交錯式條紋狀電容性基板結構
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專利名稱-中文交錯式條紋狀電容性基板結構的核准國家是美國, 專利性質是發明, 執行單位是工研院材化所, 產出年度是95, 計畫名稱是電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫, 專利發明人是李明林、徐欽山、劉淑芬、潘金平、金進興.

序號	3037
產出年度	95
領域別	(空)
專利名稱-中文	交錯式條紋狀電容性基板結構
執行單位	工研院材化所
產出單位	(空)
計畫名稱	電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
專利發明人	李明林 \| 徐欽山 \| 劉淑芬 \| 潘金平 \| 金進興
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	(空)
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本創作提供一種交錯式條紋形狀電容性基板結構，為符合現代之電子系統產品高頻、高速與高密度的發展趨勢，本創作利用複數個具有不同介電係數之介電材料組成介電層，再配合實際應用需要於介電層之單面黏合導電金屬層或是於介電層上下表面皆黏合導電金屬層以組合成電容性基板，使得單片電容性基板即可同時提供高速傳輸訊號所需低介電係數基板以及抑制高頻雜訊之去耦合(decoupling)電容所需高介電係數基板的功效，達到降低高頻傳輸時間延遲與抑制高頻雜訊的效果而不會互相抵觸。An interleaving striped capacitor substrate structure for pressing-type print circuit boards are disclosed. To achieve the high-frequency, high-speed, and high-density trend in modern electronic systems, the interleaving striped capacitor substrate structure uses several dielectric materials of different dielectric coefficients to make a dielectric layer. According to the practical needs, one or both sides of the dielectric layer is adhered with a conductive metal layer to form a capacitor substrate so that a single capacitor substrate can provide the lower dielectric coefficient substrate required for high-speed signal transmissions and the high dielectric coefficient substrate required by the decoupling capacitor to suppress the high-frequency noise signals. This simultaneously achieves the effects of lowering the high-frequency transmission time and suppressing high-frequency noises.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	劉展洋
電話	03-5916037
傳真	03-5917431
電子信箱	JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號

3037

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

交錯式條紋狀電容性基板結構

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫

專利發明人

李明林 | 徐欽山 | 劉淑芬 | 潘金平 | 金進興

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

(空)

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本創作提供一種交錯式條紋形狀電容性基板結構，為符合現代之電子系統產品高頻、高速與高密度的發展趨勢，本創作利用複數個具有不同介電係數之介電材料組成介電層，再配合實際應用需要於介電層之單面黏合導電金屬層或是於介電層上下表面皆黏合導電金屬層以組合成電容性基板，使得單片電容性基板即可同時提供高速傳輸訊號所需低介電係數基板以及抑制高頻雜訊之去耦合(decoupling)電容所需高介電係數基板的功效，達到降低高頻傳輸時間延遲與抑制高頻雜訊的效果而不會互相抵觸。An interleaving striped capacitor substrate structure for pressing-type print circuit boards are disclosed. To achieve the high-frequency, high-speed, and high-density trend in modern electronic systems, the interleaving striped capacitor substrate structure uses several dielectric materials of different dielectric coefficients to make a dielectric layer. According to the practical needs, one or both sides of the dielectric layer is adhered with a conductive metal layer to form a capacitor substrate so that a single capacitor substrate can provide the lower dielectric coefficient substrate required for high-speed signal transmissions and the high dielectric coefficient substrate required by the decoupling capacitor to suppress the high-frequency noise signals. This simultaneously achieves the effects of lowering the high-frequency transmission time and suppressing high-frequency noises.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

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時序還原之方法與系統	核准國家: 英國 \| 證書號碼: 573696 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 @ 技術司專利資料集
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多層薄盤壓電致動式超音波馬達	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,717,331 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 藍永松, 黃晉興, 張吉龍, 歐陽敏盛, 黃友謙, 游祥杰, 黃振源, 鄭尊仁, 朱朝居
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多層膜碟片膜層分離裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,668,894 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張朝信, 郭利德, 馬榮昌, 張裕修
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次微米解析度光學同調斷層攝影技術	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I223719 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 孫啟光
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位相差式防偽方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,667,797 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王迺岳, 蔡朝旭
微透鏡之製作方法及其製造裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I224210 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳錦泰
噴墨頭晶片封裝結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195329 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 許法源, 胡紀平

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