液晶介相粉末之製作方法
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專利名稱-中文液晶介相粉末之製作方法的核准國家是中華民國, 執行單位是中科院材料所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是關鍵元件材料開發及應用四年計畫, 專利發明人是周兆玲,翁炳志,龐規浩,王坤龍,汪鐵志,陳文德, 證書號碼是191440.

序號307
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文液晶介相粉末之製作方法
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱關鍵元件材料開發及應用四年計畫
專利發明人周兆玲,翁炳志,龐規浩,王坤龍,汪鐵志,陳文德
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼191440
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明是以煤焦瀝青為原料,經熱處理、化學萃取、清洗、過濾、乾燥、預氧化及低溫熱處理等製程,製作出高性能液晶介相粉末。本發明之特點為(1)使用洗油當作萃取溶劑,能夠降低粉末預氧化及低溫熱處理溫度,節省能源使用。(2)使用甲苯取代丙酮當作清洗溶劑,提昇工業生產安全性。(3)採用回收溶液進行化學萃取及清洗,可減少近一半溶劑使用量,降低生產成本。其目的是為了生產液晶介相粉末時能降低成本、提高品質及增進量產製程安全性,以製作出具有競爭性產品。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員翁炳志
電話02-26745236
傳真(空)
電子信箱(空)
參考網址(空)
備註原領域別為材料化工,95年改為生醫材化
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

307

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

液晶介相粉末之製作方法

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

關鍵元件材料開發及應用四年計畫

專利發明人

周兆玲,翁炳志,龐規浩,王坤龍,汪鐵志,陳文德

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

191440

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明是以煤焦瀝青為原料,經熱處理、化學萃取、清洗、過濾、乾燥、預氧化及低溫熱處理等製程,製作出高性能液晶介相粉末。本發明之特點為(1)使用洗油當作萃取溶劑,能夠降低粉末預氧化及低溫熱處理溫度,節省能源使用。(2)使用甲苯取代丙酮當作清洗溶劑,提昇工業生產安全性。(3)採用回收溶液進行化學萃取及清洗,可減少近一半溶劑使用量,降低生產成本。其目的是為了生產液晶介相粉末時能降低成本、提高品質及增進量產製程安全性,以製作出具有競爭性產品。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

翁炳志

電話

02-26745236

傳真

(空)

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備註

原領域別為材料化工,95年改為生醫材化

特殊情形

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同步更新日期

2023-07-05

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新竹縣竹北市中正西路102號

公車站唯一識別碼: THB191440 | 站名識別碼: 302-039 | 站識別碼: 27166 | 更新時間: 2024-02-05T07:21:03+08:00

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# 02-26745236 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號431
產出年度93
技術名稱-中文氫電關鍵元件材料技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱關鍵元件材料開發及應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文燃料電池為新興能源中最被看好的一項,而氫電關鍵元件技術就是在開發低成本、適合量產的質子交換膜燃料電池材料,包括碳石墨雙極板、氣體擴散層及觸媒。目前技術掌握於日本及歐美手上,國內所需膜電極組及雙極板全仰賴進口,若國內能自行開發,將有助於燃料電池的成本降低及推廣。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含量20wt%、30wt%。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍靜置型電廠、運輸交通工具、可攜式產品
潛力預估未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池
聯絡人員翁炳志
電話02-26745236
傳真02-26721134
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備硬體設備:燃料電池測試設備、熱壓機、分散攪拌設備、高溫爐、塗佈設備
需具備之專業人才材料、機械、化工、電機
序號: 431
產出年度: 93
技術名稱-中文: 氫電關鍵元件材料技術
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 燃料電池為新興能源中最被看好的一項,而氫電關鍵元件技術就是在開發低成本、適合量產的質子交換膜燃料電池材料,包括碳石墨雙極板、氣體擴散層及觸媒。目前技術掌握於日本及歐美手上,國內所需膜電極組及雙極板全仰賴進口,若國內能自行開發,將有助於燃料電池的成本降低及推廣。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含量20wt%、30wt%。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 靜置型電廠、運輸交通工具、可攜式產品
潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池
聯絡人員: 翁炳志
電話: 02-26745236
傳真: 02-26721134
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 硬體設備:燃料電池測試設備、熱壓機、分散攪拌設備、高溫爐、塗佈設備
需具備之專業人才: 材料、機械、化工、電機

