連續微小相位變化檢出裝置及其方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文連續微小相位變化檢出裝置及其方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是200275, 專利性質是發明, 執行單位是工研院量測中心, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫, 專利發明人是陳譽元, 楊景榮, 黃瓊輝.

序號	615
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	連續微小相位變化檢出裝置及其方法
執行單位	工研院量測中心
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人	陳譽元 \| 楊景榮 \| 黃瓊輝
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	200275
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種連續微小相位變化檢出之方法，以及應用上述方法之檢出裝置，使相位變化之記錄不再被局限於±2π的範圍中，亦可檢出更精確之相位變化情形。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	金娟如
電話	03-5743816
傳真	03-5720621
電子信箱	judyking@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)

序號

615

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

連續微小相位變化檢出裝置及其方法

執行單位

工研院量測中心

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫

專利發明人

陳譽元 | 楊景榮 | 黃瓊輝

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

200275

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種連續微小相位變化檢出之方法，以及應用上述方法之檢出裝置，使相位變化之記錄不再被局限於±2π的範圍中，亦可檢出更精確之相位變化情形。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

金娟如

電話

03-5743816

傳真

03-5720621

電子信箱

judyking@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

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高密度通道光譜影像量測技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm \| 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足，但製程良率偏低，且檢測速度遠不及產出率，需求快速光譜檢測新一代技術，本技術可直接針對此需求提供服務。 @ 技術司可移轉技術資料集
高密度光譜分析技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm \| 潛力預估: 可取代目前國外高價產品，可創造產值5億 @ 技術司可移轉技術資料集
垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 \| 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器，在亞洲市場的產值每年可達數億元，其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。 @ 技術司可移轉技術資料集
3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭，尺寸/形狀空間解析度：8~15μm。(2)機台y-方向移動速度：40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... \| 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等，產業頗具規模，因此，製程品質之檢測儀器之需求大。 @ 技術司可移轉技術資料集
HDI-PCB銅箔線路雷射盲孔缺陷檢測探頭技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)空間解析度：7.7 μm。(2)深度範圍：< 200μm。 \| 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等，產業頗具規模，因此，製程品質之檢測儀器之需求大。 @ 技術司可移轉技術資料集
三維形貌量測探頭技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 垂直解析度≦5μm。2. 水平解析度：≦25μm。3.掃描速度: 125mm/sec。 \| 潛力預估: 預計93年台灣儀器廠將陸續推出設備搶攻台灣與大陸市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
電力控制電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 214743 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 陳盛仁, 楊景榮, 林俊宏, 陳燦林 @ 技術司專利資料集
提高掃頻電路頻率解析與準確度之系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184318 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 郭晉榮,黃俊雄 @ 技術司專利資料集

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用於陽極接合間隙物之SOG材料	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184703 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元
用於陽極接合間隙物之SOG材料	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6617264 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191653 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6663278 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝
接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200260 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 楊學安, 李正中, 蕭名君, 黃榮堂
形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6692983 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑
可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184717 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張志祥, 王文通, 戴遠東, 林炯暐, 陳麒麟, 廖宗能, 李啟聖
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220265 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6769945 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中
場發射顯示器之三極結構及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206590 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武
主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202661 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒
主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6753655 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒
形成具有分子排列之有機半導體層的方法，以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6737303 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋
薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189563 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200395 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲

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領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

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專利期間起

專利期間訖

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