薄膜之低溫成長方法與設備
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專利名稱-中文薄膜之低溫成長方法與設備的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院材料所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是彭成鑑, 陳豐彥, 證書號碼是200889.

序號	563
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	薄膜之低溫成長方法與設備
執行單位	工研院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	彭成鑑, 陳豐彥
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	200889
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種薄膜之低溫成長方法與設備本發明係為一種薄膜之低溫成長方法與設備，在方法上，首先，將固態粉體或分散之液態懸浮液，經即時乾燥形成固態粉體粒子，並經由攜帶氣體所產生之氣流導入粉體處理室；接著，在粉體處理室中，將攜帶氣體以雷射或光直接照射來進行粉體表面處理，或者以能量束照射攜帶氣體以產生低溫電漿以進行粉體表面處理，或者，兩種方式併用以進行粉體表面處理並加以活化；最後，即可將經處理後之粉體粒子加速並撞擊在一基板，進行表面緻密化而形成一薄膜；在設備上，本發明之成長設備包含：一原材料、一氣膠形成裝置、一表面處理室，以及一基板；運用本發明所提供的設備與方法，即可以低溫方式成長含各種成分之薄膜，且特別適用於高揮發性材料構成之薄膜。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	彭成鑑
電話	(空)
傳真	(空)
電子信箱	cjpeng@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

563

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

薄膜之低溫成長方法與設備

執行單位

工研院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

彭成鑑, 陳豐彥

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

200889

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種薄膜之低溫成長方法與設備本發明係為一種薄膜之低溫成長方法與設備，在方法上，首先，將固態粉體或分散之液態懸浮液，經即時乾燥形成固態粉體粒子，並經由攜帶氣體所產生之氣流導入粉體處理室；接著，在粉體處理室中，將攜帶氣體以雷射或光直接照射來進行粉體表面處理，或者以能量束照射攜帶氣體以產生低溫電漿以進行粉體表面處理，或者，兩種方式併用以進行粉體表面處理並加以活化；最後，即可將經處理後之粉體粒子加速並撞擊在一基板，進行表面緻密化而形成一薄膜；在設備上，本發明之成長設備包含：一原材料、一氣膠形成裝置、一表面處理室，以及一基板；運用本發明所提供的設備與方法，即可以低溫方式成長含各種成分之薄膜，且特別適用於高揮發性材料構成之薄膜。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

彭成鑑

電話

(空)

傳真

(空)

電子信箱

cjpeng@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

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電話

傳真

電子信箱

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