# 02-26745236 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號809
產出年度94
技術名稱-中文氫電關鍵元件材料技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱關鍵元件材料開發及應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文開發質子交換膜燃料電池用白金平均粒徑3.0nm以下白之金觸媒、功率大於0.6W/cm2膜電極組、理論密度大於2wt%儲氫合金及至少耐5000psi之FRP高壓儲氫桶。除材料開發外,同時以自製的零組件組裝燃料電池組,驗證其功能。本計畫現有五台燃料電池測試系統,以功率區分,分別為300W、500W、1KW、5KW及10KW。以電池種類區分,可以測試質子交換膜燃料電池及直接甲醇式燃料電池。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格白金觸媒:觸媒含量20wt%Pt/C、20%Pt-10%Ru/C ,氯離子含量小於200ppm。膜電極組:白金含量小於0.5mg/cm2,功率大於0.6W/cm2。高壓儲氫桶:以HDPE為內襯,直徑250mm,容積35公升。
技術成熟度雛形
可應用範圍靜置型電廠、運輸交通工具、可攜式產品
潛力預估當石油逐漸耗竭時,以氫為能源的燃料電池,為最被看好的潔淨能源,未來大有機會取代現有發電機、電廠及電池。
聯絡人員翁炳志
電話02-26745236
傳真02-26721134
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備燃料電池測試系統、熱壓機、分散攪拌設備、高溫爐、塗佈設備
需具備之專業人才材料、機械、化工、電機
序號: 809
產出年度: 94
技術名稱-中文: 氫電關鍵元件材料技術
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 開發質子交換膜燃料電池用白金平均粒徑3.0nm以下白之金觸媒、功率大於0.6W/cm2膜電極組、理論密度大於2wt%儲氫合金及至少耐5000psi之FRP高壓儲氫桶。除材料開發外,同時以自製的零組件組裝燃料電池組,驗證其功能。本計畫現有五台燃料電池測試系統,以功率區分,分別為300W、500W、1KW、5KW及10KW。以電池種類區分,可以測試質子交換膜燃料電池及直接甲醇式燃料電池。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 白金觸媒:觸媒含量20wt%Pt/C、20%Pt-10%Ru/C ,氯離子含量小於200ppm。膜電極組:白金含量小於0.5mg/cm2,功率大於0.6W/cm2。高壓儲氫桶:以HDPE為內襯,直徑250mm,容積35公升。
技術成熟度: 雛形
可應用範圍: 靜置型電廠、運輸交通工具、可攜式產品
潛力預估: 當石油逐漸耗竭時,以氫為能源的燃料電池,為最被看好的潔淨能源,未來大有機會取代現有發電機、電廠及電池。
聯絡人員: 翁炳志
電話: 02-26745236
傳真: 02-26721134
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 燃料電池測試系統、熱壓機、分散攪拌設備、高溫爐、塗佈設備
需具備之專業人才: 材料、機械、化工、電機

# 02-26745236 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號308
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文高性能白金觸媒之製作方法
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱關鍵元件材料開發及應用四年計畫
專利發明人陳永松,翁炳志,莊明志,溫啟明,陳文德
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼193328
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明其特點為白金觸媒支撐碳原料先經過感應式快速升溫石墨化處理後為載體,再將白金觸媒吸附在經處理過之碳黑上,獲得分散均勻,顆料較細及導電度高之白金觸媒,可得到高性能2-5nm白金顆粒以作為質子交換膜燃料電池之觸媒。 本發明經測試証明,與商用觸媒比較,其性能較佳,在18.2wt% Pt/C,製作成膜電極組測試。在0.6V之負載下所測得之功率為1.18W/mgPt,而商用觸媒18.2wt%PT/C在相同測試條件下,可得到0.89W/mgPt。依照本發明的方法,可製作出較高性能之白金觸媒,更利於膜電極組及質子交換膜燃料電池組設計製作與市場應用。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員翁炳志
電話02-26745236
傳真(空)
電子信箱(空)
參考網址(空)
備註原領域別為材料化工,95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 308
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 高性能白金觸媒之製作方法
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫
專利發明人: 陳永松,翁炳志,莊明志,溫啟明,陳文德
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 193328
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明其特點為白金觸媒支撐碳原料先經過感應式快速升溫石墨化處理後為載體,再將白金觸媒吸附在經處理過之碳黑上,獲得分散均勻,顆料較細及導電度高之白金觸媒,可得到高性能2-5nm白金顆粒以作為質子交換膜燃料電池之觸媒。 本發明經測試証明,與商用觸媒比較,其性能較佳,在18.2wt% Pt/C,製作成膜電極組測試。在0.6V之負載下所測得之功率為1.18W/mgPt,而商用觸媒18.2wt%PT/C在相同測試條件下,可得到0.89W/mgPt。依照本發明的方法,可製作出較高性能之白金觸媒,更利於膜電極組及質子交換膜燃料電池組設計製作與市場應用。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 翁炳志
電話: 02-26745236
傳真: (空)
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
備註: 原領域別為材料化工,95年改為生醫材化
特殊情形: (空)

