製造含有多數個被動元件之單一積體化元件的方法
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專利名稱-中文製造含有多數個被動元件之單一積體化元件的方法的核准國家是美國, 證書號碼是6,737,282, 專利性質是發明, 執行單位是工研院材料所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是鄭世裕, 陳雲田.

序號	568
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	製造含有多數個被動元件之單一積體化元件的方法
執行單位	工研院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	鄭世裕 \| 陳雲田
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	6,737,282
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	製造含有多數個被動元件之單一積體化元件的方法本發明提供一種新穎的在單一積體化元件中形成多數個被動元件之方法。其步驟包括：提供一具半導性的鐵電性材料為基板或薄膜；在該基板或薄膜上施加擴散劑；以及對該基板或薄膜施予熱處理。該鐵電性材料係選自Ba1-xSrxTiO3或Sr1- xCaxTi O3或以上二種材料的混合物所形成的多晶結構之基板或薄膜。該熱處理可以均溫加熱或者脈衝雷射的方式進行。根據本發明，在同一基板上利用相同離子之不同濃度的擴散劑，在同一熱處理條件下，可以獲得包括電阻、熱敏電阻、變阻器以及電容的特性的積體化元件。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	鄭世裕
電話	03-5915360
傳真	03-5820206
電子信箱	SYCheng@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號

568

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

製造含有多數個被動元件之單一積體化元件的方法

執行單位

工研院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

鄭世裕 | 陳雲田

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6,737,282

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

製造含有多數個被動元件之單一積體化元件的方法本發明提供一種新穎的在單一積體化元件中形成多數個被動元件之方法。其步驟包括：提供一具半導性的鐵電性材料為基板或薄膜；在該基板或薄膜上施加擴散劑；以及對該基板或薄膜施予熱處理。該鐵電性材料係選自Ba1-xSrxTiO3或Sr1- xCaxTi O3或以上二種材料的混合物所形成的多晶結構之基板或薄膜。該熱處理可以均溫加熱或者脈衝雷射的方式進行。根據本發明，在同一基板上利用相同離子之不同濃度的擴散劑，在同一熱處理條件下，可以獲得包括電阻、熱敏電阻、變阻器以及電容的特性的積體化元件。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鄭世裕

電話

03-5915360

傳真

03-5820206

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SYCheng@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

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公告更補正本公司113年度個體及合併財務報告附註部分資訊	發言日期: 1140320 \| 發言時間: 154149 \| 公司名稱: 上奇 \| 公司代號: 6123 \| 事實發生日: 1140320 \| 符合條款: 第53款 \| 說明: 1.事實發生日:114/03/20 2.公司名稱:上奇科技股份有限公司 3.與公司關係(請輸入本公司或子公司):不適用 4.相互持股比例:不適用 5.發生緣由: 1.更正本公司113年度個體財務報告第... @ 上櫃公司每日重大訊息
公告本公司董事會通過重編113年第3季合併財務報告及更正110年第4季至113年第2季各期財務報告。	發言日期: 1140326 \| 發言時間: 173912 \| 公司名稱: 鴻名 \| 公司代號: 3021 \| 事實發生日: 1140326 \| 符合條款: 第30款 \| 說明: 1.事實發生日:114/03/26 2.更正或重編之財務報告年季: (1)重編113年第3季合併財務報告 (2)更正110年第4季至113年第2季各期財務報告 3.請說明為更正或重編:更正及重編 ... @ 上市公司每日重大訊息
天籟紀事---113號公路17公里處	出版日期: 2011-03 \| 出版單位: 桃園縣平鎮市新榮國民小學 \| 作者資訊: 桂景星 \| ISBN: 9789860274653 \| 語言: 中文 \| 適用對象: 成人（學術性） \| 主題分類: 教育 \| 書籍介紹: 本書內容是發生在113號公路17公里處，關於桃園一所公立實驗小學創校故事的「下半場」天籟記敘。進入後新榮創校時代，創校者回首草創初期拓荒耕讀園丁家栽的《創校觀想》思維，繼而前瞻創校後期革籬哲思天籟迴游... \| 授權資訊: 聯絡處室：教務處;姓名：沈月娥;電話：03-2806200-210;地址：桃園縣平鎮市中原路88號 @ 出版書目資料
公告本公司董事會通過113年度合併財務報告	發言日期: 1140310 \| 發言時間: 175858 \| 公司名稱: 藍天 \| 公司代號: 2362 \| 事實發生日: 1140310 \| 符合條款: 第31款 \| 說明: 1.提報董事會或經董事會決議日期:114/03/10 2.審計委員會通過日期:114/03/10 3.財務報告或年度自結財務資訊報導期間起訖日期(XXX/XX/XX~XXX/XX/XX):113/0... @ 上市公司每日重大訊息
電腦設備用品(商用電腦)	標案案號: LP5-113046 \| 標的分類: 2_財物類 \| 得標廠商名稱1: 群曜數位科技股份有限公司 \| 招標機關: 臺灣銀行股份有限公司 \| 決標日期: 20250307 @ 決標金額前5大之決標公告
電腦設備用品(商用電腦)	標案案號: LP5-111039 \| 標的分類: 2_財物類 \| 得標廠商名稱1: 國眾電腦股份有限公司 \| 招標機關: 臺灣銀行股份有限公司 \| 決標日期: 20221124 @ 決標金額前5大之決標公告

