多階相變化記憶體、操作方法及其製造方法
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專利名稱-中文多階相變化記憶體、操作方法及其製造方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是96, 專利性質是發明, 計畫名稱是奈米電子關鍵及應用技術四年計畫, 專利發明人是李乾銘王文翰沈桂弘, 證書號碼是I277207.

序號	3619
產出年度	96
領域別	(空)
專利名稱-中文	多階相變化記憶體、操作方法及其製造方法
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人	李乾銘王文翰沈桂弘
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I277207
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種相變化記憶體、操作方法及其製造方法，係由兩個相變化層及電極組成，以並聯的方式構成一記憶胞，在操作上使用電壓控制模式（voltage-drive mode）。在施以不同之工作電壓下，形成不同位階之記憶狀態。與先前之單一相變膜之記憶胞比較，本發明所揭露之相變化記憶體可大幅提高記憶位元數，增加記憶容量。_x000D_
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	劉展洋
電話	03-5916037
傳真	03-5917431
電子信箱	JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

3619

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

多階相變化記憶體、操作方法及其製造方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵及應用技術四年計畫

專利發明人

李乾銘王文翰沈桂弘

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I277207

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種相變化記憶體、操作方法及其製造方法，係由兩個相變化層及電極組成，以並聯的方式構成一記憶胞，在操作上使用電壓控制模式（voltage-drive mode）。在施以不同之工作電壓下，形成不同位階之記憶狀態。與先前之單一相變膜之記憶胞比較，本發明所揭露之相變化記憶體可大幅提高記憶位元數，增加記憶容量。_x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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多階相變化記憶體、操作方法及其製造方法

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多階相變化記憶體、製造方法及其位階轉換方法

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多階相變化記憶體、製造方法及其位階轉換方法

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一種高速假撚方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬 \| 證書號碼: 207547 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 王興昇、李榮賢、陳棓煌 \| 證書號碼: 207522 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
熱管均熱板	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張長生、楊書榮 \| 證書號碼: 226177 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
一種資料通訊的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳炯憲、馬金溝 \| 證書號碼: 6496481 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
Optical Disk Control Mechanism	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 \| 專利發明人: 藍永松、張啟伸 \| 證書號碼: 6665253 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 德國 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 \| 證書號碼: 573696 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 英國 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 \| 證書號碼: 573696 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院生醫中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫 \| 專利發明人: 潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然 \| 證書號碼: 157850 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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步階式充放電之低功率液晶顯示器的驅動電路及其驅動方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳尚立, 易建宇 \| 證書號碼: 195737
具內凹型表面結構的多域分割液晶顯示器的結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達, 陳慶逸, 陳績檍 \| 證書號碼: 193993
液晶顯示面板點燈測試的方法及其結構	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 巫吉原 \| 證書號碼: 3553864
液晶顯示面板點燈測試的方法及其結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 巫吉原 \| 證書號碼: 190439
單增益緩衝器	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王博文, 施俊任, 陳尚立 \| 證書號碼: 3500353
廣視角橫向電極多域排列液晶顯示面板及製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達 \| 證書號碼: 206398
連續域反扭轉型液晶顯示裝置及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 莊立聖, 陳慶逸 \| 證書號碼: 185475
顯示器自動伽馬(GAMMA)校正系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖明俊, 楊和興, 沈毓仁 \| 證書號碼: 200771
一種全彩化發光二極體裝置及製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東, 彭遠清, 陳建志 \| 證書號碼: 6730937
調整資料驅動器參考電壓之顯示器自動伽馬校正系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖明俊, 陳明道, 楊和興 \| 證書號碼: 190460
可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 \| 證書號碼: 190469
可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 \| 證書號碼: 6680755
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 3522705
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 190470
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 6778161

多階相變化記憶體、操作方法及其製造方法 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

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專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

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