PCSK9抑制劑降膽固醇藥物開發
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技術名稱-中文PCSK9抑制劑降膽固醇藥物開發的執行單位是生技中心, 產出年度是105, 計畫名稱是生技中心創新前瞻技術研究計畫, 領域是民生福祉, 技術規格是1.建立篩選測試技術平台(cell-based PCSK9 secretion inhibition assay,96-well plate format luorescent LDL uptake assay,in vitro PCSK9-LDLR binding assay)。 2.合成共..., 潛力預估是篩選測試技術平台應用,目前已累積開發藥物之能量,包含化學合成、篩選測試技術平台等,可用於評估化合物對PCSK9是否進行抑制而可作為以PCSK9為target 進行降血脂之藥物開發。.

序號8466
產出年度105
技術名稱-中文PCSK9抑制劑降膽固醇藥物開發
執行單位生技中心
產出單位(空)
計畫名稱生技中心創新前瞻技術研究計畫
領域民生福祉
已申請專利之國家美國(臨時案)
已獲得專利之國家
技術現況敘述-中文1.目前上市或已進入III期臨床試驗之PCSK9抑制劑皆為人源性單株抗體,目前尚無口服小分子PCSK9抑制劑藥物上市,針對PCSK9開發小分子口服藥物具差異化,並可增加病患用藥選擇。 2.Hit compound將配合已知的PCSK9蛋白質結構與分子模擬結果,利用computer modeling進行循理性藥物設計 (rational drug design),若能順利開發將可擴展治療高血脂症的應用性並創造龐大的產值。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.建立篩選測試技術平台(cell-based PCSK9 secretion inhibition assay,96-well plate format luorescent LDL uptake assay,in vitro PCSK9-LDLR binding assay)。 2.合成共115個多醯胺結構系列PCSK9抑制劑化合物並進行初步體外活性評估(cell-based PCSK9 secretion inhibition assay)。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍建立之相關化學合成與治療高血脂症活性測試平台技術,可應用至降膽固醇藥物治療,並可推廣至業界進行檢測服務。
潛力預估篩選測試技術平台應用,目前已累積開發藥物之能量,包含化學合成、篩選測試技術平台等,可用於評估化合物對PCSK9是否進行抑制而可作為以PCSK9為target 進行降血脂之藥物開發。
聯絡人員黃清瑋小姐
電話02-26956933#2333
傳真02-26957474
電子信箱vivil@dcb.org.tw
參考網址http://www.dcb.org.tw
所須軟硬體設備核磁共振儀、遠紅外線光譜儀、液相層析質譜儀、高解析液相層析儀等。
需具備之專業人才分子生物學、細胞生物學、化學合成、動物實驗背景。
同步更新日期2019-07-24

序號

8466

產出年度

105

技術名稱-中文

PCSK9抑制劑降膽固醇藥物開發

執行單位

生技中心

產出單位

(空)

計畫名稱

生技中心創新前瞻技術研究計畫

領域

民生福祉

已申請專利之國家

美國(臨時案)

已獲得專利之國家

技術現況敘述-中文

1.目前上市或已進入III期臨床試驗之PCSK9抑制劑皆為人源性單株抗體,目前尚無口服小分子PCSK9抑制劑藥物上市,針對PCSK9開發小分子口服藥物具差異化,並可增加病患用藥選擇。 2.Hit compound將配合已知的PCSK9蛋白質結構與分子模擬結果,利用computer modeling進行循理性藥物設計 (rational drug design),若能順利開發將可擴展治療高血脂症的應用性並創造龐大的產值。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.建立篩選測試技術平台(cell-based PCSK9 secretion inhibition assay,96-well plate format luorescent LDL uptake assay,in vitro PCSK9-LDLR binding assay)。 2.合成共115個多醯胺結構系列PCSK9抑制劑化合物並進行初步體外活性評估(cell-based PCSK9 secretion inhibition assay)。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

建立之相關化學合成與治療高血脂症活性測試平台技術,可應用至降膽固醇藥物治療,並可推廣至業界進行檢測服務。

潛力預估

篩選測試技術平台應用,目前已累積開發藥物之能量,包含化學合成、篩選測試技術平台等,可用於評估化合物對PCSK9是否進行抑制而可作為以PCSK9為target 進行降血脂之藥物開發。

聯絡人員

黃清瑋小姐

電話

02-26956933#2333

傳真

02-26957474

電子信箱

vivil@dcb.org.tw

參考網址

http://www.dcb.org.tw

所須軟硬體設備

核磁共振儀、遠紅外線光譜儀、液相層析質譜儀、高解析液相層析儀等。

需具備之專業人才

分子生物學、細胞生物學、化學合成、動物實驗背景。

同步更新日期

2019-07-24

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喹唑啉化合物的製備與應用

核准國家: 美國 | 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 癌症與治療牙周病之小分子與植物新藥開發計畫 | 專利發明人: 林南宏;郭曼娫;廖助彬;彭劭政;嚴士傑 | 證書號碼: US9,321,762B2