# 02-26745236 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號314
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文耐高溫微波複合材料之強化方法
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱關鍵元件材料開發及應用四年計畫
專利發明人翁炳志,吳宗明,趙樹漢,黃金堂
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼206626
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明為耐高溫微波複合材料之製作方法,其製程為將陶瓷纖維布披覆一層薄酚醛樹脂,然後與磷酸鋁混合氧化鋁膠液製成預浸布,依需要厚度將多層重疊熱壓成型,再經惰性氣氛下約600℃高溫燒結,最後再施以空氣中約700℃熱處理去除酚醛樹脂碳化物而得耐高溫微波複合材料。測得介電常數為4~4.7,介電損耗為3.5~6x10-3,高溫抗折強度300℃為8989psi,600℃為9614psi,900℃為9173psi,1100℃為8931psi,強度幾乎不隨溫度改變,顯示複合材料在將近700℃高溫熱處理,其纖維並未受損,耐溫性可達1100℃以上。為提高耐高溫微波複合材料之強度,試片可經先滲膠及硬化後,再經惰性氣氛下約600℃高溫燒結。或者試片先經惰性氣氛下約600℃高溫燒結,再滲膠及硬化,最後再施以惰性氣氛下約600℃高溫燒結而得高溫微波複合材料。測得介電常數為4.2~4.8,介電損耗約為5.5x10-3,室溫抗折強度最高可達19,000psi以上。本研究特點為可以簡單的製程製作出強度性能優越之高溫微波複合材料。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員翁炳志
電話02-26745236
傳真(空)
電子信箱(空)
參考網址(空)
備註原領域別為材料化工,95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 314
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 耐高溫微波複合材料之強化方法
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫
專利發明人: 翁炳志,吳宗明,趙樹漢,黃金堂
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 206626
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明為耐高溫微波複合材料之製作方法,其製程為將陶瓷纖維布披覆一層薄酚醛樹脂,然後與磷酸鋁混合氧化鋁膠液製成預浸布,依需要厚度將多層重疊熱壓成型,再經惰性氣氛下約600℃高溫燒結,最後再施以空氣中約700℃熱處理去除酚醛樹脂碳化物而得耐高溫微波複合材料。測得介電常數為4~4.7,介電損耗為3.5~6x10-3,高溫抗折強度300℃為8989psi,600℃為9614psi,900℃為9173psi,1100℃為8931psi,強度幾乎不隨溫度改變,顯示複合材料在將近700℃高溫熱處理,其纖維並未受損,耐溫性可達1100℃以上。為提高耐高溫微波複合材料之強度,試片可經先滲膠及硬化後,再經惰性氣氛下約600℃高溫燒結。或者試片先經惰性氣氛下約600℃高溫燒結,再滲膠及硬化,最後再施以惰性氣氛下約600℃高溫燒結而得高溫微波複合材料。測得介電常數為4.2~4.8,介電損耗約為5.5x10-3,室溫抗折強度最高可達19,000psi以上。本研究特點為可以簡單的製程製作出強度性能優越之高溫微波複合材料。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 翁炳志
電話: 02-26745236
傳真: (空)
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
備註: 原領域別為材料化工,95年改為生醫材化
特殊情形: (空)
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與液晶介相粉末之製作方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 | 證書號碼: 6806929

光電模組模封裝

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳文彥, 范榮昌, 劉君愷 | 證書號碼: 220733

光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 姜信騰, 劉君愷, 周意工 | 證書號碼: 6808323

一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維, 盧威華, 呂芳俊 | 證書號碼: 190623

一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 盧思維, 樓百堯 | 證書號碼: 184711

具有主動控制之可調式場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王右武, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 202493

氣動式微流體驅動裝置及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾永強, 吳得群, 郭遠峰, 黃士豪 | 證書號碼: 6682311

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 | 證書號碼: 184703

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 | 證書號碼: 6617264

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 | 證書號碼: 191653

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 | 證書號碼: 6663278

接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 楊學安, 李正中, 蕭名君, 黃榮堂 | 證書號碼: 200260

形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 | 證書號碼: 6692983

可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥, 王文通, 戴遠東, 林炯暐, 陳麒麟, 廖宗能, 李啟聖 | 證書號碼: 184717

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 | 證書號碼: 220265

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 | 證書號碼: 6806929

光電模組模封裝

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳文彥, 范榮昌, 劉君愷 | 證書號碼: 220733

光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 姜信騰, 劉君愷, 周意工 | 證書號碼: 6808323

一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維, 盧威華, 呂芳俊 | 證書號碼: 190623

一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 盧思維, 樓百堯 | 證書號碼: 184711

具有主動控制之可調式場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王右武, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 202493

氣動式微流體驅動裝置及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾永強, 吳得群, 郭遠峰, 黃士豪 | 證書號碼: 6682311

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 | 證書號碼: 184703

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 | 證書號碼: 6617264

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 | 證書號碼: 191653

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 | 證書號碼: 6663278

接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 楊學安, 李正中, 蕭名君, 黃榮堂 | 證書號碼: 200260

形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 | 證書號碼: 6692983

可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥, 王文通, 戴遠東, 林炯暐, 陳麒麟, 廖宗能, 李啟聖 | 證書號碼: 184717

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 | 證書號碼: 220265

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