一種改善氮化鋁基板與銅鍍層之界面應力的結構
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技術名稱-中文一種改善氮化鋁基板與銅鍍層之界面應力的結構的執行單位是中科院化學研究所, 產出年度是105, 計畫名稱是ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫, 領域是綠能科技, 技術規格是視需求而定, 潛力預估是有效提升氮化鋁基板的可靠度.

序號	8376
產出年度	105
技術名稱-中文	一種改善氮化鋁基板與銅鍍層之界面應力的結構
執行單位	中科院化學研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	美國、日本
已獲得專利之國家	台灣
技術現況敘述-中文	不僅可得到相同厚度的銅鍍層，且堆疊銅鍍層後形成的階梯狀型態可降低邊緣之切線角度，可大幅降低氮化鋁基板與銅鍍層間的應力值，有效提升氮化鋁基板的可靠度。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	視需求而定
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	應用於高頻通訊元件、高功率模組等：另外將有助於開發綠能關鍵元件，如LED、高功率照明等，並提升元件的信賴度。
潛力預估	有效提升氮化鋁基板的可靠度
聯絡人員	郭養國
電話	03-4712201#358271
傳真	03-4116381
電子信箱	ykkuo2002@yahoo.com.tw
參考網址	http://www.ncsist.org.tw/csistdup/main/Default.aspx
所須軟硬體設備	氮化鋁製成設備、鍍銅設備
需具備之專業人才	化學、半導體相關人才
同步更新日期	2024-09-03

序號

8376

產出年度

105

技術名稱-中文

一種改善氮化鋁基板與銅鍍層之界面應力的結構

執行單位

中科院化學研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫

領域

綠能科技

已申請專利之國家

美國、日本

已獲得專利之國家

台灣

技術現況敘述-中文

不僅可得到相同厚度的銅鍍層，且堆疊銅鍍層後形成的階梯狀型態可降低邊緣之切線角度，可大幅降低氮化鋁基板與銅鍍層間的應力值，有效提升氮化鋁基板的可靠度。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

視需求而定

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

應用於高頻通訊元件、高功率模組等：另外將有助於開發綠能關鍵元件，如LED、高功率照明等，並提升元件的信賴度。

潛力預估

有效提升氮化鋁基板的可靠度

聯絡人員

郭養國

電話

03-4712201#358271

傳真

03-4116381

電子信箱

ykkuo2002@yahoo.com.tw

參考網址

http://www.ncsist.org.tw/csistdup/main/Default.aspx

所須軟硬體設備

氮化鋁製成設備、鍍銅設備

需具備之專業人才

化學、半導體相關人才

同步更新日期

2024-09-03

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一種在多晶氮化鋁基板上製作高深寬比圖案的方法	執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 \| 領域: 綠能科技 \| 技術規格: 微穿孔製程，可快速地、有效地製作一具有高深寬比圖案之氮化鋁基板。 \| 潛力預估: 透過開發氮化鋁中介層技術可解決現今薄型化3DIC先進導通孔電路製程與封裝技術中遇到之漏電、雜訊、高頻干擾、熱源集中等問題，並滿足未來市場於高頻通訊元件、高功率模組等薄型化、高效率、智慧多功能以及低成本... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
一種氣氛控制碳熱還原製備氮化鋁粉末的方法	執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 \| 領域: 綠能科技 \| 技術規格: 可製備出高純度氮化鋁粉體 \| 潛力預估: 可製備出高純度氮化鋁粉體 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
一種製備球形氮氧化鋁粉末之方法	執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 民生福祉領域工業基礎技術研究計畫 \| 領域: 民生福祉 \| 技術規格: 氮氧化鋁對於紫外可見光與中紅外線光範圍具有良好的光穿透性(波長0.2~5µm穿透率>80%) \| 潛力預估: 建立透明陶瓷材料技術並整合產業價值鏈，達到國內自主性生產開發與供應之目標，擺脫對國外大廠之進口依賴。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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軟性液晶顯示器連續式製程開發	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板寬度>30cm \| 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術
直接沈積多晶矽製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 \| 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞，又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引...
20" 奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20” 均勻度<±15% \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度<35°C。 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL...
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□ 2. 介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V/... \| 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。
OTFT device development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，如開發完成，未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。