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抗癌標靶傳輸藥物

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 生技醫藥國家型科技計畫-(臨床前發展群組)先導藥物評估與候選藥物推動計畫 | 領域: | 技術規格: ˙抗肝癌標靶傳輸藥物主要應用二種具有專利權的新穎技術,分別為: (1)獨特的肝癌細胞專一性胜?及(2) Peptide-PEG-DSPE合成技術。此二技術及所製備產品優於目前現有的相關技術產品。產品為... | 潛力預估: 本計畫整合中研院及生技中心技術開發抗肝癌標靶傳輸藥物,目前計畫依預定規劃進行,以目前執行結果而言,預定開發的藥物SPD-LD,在合成及藥劑製備上評估為可行。在生物測驗上亦顯示優於市售藥物Lipodox...

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VEGFR-3抑制劑抗癌細胞轉移藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 生技醫藥國家型科技計畫-(臨床前發展群組)先導藥物評估與候選藥物推動 | 領域: | 技術規格: 本計畫所開發技術包括kinases inhibition profiling活性篩選平台;Caco-2穿透試驗技術平台;hERG通道結合分析技術平台;血漿蛋白質結合測試及肝微粒體代謝測試平台及VEGF... | 潛力預估: 本計畫進行抗癌及抗癌症轉移相關技術與藥物的開發,已建置完成多項抗癌藥物活性篩選平台,進行VEGFR-3抑制劑抗癌及抗癌症轉移藥物最適化研究,並與有意願廠商共同合作開發,以建置臨床前關鍵技術、選定候選藥...

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Raf 抑制劑抗癌藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與心血管病變之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: | 技術規格: 選藥物之生物活性(Raf激?抑制活性與細胞毒性) 皆優於標竿藥物Vemurafenib,本化合物能專一的抑制Raf激?活性,其對於B-Raf、B-Raf (V600E) 與C-Raf之IC50 分別為... | 潛力預估: 本候選藥物為專一性Raf激?抑制劑(selective Raf kinase inhibitor),其Raf激?抑制活性、專一的細胞毒性與抑制細胞內ERK signaling pathway活化的能力...

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Hedgehog 抑制劑抗癌藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與心血管病變之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: | 技術規格: 選定第一代準藥物HDG2-57,其主要藥物動力學參數分別如下:系統清除率 (Cl: 1092 ml/hr/kg);分佈體積 (VZ:7149 ml/kg),血中半衰期 (t1/2: 4.55 hr)。... | 潛力預估: 目前已有Vismodegib上市藥品,本技術改善藥物的抗藥性,開發同時抑制Hedgehog與PI3K的藥物,針對胰臟癌等實質固態瘤之特殊病患治療。

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石蓮花藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與心血管病變之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: | 技術規格: 侯選藥物DCB-BO002在細胞活性分析具有抑制肝臟星狀細胞活化、增生與纖維化等活性,其有效劑量為5~10 ug/mL (抑制率>30%以上),在藥理機制上,DCB-BO002具抑制Smad-depe... | 潛力預估: 現今惟一上市的Nexavar藥物,以目前而言,也僅能以延長患者約3個月壽命,本計畫以藥物開發時程為考量,鎖定以肝癌患者手術後肝纖維化和腫瘤復發為主要藥物療效之訴求,加以參考PI-88以適應症為Hepa...

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抗腫瘤轉移藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與心血管病變之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: | 技術規格: 昭和草中所含活性成分dLGG除有效降低 體內和體外過度生成的一氧化氮,並顯著抑制老鼠巨噬細胞經內毒素刺激下iNOS和COX-2之基因和蛋白質表現以及前列腺素 E2之生成。利用免疫組織學研究並發現 dL... | 潛力預估: 黑色素瘤是皮膚腫瘤的一種,廣效性化療藥治療效果有限,國內藥廠僅生產專利過期之學名藥,FDA核准的藥物中四種被FDA列為孤兒藥,本計畫開發為首次科學驗證昭和草之抗發炎活性,並首度發現其所含半乳糖脂質化合...

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抗腫瘤轉移藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與心血管病變之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 抗腫瘤轉移之植物藥物開發主要先從原料基源於GAP栽種著手,與台中農業改良場作物改良課共同進行昭和草GAP栽種研究,完成第一批GAP昭和草栽種樣品,並比較不同季節及乾燥條件原料樣品的差異性分析,並以顯微... | 潛力預估: 黑色素瘤是皮膚腫瘤的一種,廣效性化療藥治療效果有限,國內藥廠僅生產專利過期之學名藥,FDA核准的藥物中四種被FDA列為孤兒藥,本計畫開發為首次科學驗證昭和草之抗發炎活性,並首度發現其所含半乳糖脂質化合...

