含細微化組織之合金靶材製造方法
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專利名稱-中文含細微化組織之合金靶材製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是TW 197245, 專利性質是發明, 執行單位是工研院材料所, 產出年度是93, 計畫名稱是高性能金屬材料技術四年計畫, 專利發明人是劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳.

序號	538
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	含細微化組織之合金靶材製造方法
執行單位	工研院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	高性能金屬材料技術四年計畫
專利發明人	劉武漢 \| 陳俊沐 \| 蘇健忠 \| 范元昌 \| 黃振東 \| 呂明生 \| 吳清勳
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	TW 197245
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	含細微化組織之合金靶材製造方法，用於製造光碟靶材。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	呂明生
電話	(03) 5915214
傳真	(03)5820207
電子信箱	menson@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號

538

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

含細微化組織之合金靶材製造方法

執行單位

工研院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

高性能金屬材料技術四年計畫

專利發明人

劉武漢 | 陳俊沐 | 蘇健忠 | 范元昌 | 黃振東 | 呂明生 | 吳清勳

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

TW 197245

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

含細微化組織之合金靶材製造方法，用於製造光碟靶材。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

呂明生

電話

(03) 5915214

傳真

(03)5820207

電子信箱

menson@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

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熱電表面反擴散接合技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 熱電發電模組及節能應用技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 導電金屬層及擴散阻隔層總厚度已可達150μm以上，塗層孔隙率可小於15%，擴散阻隔距離已可達0.6mm以內 \| 潛力預估: 預期本技術將可以提供熱電晶片模組較低的製造成本，對於日後的產品應用幫助甚大。 @ 技術司可移轉技術資料集
熱電薄膜材料	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 熱電薄膜厚度?5 μm，電阻率≦5 mΩ-cm，Seebeck係數?150 μV/K \| 潛力預估: 目前在國內外市場屬於萌芽階段。 @ 技術司可移轉技術資料集
高密度電漿鍍膜技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 多層奈米複合薄膜之薄膜表面硬度值＞ 40 GPa，薄膜表面平均粗糙度Ra＜0.05μm。 \| 潛力預估: 改良磁濾式電弧離子被覆法蒸鍍多層氮化物薄膜製程技術可應用於PCB高速精密加工之微細鑽頭表面，此外並應用此技術製作高品質鑄幣印花模具表面之多層氮化物薄膜，磨耗壽命與傳統之電鍍硬鉻法處理相當。此物理氣相蒸... @ 技術司可移轉技術資料集
高密度電漿離子鍍膜製程技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍍膜面積>30×30 c m2；單位面積電阻率3H。膜厚誤差< 10 %；透明度>80 %；反射率 \| 潛力預估: 支援應用於3C產業，降低材料成本與提昇材料品質。可結合設備之研發與相關製程配合以達成完整 3C或是TFT-LCD 產業發展体系。 @ 技術司可移轉技術資料集
高導熱DLC薄膜技術-DLC耐蝕電極材料技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 比電阻≦10-3Ω.cm \| 潛力預估: 試量產 @ 技術司可移轉技術資料集
大氣電漿熔射塗層技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 膜層厚度50~300um；絕緣耐電壓> 1000 V；降低材料熱阻抗 >10% \| 潛力預估: 目前國內尚無相關技術；本計畫建立高品質而成本價格適中之導熱絕緣材料技術，提供國內廠商製作生產高性能產品之關鍵材料及技術。 @ 技術司可移轉技術資料集
TCO電漿成膜技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ITO or AZO薄膜；製程溫度＜120℃；電阻係數＜0.001 Ohm-cm；光穿透率＞85% \| 潛力預估: 本計畫於國內建立高品質而價格適中之TCO薄膜材料及設備製程技術，提供國內廠商穩定且可靠之關鍵材料及設備。 @ 技術司可移轉技術資料集
高導熱薄膜熱傳測試及應用技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立薄膜材料熱性質量測技術與性能設計驗證能力 - 可測薄膜材料厚度50 nm~1mm - 可測熱傳導係數k範圍＞ 500W/m‧K \| 潛力預估: 協助國內建立高導熱薄膜材料量測與應用技術。本材料熱傳評估技術建立完成後，可掌握高導熱薄膜基本材料特性以及加速對於材料設計效果之驗證時程。 @ 技術司可移轉技術資料集

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基於事件階層表示法之多模式對話系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明205462 \| 專利期間起: 38139 \| 專利期間訖: 44927 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 \| 專利發明人: 許天明、林伯慎
無線裝置應用程式之主動式無線下載方法及系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明198829 \| 專利期間起: 38047 \| 專利期間訖: 44927 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 \| 專利發明人: 張勝傑、陳彥呈、吳捷
以無線方式收取通行費方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明205818 \| 專利期間起: 38149 \| 專利期間訖: 44836 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 \| 專利發明人: 施文展
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中文文章評量方法及系統及其電腦讀取媒介	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 199185 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 \| 專利發明人: 陳文鋕
根據常識樹狀標示法計算概念相似度之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 204708 \| 專利期間起: 38139 \| 專利期間訖: 44918 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 \| 專利發明人: 謝文泰,周世俊
超文件標示語言格式表格之轉換裝置及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198948 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 \| 專利發明人: 張履平,蔣岳霖,陳文鋕
以本體論為基礎之知識圖形系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198664 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 \| 專利發明人: 施信德

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