應變矽碳場效電晶體
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文應變矽碳場效電晶體的核准國家是美國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是95, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是李敏鴻、張書通、陸新起、劉致為.

序號	2791
產出年度	95
領域別	(空)
專利名稱-中文	應變矽碳場效電晶體
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	李敏鴻、張書通、陸新起、劉致為
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	(空)
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本案係為一種將應變矽碳層成長於鬆弛矽鍺緩衝層上之場效電晶體，其包含：一矽基底；一漸變矽鍺層(graded Si1-xGex layer)，用以漸次增加鍺含量; 一鬆弛矽鍺緩衝層(relaxed Si1-xGex buffer layer)，用以產生應變矽碳; 一應變矽碳通道，使載子在傳輸方向的遷移率增加，使其有較大的電流，較快的速度；一氧化層；一複晶矽閘極電極(或金屬閘極電極)；以及源極、汲極在通道兩端，使其形成場效電晶體結構。A MOSFET structure utilizing strained silicon carbon alloy and fabrication method thereof. The MOSFET structure includes a substrate, a graded SiGe layer, a relaxed buffer layer, a strained silicon carbon alloy channel layer, a gate dielectric layer, a polysilicon gate electrode (or metal gate electrode) and a source/drain region.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	劉展洋
電話	03-5916037
傳真	03-5917431
電子信箱	JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

2791

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

應變矽碳場效電晶體

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

李敏鴻、張書通、陸新起、劉致為

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

(空)

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本案係為一種將應變矽碳層成長於鬆弛矽鍺緩衝層上之場效電晶體，其包含：一矽基底；一漸變矽鍺層(graded Si1-xGex layer)，用以漸次增加鍺含量; 一鬆弛矽鍺緩衝層(relaxed Si1-xGex buffer layer)，用以產生應變矽碳; 一應變矽碳通道，使載子在傳輸方向的遷移率增加，使其有較大的電流，較快的速度；一氧化層；一複晶矽閘極電極(或金屬閘極電極)；以及源極、汲極在通道兩端，使其形成場效電晶體結構。A MOSFET structure utilizing strained silicon carbon alloy and fabrication method thereof. The MOSFET structure includes a substrate, a graded SiGe layer, a relaxed buffer layer, a strained silicon carbon alloy channel layer, a gate dielectric layer, a polysilicon gate electrode (or metal gate electrode) and a source/drain region.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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含細微化組織之合金靶材製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳 \| 證書號碼: TW 197245
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一種可增加膽固醇液晶反射波寬的方法及其應用	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 專利發明人: 謝葆如, 郭惠隆 \| 證書號碼: 6669999
有機電致發光元件	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 專利發明人: 王宜凡, 翁文國, 呂伯彥 \| 證書號碼: 190466
有機電致發光元件	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 專利發明人: 王宜凡, 翁文國, 呂伯彥 \| 證書號碼: 6649284
具聲波導件之吸音板	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 專利發明人: 李芳慶, 陳文華, 姜達銘, 楊宗龍 \| 證書號碼: 218521
自發配向的膽固醇液晶型增亮膜的製法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 專利發明人: 謝葆如, 郭惠隆, 吳平耀, 朱文彬 \| 證書號碼: 196478
自發配向的膽固醇液晶型增亮膜的製法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 專利發明人: 謝葆如, 郭惠隆, 吳平耀, 朱文彬 \| 證書號碼: 6721030

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