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喹唑啉化合物的製備與應用

核准國家: 美國 | 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 癌症與治療牙周病之小分子與植物新藥開發計畫 | 專利發明人: 林南宏;郭曼娫;廖助彬;彭劭政;嚴士傑 | 證書號碼: US9,321,762B2

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抗癌標靶傳輸藥物

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 生技醫藥國家型科技計畫-(臨床前發展群組)先導藥物評估與候選藥物推動計畫 | 領域: | 技術規格: ˙抗肝癌標靶傳輸藥物主要應用二種具有專利權的新穎技術,分別為: (1)獨特的肝癌細胞專一性胜?及(2) Peptide-PEG-DSPE合成技術。此二技術及所製備產品優於目前現有的相關技術產品。產品為... | 潛力預估: 本計畫整合中研院及生技中心技術開發抗肝癌標靶傳輸藥物,目前計畫依預定規劃進行,以目前執行結果而言,預定開發的藥物SPD-LD,在合成及藥劑製備上評估為可行。在生物測驗上亦顯示優於市售藥物Lipodox...

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VEGFR-3抑制劑抗癌細胞轉移藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 生技醫藥國家型科技計畫-(臨床前發展群組)先導藥物評估與候選藥物推動 | 領域: | 技術規格: 本計畫所開發技術包括kinases inhibition profiling活性篩選平台;Caco-2穿透試驗技術平台;hERG通道結合分析技術平台;血漿蛋白質結合測試及肝微粒體代謝測試平台及VEGF... | 潛力預估: 本計畫進行抗癌及抗癌症轉移相關技術與藥物的開發,已建置完成多項抗癌藥物活性篩選平台,進行VEGFR-3抑制劑抗癌及抗癌症轉移藥物最適化研究,並與有意願廠商共同合作開發,以建置臨床前關鍵技術、選定候選藥...

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Raf 抑制劑抗癌藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與心血管病變之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: | 技術規格: 選藥物之生物活性(Raf激?抑制活性與細胞毒性) 皆優於標竿藥物Vemurafenib,本化合物能專一的抑制Raf激?活性,其對於B-Raf、B-Raf (V600E) 與C-Raf之IC50 分別為... | 潛力預估: 本候選藥物為專一性Raf激?抑制劑(selective Raf kinase inhibitor),其Raf激?抑制活性、專一的細胞毒性與抑制細胞內ERK signaling pathway活化的能力...

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Hedgehog 抑制劑抗癌藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與心血管病變之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: | 技術規格: 選定第一代準藥物HDG2-57,其主要藥物動力學參數分別如下:系統清除率 (Cl: 1092 ml/hr/kg);分佈體積 (VZ:7149 ml/kg),血中半衰期 (t1/2: 4.55 hr)。... | 潛力預估: 目前已有Vismodegib上市藥品,本技術改善藥物的抗藥性,開發同時抑制Hedgehog與PI3K的藥物,針對胰臟癌等實質固態瘤之特殊病患治療。

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石蓮花藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與心血管病變之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: | 技術規格: 侯選藥物DCB-BO002在細胞活性分析具有抑制肝臟星狀細胞活化、增生與纖維化等活性,其有效劑量為5~10 ug/mL (抑制率>30%以上),在藥理機制上,DCB-BO002具抑制Smad-depe... | 潛力預估: 現今惟一上市的Nexavar藥物,以目前而言,也僅能以延長患者約3個月壽命,本計畫以藥物開發時程為考量,鎖定以肝癌患者手術後肝纖維化和腫瘤復發為主要藥物療效之訴求,加以參考PI-88以適應症為Hepa...

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抗腫瘤轉移藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與心血管病變之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: | 技術規格: 昭和草中所含活性成分dLGG除有效降低 體內和體外過度生成的一氧化氮,並顯著抑制老鼠巨噬細胞經內毒素刺激下iNOS和COX-2之基因和蛋白質表現以及前列腺素 E2之生成。利用免疫組織學研究並發現 dL... | 潛力預估: 黑色素瘤是皮膚腫瘤的一種,廣效性化療藥治療效果有限,國內藥廠僅生產專利過期之學名藥,FDA核准的藥物中四種被FDA列為孤兒藥,本計畫開發為首次科學驗證昭和草之抗發炎活性,並首度發現其所含半乳糖脂質化合...

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抗腫瘤轉移藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 癌症與心血管病變之小分子與植物新藥開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 抗腫瘤轉移之植物藥物開發主要先從原料基源於GAP栽種著手,與台中農業改良場作物改良課共同進行昭和草GAP栽種研究,完成第一批GAP昭和草栽種樣品,並比較不同季節及乾燥條件原料樣品的差異性分析,並以顯微... | 潛力預估: 黑色素瘤是皮膚腫瘤的一種,廣效性化療藥治療效果有限,國內藥廠僅生產專利過期之學名藥,FDA核准的藥物中四種被FDA列為孤兒藥,本計畫開發為首次科學驗證昭和草之抗發炎活性,並首度發現其所含半乳糖脂質化合...

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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

半穿透/反射式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

半穿透/反射式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

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