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熱電表面反擴散接合技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 熱電發電模組及節能應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 導電金屬層及擴散阻隔層總厚度已可達150μm以上，塗層孔隙率可小於15%，擴散阻隔距離已可達0.6mm以內 | 潛力預估: 預期本技術將可以提供熱電晶片模組較低的製造成本，對於日後的產品應用幫助甚大。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
熱電薄膜材料 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 熱電薄膜厚度?5 μm，電阻率≦5 mΩ-cm，Seebeck係數?150 μV/K | 潛力預估: 目前在國內外市場屬於萌芽階段。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高密度電漿鍍膜技術 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 多層奈米複合薄膜之薄膜表面硬度值＞ 40 GPa，薄膜表面平均粗糙度Ra＜0.05μm。 | 潛力預估: 改良磁濾式電弧離子被覆法蒸鍍多層氮化物薄膜製程技術可應用於PCB高速精密加工之微細鑽頭表面，此外並應用此技術製作高品質鑄幣印花模具表面之多層氮化物薄膜，磨耗壽命與傳統之電鍍硬鉻法處理相當。此物理氣相蒸... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高密度電漿離子鍍膜製程技術 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜面積>30×30 c m2；單位面積電阻率3H。膜厚誤差< 10 %；透明度>80 %；反射率 | 潛力預估: 支援應用於3C產業，降低材料成本與提昇材料品質。可結合設備之研發與相關製程配合以達成完整 3C或是TFT-LCD 產業發展体系。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高導熱DLC薄膜技術-DLC耐蝕電極材料技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 比電阻≦10-3Ω.cm ; 抗高溫氧化性(~300℃) 抗腐蝕性 (pH~1) ; 鋁箔基材良好接著性 | 潛力預估: 未來可擴充應用作為各類陰極電極材料 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
大氣電漿熔射塗層技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 膜層厚度50~300um；絕緣耐電壓> 1000 V；降低材料熱阻抗 >10% | 潛力預估: 目前國內尚無相關技術；本計畫建立高品質而成本價格適中之導熱絕緣材料技術，提供國內廠商製作生產高性能產品之關鍵材料及技術。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
TCO電漿成膜技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ITO or AZO薄膜；製程溫度＜120℃；電阻係數＜0.001 Ohm-cm；光穿透率＞85% | 潛力預估: 本計畫於國內建立高品質而價格適中之TCO薄膜材料及設備製程技術，提供國內廠商穩定且可靠之關鍵材料及設備。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高導熱薄膜熱傳測試及應用技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 建立薄膜材料熱性質量測技術與性能設計驗證能力 - 可測薄膜材料厚度50 nm~1mm - 可測熱傳導係數k範圍 ＞ 500W/m‧K | 潛力預估: 協助國內建立高導熱薄膜材料量測與應用技術。本材料熱傳評估技術建立完成後，可掌握高導熱薄膜基本材料特性以及加速對於材料設計效果之驗證時程。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
AZO/PET 軟板技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 完成在100℃製程溫度下，應用Al/Zn金屬靶材製作出AZO薄膜片電阻≧600Ω/□ 光穿透率≧85%；鍍膜面積≧5”×5”之AZO薄膜於PET軟性積材上。 | 潛力預估: 本計畫研發內容包括AZO鍍膜之製程及成膜之配方組成，透過材料與製程最佳化設計應用電弧離子鍍膜技術，並且提供廠商建立自主性鍍膜製程及設備技術；可以配合未來軟性電子工業發展PET軟性基材結合透明導電薄膜製... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
熱電介面接合技術開發 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 熱電發電模組及節能應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 熱電界面接合技術規格包括：(1)擴散阻隔層塗層厚度? 50 μm；片電阻≦10-2Ω/□；阻擴散距離≦0.5mm(~300℃)。(2)導電電極層塗層孔隙率≦ 10 %；片電阻≦ 10-3Ω/□。 | 潛力預估: 熔射技術藉由熱噴塗方式，將材料在高溫中熔融，噴覆至熱電基材上形成結構層，其材料形式可以是粉末、棒材或線材等。本技術可以提供及時大量生產物件，並且生產速度快，成本低為其優勢。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
AZO透明導電薄膜 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍製面積 (15×15㎝2) AZO透明電極於PET材料表面；光穿透度＞ 85%、片電阻＜100Ω/□ | 潛力預估: 不僅可大幅降低靶材的成本與降低靶材加工之難度，更可導入取代In材料之新製程技術與材料之開發 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