電腦設備用品(商用電腦)

標案案號: LP5-113046 | 標的分類: 2_財物類 | 得標廠商名稱1: 群曜數位科技股份有限公司 | 招標機關: 臺灣銀行股份有限公司 | 決標日期: 20250307

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電腦設備用品(商用電腦)

標案案號: LP5-111039 | 標的分類: 2_財物類 | 得標廠商名稱1: 國眾電腦股份有限公司 | 招標機關: 臺灣銀行股份有限公司 | 決標日期: 20221124

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複合模態換能器及具有複合模態換能器之冷卻裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I290674 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 鄭世裕陳雲田譚瑞敏楊書榮 @ 技術司專利資料集
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冷卻裝置之多模態壓電換能器結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,567,015 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 鄭世裕 \| 陳雲田 \| 譚瑞敏 \| 楊書榮 @ 技術司專利資料集
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複合模式換能器及具有複合模式換能器的冷卻裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610058512.9 \| 專利期間起: 1999/8/25 \| 專利期間訖: 115/03/09 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 鄭世裕 \| 陳雲田 \| 譚瑞敏 \| 楊書榮 @ 技術司專利資料集
複合模態換能器及具有複合模態換能器之冷卻裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7683522 \| 專利期間起: 1999/3/23 \| 專利期間訖: 116/06/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 鄭世裕 \| 陳雲田 \| 譚瑞敏 \| 楊書榮 @ 技術司專利資料集
壓電發電器與壓電發電的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I339487 \| 專利期間起: 100/03/21 \| 專利期間訖: 116/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 \| 專利發明人: 鄭世裕 \| 陳雲田 @ 技術司專利資料集

