 ─ 左右100度，上下80度反應速度：25 ms | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制，且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造，及新型省電驅動法的技術，以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System，極具應用潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number：640 x 3 x480 .Pixel pitch：90 um x 120 um .Aperture ratio： 30% .Brightness：> 30... | 潛力預估: 軟體設備：LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備：雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓<25V | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
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