熱電薄膜元件技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 本年度完成熱電元件薄膜特性Seebeck> 150 μV/K, Resistivity≦5 mΩcm、PF > 7.1 W/K2cm已具國際水準。此外；建立熱電薄膜元件理論模擬分析技術，首先透過理論... | 潛力預估: 隨著電子產品持續往輕薄短小的趨勢發展，晶片散熱問題成為微電子產品性能與壽命的關鍵決定因素。傳統的熱電元件體積較大，且其冷卻功率密度僅約~10 W/cm2，尚未能達到高功率IC晶片以及微小元件的需求。高... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
熱電薄膜元件製程技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 可攜式電能與熱電發電材料應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: (1)微型熱電薄膜元件之模擬設計技術；透過理論計算以及考量製程的解析度與薄膜沈積速率，預估熱電單位的最佳幾何因子與厚度。(2)薄膜材料製程技術開發；薄膜厚度＞5 μm、seekback係數(絕對值)≧... | 潛力預估: 隨著電子產品持續往輕薄短小的趨勢發展，晶片散熱問題成為微電子產品性能與壽命的關鍵決定因素。傳統的熱電元件體積較大，且其冷卻功率密度僅約~10W/cm2，尚未能達到高功率IC晶片以及微小元件的需求。高效... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高速連續式刷鍍技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 反射率>90%(可見光範圍) | 潛力預估: 可以搭配產業之需求，無論是厚板與薄材皆可以應用，主要可以用於非平面之表面而且大面積之鍍層更是優於其他之電鍍製程。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
AZO軟板 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 目前製作最佳AZO薄膜片電阻小於15 Ω/sq；薄膜電阻率約為5.6×10-4 Ω-cm。另一方面，AZO薄膜於PET軟性基材上之光穿透率，其光穿透率約為85%，而Haze值可大於20%以上。另開發A... | 潛力預估: 本製程設備與產業界所使用之濺鍍設備相容性較高。因此，未來在作產業推廣時，業界所需增加的設備支出較少。有助於提高業界投入此技術之意願。而且應用此技術其薄膜不僅在製程溫度和表面機械特性，均較傳統濺鍍技術為... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
急速冷凝熱電材料技術開發 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 綠色電能材料與系統應用開發計畫 | 領域: | 技術規格: 本計畫已完成melt spinning急速凝固設備建立以及奈米結構p-type Bi-Te熱電材料薄片式粉末之製程建立。而應用急速冷凝旋鑄製程製作之熱電奈米晶材料，預先在原料配製時先酌於調高Te元素比... | 潛力預估: 可以看到未來車用、航太等移動電力源源不絕之需求，不論軍方或民間均不敢輕忽該熱電科技所創造之未來發展趨勢，展望未來能源不斷高漲之時代來臨，熱電及太陽能兩大科技仍是開發能源之主流，因為不受礦油國家之優勢主... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
快速凝固製造奈米粉體材料技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 綠色電能材料與系統應用開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 薄片厚度≦15?m。薄片靠銅輪冷卻面之晶粒寬度方向Grain size≦50~90 nm。氧含量≦1200 ppm。薄片粉末與其原料之XRD主繞射相相同。薄片粉末與其原料之載子種類的型態相同。 | 潛力預估: 透過改良型RSP製備熱電多晶型態粉體系統，以提供長時運作穩定之高度奈米化N/P型Bi-Te三元以上薄片粉體，對國內製造綠色用電環境下之業者，提供龐大燒結粉體原料製備市場技術資源，降低轉型非石化發電致冷... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
含細微化組織之合金靶材製造方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳 | 證書號碼: TW 197245 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
AZO 透明導電薄膜材料技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 開發可應用於PET材料表面鍍製透明電極材料之低溫製程及設備技術，利用高密度電弧電漿離子成膜技術得到高結晶性與低電阻率之AZO薄膜。鍍製AZO薄膜特性；目前基材鍍膜製程溫度≦100℃，片電阻值可調控10... | 潛力預估: 本計畫研發內容包括AZO鍍膜之製程及成膜之配方組成，透過材料與製程最佳化設計應用電弧離子鍍膜技術，將使得透明導電膜產業有新的製程與材料可以選擇。並且提供廠商建立自主性鍍膜製程及設備技術；可以配合未來軟... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
氣相反應腔體熱場及流場模擬及量測技術 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 1.建立三維熱流模擬技術平台、提供 SiC氣相沉積反應之相關製程參數最佳化之技術平台 2.完成熱壁式化學氣相沉積直徑≧10公分之 SiC模擬模組 3組，並針對 20組位置進行熱場及流場模擬誤差值< 1... | 潛力預估: 建立三維熱流模擬技術平台、提供 SiC氣相沉積之反應器內熱流模擬分析與溫度分佈之製程設計參考資料 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