複合模態換能器及具有複合模態換能器之冷卻裝置

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超薄壓電膜材料技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 壓電膜層具機電轉換效率40﹪，機械品質因素10，製作之振動板起始頻率低至100Hz等特性，同時具有可撓曲性。 \| 潛力預估: 壓電式聲音元件包括蜂鳴器、振鈴、收送話器、喇叭等，市場約有新台幣70億的規模，主要的材料為壓電薄片。配合寬音域與平面化的產品應用趨勢，降低壓電片厚度與直接製作於可撓基材上為關鍵性技術，超薄壓電膜材料技... @ 技術司可移轉技術資料集
可撓基材製作壓電膜層技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 壓電粉體微細化與改質，經800W/30秒以上微波能量處理，可撓基材直接製作厚度10微米以下之壓電膜層 \| 潛力預估: 電聲轉換元件如蜂鳴器、收/受話器、喇叭等市場規模80億元台幣以上，超薄化為其重要產品發展趨勢。壓電感測與致動元件如高感度振動與高效率減振等使用於運動器材，約有2~5億元台幣的潛力。 @ 技術司可移轉技術資料集
濕式披覆製作氧化鋅透明高導電膜技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電阻率85% \| 潛力預估: 顯示器產業重要材料 @ 技術司可移轉技術資料集
壓電陶瓷纖維製作技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.壓電纖維d33特性>600pC/N， 2.介電損失＜3% 3.壓電纖維尺寸f200um~1000um，長度＞10cm \| 潛力預估: 設計壓電陶瓷纖維結合有機膠體形成壓電複合材料兼具可撓與高壓電性，可解決現有純壓電陶瓷薄片或高分子類壓電材料特性不佳問題。目前壓電陶瓷纖維複材已驗證於環境能量擷取微發電(energy harvestin... @ 技術司可移轉技術資料集
壓電陶瓷纖維及複合材料應用	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 使用傳統陶瓷擠出成形與燒結製程，具成本優勢且製程無環境污染的問題。微米級尺寸的壓電性陶瓷纖維，其壓電特性d33特性600 pC/N。配合集束與樹脂灌注，經線切割與研磨形成具可撓性的1-3結構壓電複材... \| 潛力預估: 壓電陶瓷纖維及其製作之1-3結構壓電複材兼具可撓與高壓電性，解決現有壓電複材或高分子類壓電材料特性不佳問題，兩者均可建立廠商新的產品技術，提高技術進入障礙，建立長時間高值化產品的營運商機。跳脫國內壓電... @ 技術司可移轉技術資料集
壓電材料觸控回饋應用技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 壓電致動器接受電壓驅動，產生相對應驅動頻率的振動，除應用為振動產生的觸控回饋功能，適當黏結發聲用的振膜，使整體結構兼具觸控回饋與喇叭的功能，加值壓電致動元件的應用功能。 \| 潛力預估: 壓電致動器之觸控回饋功能，架構人與數位系統間，影音外的第三種介面方式，提高人機介面的設計空間，成為新的ICT產品。配合壓電陶瓷纖維複材的運用，可撓性壓電觸控回饋附加的紡織品，進一步拓展壓電致動器產品的... @ 技術司可移轉技術資料集
壓電材料制振應用技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 壓電複材致動器接受電壓驅動，產生相對應驅動頻率的振動，提供為振動產生的抑制回饋功能，依振動源大小及力道，選用大小面積可調整之元件組合，加值壓電致動元件的應用功能。制振單元之複材面積最大可達100cm2... \| 潛力預估: 大面積壓電複材致動器，提高人機介面的設計空間，成為新的ICT產品。配合壓電陶瓷纖維複材的運用，可撓性壓電觸控回饋附加的紡織品，進一步拓展壓電致動器產品的市場空間，成為產業新的投資標的。預期可促成壓電纖... @ 技術司可移轉技術資料集
具有三明治結構的陶瓷生胚	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220426 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭世裕 \| 張鳴助 \| 王譯慧 @ 技術司專利資料集

超薄壓電膜材料技術

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濕式披覆製作氧化鋅透明高導電膜技術

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壓電陶瓷纖維及複合材料應用

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有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200178 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 周維揚 \| 鄭弘隆 \| 賴志明 \| 廖奇璋
直下式背光模組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200905 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 詹景翔 \| 蕭名君 \| 劉康弘 \| 林偉義
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198431 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6757189 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘
改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189045 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 江欣峻 \| 何璨佑 \| 許家榮
多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189620 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 莊世瑋 \| 鍾震桂 \| 陳仲竹
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具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206597 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張鈞傑 \| 莊景桑 \| 陳志強
靜電式驅動之微繼電器及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198718 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏 \| 顏凱翔 \| 王欽宏 \| 陳振頤 \| 房佩怡
形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198717 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳志強 \| 莊景桑 \| 張鈞傑
自組裝奈米導電凸塊及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200159 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 汪若蕙 \| 陳裕華
貼合材料層於透明基板上的方法以及形成單晶矽層於透明基板的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200277 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張志祥 \| 李啟聖 \| 黃順發 \| 張榮芳 \| 許財源 \| 胡文智 \| 王亮棠
動態影像灰階檢測方法與裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200272 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖明俊
微針頭陣列製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206641 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 郭仕奇 \| 陳相甫
液晶顯示器畫素電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197257 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 林展瑞 \| 王博文 \| 陳尚立

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