熱電表面反擴散接合技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 熱電發電模組及節能應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 導電金屬層及擴散阻隔層總厚度已可達150μm以上，塗層孔隙率可小於15%，擴散阻隔距離已可達0.6mm以內 | 潛力預估: 預期本技術將可以提供熱電晶片模組較低的製造成本，對於日後的產品應用幫助甚大。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
熱電薄膜材料執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 熱電薄膜厚度?5 μm，電阻率≦5 mΩ-cm，Seebeck係數?150 μV/K | 潛力預估: 目前在國內外市場屬於萌芽階段。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高密度電漿鍍膜技術執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 多層奈米複合薄膜之薄膜表面硬度值＞ 40 GPa，薄膜表面平均粗糙度Ra＜0.05μm。 | 潛力預估: 改良磁濾式電弧離子被覆法蒸鍍多層氮化物薄膜製程技術可應用於PCB高速精密加工之微細鑽頭表面，此外並應用此技術製作高品質鑄幣印花模具表面之多層氮化物薄膜，磨耗壽命與傳統之電鍍硬鉻法處理相當。此物理氣相蒸... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高密度電漿離子鍍膜製程技術執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜面積>30×30 c m2；單位面積電阻率3H。膜厚誤差< 10 %；透明度>80 %；反射率 | 潛力預估: 支援應用於3C產業，降低材料成本與提昇材料品質。可結合設備之研發與相關製程配合以達成完整 3C或是TFT-LCD 產業發展体系。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高導熱DLC薄膜技術-DLC耐蝕電極材料技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 比電阻≦10-3Ω.cm ; 抗高溫氧化性(~300℃) 抗腐蝕性 (pH~1) ; 鋁箔基材良好接著性 | 潛力預估: 未來可擴充應用作為各類陰極電極材料 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
大氣電漿熔射塗層技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 膜層厚度50~300um；絕緣耐電壓> 1000 V；降低材料熱阻抗 >10% | 潛力預估: 目前國內尚無相關技術；本計畫建立高品質而成本價格適中之導熱絕緣材料技術，提供國內廠商製作生產高性能產品之關鍵材料及技術。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
TCO電漿成膜技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ITO or AZO薄膜；製程溫度＜120℃；電阻係數＜0.001 Ohm-cm；光穿透率＞85% | 潛力預估: 本計畫於國內建立高品質而價格適中之TCO薄膜材料及設備製程技術，提供國內廠商穩定且可靠之關鍵材料及設備。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高導熱薄膜熱傳測試及應用技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 建立薄膜材料熱性質量測技術與性能設計驗證能力 - 可測薄膜材料厚度50 nm~1mm - 可測熱傳導係數k範圍 ＞ 500W/m‧K | 潛力預估: 協助國內建立高導熱薄膜材料量測與應用技術。本材料熱傳評估技術建立完成後，可掌握高導熱薄膜基本材料特性以及加速對於材料設計效果之驗證時程。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
AZO/PET 軟板技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 完成在100℃製程溫度下，應用Al/Zn金屬靶材製作出AZO薄膜片電阻≧600Ω/□ 光穿透率≧85%；鍍膜面積≧5”×5”之AZO薄膜於PET軟性積材上。 | 潛力預估: 本計畫研發內容包括AZO鍍膜之製程及成膜之配方組成，透過材料與製程最佳化設計應用電弧離子鍍膜技術，並且提供廠商建立自主性鍍膜製程及設備技術；可以配合未來軟性電子工業發展PET軟性基材結合透明導電薄膜製... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
熱電介面接合技術開發執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 熱電發電模組及節能應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 熱電界面接合技術規格包括：(1)擴散阻隔層塗層厚度? 50 μm；片電阻≦10-2Ω/□；阻擴散距離≦0.5mm(~300℃)。(2)導電電極層塗層孔隙率≦ 10 %；片電阻≦ 10-3Ω/□。 | 潛力預估: 熔射技術藉由熱噴塗方式，將材料在高溫中熔融，噴覆至熱電基材上形成結構層，其材料形式可以是粉末、棒材或線材等。本技術可以提供及時大量生產物件，並且生產速度快，成本低為其優勢。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
AZO透明導電薄膜執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍製面積 (15×15㎝2) AZO透明電極於PET材料表面；光穿透度＞ 85%、片電阻＜100Ω/□ | 潛力預估: 不僅可大幅降低靶材的成本與降低靶材加工之難度，更可導入取代In材料之新製程技術與材料之開發 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
熱電薄膜元件技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 本年度完成熱電元件薄膜特性Seebeck> 150 μV/K, Resistivity≦5 mΩcm、PF > 7.1 W/K2cm已具國際水準。此外；建立熱電薄膜元件理論模擬分析技術，首先透過理論... | 潛力預估: 隨著電子產品持續往輕薄短小的趨勢發展，晶片散熱問題成為微電子產品性能與壽命的關鍵決定因素。傳統的熱電元件體積較大，且其冷卻功率密度僅約~10 W/cm2，尚未能達到高功率IC晶片以及微小元件的需求。高... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
熱電薄膜元件製程技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 可攜式電能與熱電發電材料應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: (1)微型熱電薄膜元件之模擬設計技術；透過理論計算以及考量製程的解析度與薄膜沈積速率，預估熱電單位的最佳幾何因子與厚度。(2)薄膜材料製程技術開發；薄膜厚度＞5 μm、seekback係數(絕對值)≧... | 潛力預估: 隨著電子產品持續往輕薄短小的趨勢發展，晶片散熱問題成為微電子產品性能與壽命的關鍵決定因素。傳統的熱電元件體積較大，且其冷卻功率密度僅約~10W/cm2，尚未能達到高功率IC晶片以及微小元件的需求。高效... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高速連續式刷鍍技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 反射率>90%(可見光範圍) | 潛力預估: 可以搭配產業之需求，無論是厚板與薄材皆可以應用，主要可以用於非平面之表面而且大面積之鍍層更是優於其他之電鍍製程。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
AZO軟板執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 目前製作最佳AZO薄膜片電阻小於15 Ω/sq；薄膜電阻率約為5.6×10-4 Ω-cm。另一方面，AZO薄膜於PET軟性基材上之光穿透率，其光穿透率約為85%，而Haze值可大於20%以上。另開發A... | 潛力預估: 本製程設備與產業界所使用之濺鍍設備相容性較高。因此，未來在作產業推廣時，業界所需增加的設備支出較少。有助於提高業界投入此技術之意願。而且應用此技術其薄膜不僅在製程溫度和表面機械特性，均較傳統濺鍍技術為... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
急速冷凝熱電材料技術開發執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 綠色電能材料與系統應用開發計畫 | 領域: | 技術規格: 本計畫已完成melt spinning急速凝固設備建立以及奈米結構p-type Bi-Te熱電材料薄片式粉末之製程建立。而應用急速冷凝旋鑄製程製作之熱電奈米晶材料，預先在原料配製時先酌於調高Te元素比... | 潛力預估: 可以看到未來車用、航太等移動電力源源不絕之需求，不論軍方或民間均不敢輕忽該熱電科技所創造之未來發展趨勢，展望未來能源不斷高漲之時代來臨，熱電及太陽能兩大科技仍是開發能源之主流，因為不受礦油國家之優勢主... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
快速凝固製造奈米粉體材料技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 綠色電能材料與系統應用開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 薄片厚度≦15?m。薄片靠銅輪冷卻面之晶粒寬度方向Grain size≦50~90 nm。氧含量≦1200 ppm。薄片粉末與其原料之XRD主繞射相相同。薄片粉末與其原料之載子種類的型態相同。 | 潛力預估: 透過改良型RSP製備熱電多晶型態粉體系統，以提供長時運作穩定之高度奈米化N/P型Bi-Te三元以上薄片粉體，對國內製造綠色用電環境下之業者，提供龐大燒結粉體原料製備市場技術資源，降低轉型非石化發電致冷... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
含細微化組織之合金靶材製造方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳 | 證書號碼: TW 197245 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
AZO 透明導電薄膜材料技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 開發可應用於PET材料表面鍍製透明電極材料之低溫製程及設備技術，利用高密度電弧電漿離子成膜技術得到高結晶性與低電阻率之AZO薄膜。鍍製AZO薄膜特性；目前基材鍍膜製程溫度≦100℃，片電阻值可調控10... | 潛力預估: 本計畫研發內容包括AZO鍍膜之製程及成膜之配方組成，透過材料與製程最佳化設計應用電弧離子鍍膜技術，將使得透明導電膜產業有新的製程與材料可以選擇。並且提供廠商建立自主性鍍膜製程及設備技術；可以配合未來軟... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
氣相反應腔體熱場及流場模擬及量測技術執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 1.建立三維熱流模擬技術平台、提供 SiC氣相沉積反應之相關製程參數最佳化之技術平台 2.完成熱壁式化學氣相沉積直徑≧10公分之 SiC模擬模組 3組，並針對 20組位置進行熱場及流場模擬誤差值< 1... | 潛力預估: 建立三維熱流模擬技術平台、提供 SiC氣相沉積之反應器內熱流模擬分析與溫度分佈之製程設計參考資料 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |