紅外線熱影像陣列模組驗證架構與製造方法
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專利名稱-中文紅外線熱影像陣列模組驗證架構與製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是US 7,462.920B2, 專利性質是發明, 執行單位是中科院材料所, 產出年度是97, 計畫名稱是光電輸出入模組與應用技術計畫, 專利發明人是湯相峰、江建德、翁炳國、施志昌、高耀堂、羅俊傑、楊三德.

序號	4279
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	紅外線熱影像陣列模組驗證架構與製造方法
執行單位	中科院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	光電輸出入模組與應用技術計畫
專利發明人	湯相峰 \| 江建德 \| 翁炳國 \| 施志昌 \| 高耀堂 \| 羅俊傑 \| 楊三德
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	US 7,462.920B2
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	此發明係一種紅外線熱影像陣列模組架構與製造方法，包含近紅外光(NIR: 850nm~1700nm)，中波段紅外光(Mid-IR: 3~5μm)或遠紅外光(L-IR: 8~12μm)感測元件陣列、陣列式光訊號讀取積體電路單元及熱顯像校正電路。此影像陣列感測模組接合架構與製作方式，適用於紅外線感測陣列單元與訊號讀取積體電路單元為異質材料系統下之熱影像陣列模組開發。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	湯相峰
電話	03-4712201 ext 357106
傳真	03-4711024
電子信箱	張國仁03-4712201 ext 357082
參考網址	(空)
備註	0
特殊情形	(空)

序號

4279

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

紅外線熱影像陣列模組驗證架構與製造方法

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

光電輸出入模組與應用技術計畫

專利發明人

湯相峰 | 江建德 | 翁炳國 | 施志昌 | 高耀堂 | 羅俊傑 | 楊三德

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

US 7,462.920B2

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

此發明係一種紅外線熱影像陣列模組架構與製造方法，包含近紅外光(NIR: 850nm~1700nm)，中波段紅外光(Mid-IR: 3~5μm)或遠紅外光(L-IR: 8~12μm)感測元件陣列、陣列式光訊號讀取積體電路單元及熱顯像校正電路。此影像陣列感測模組接合架構與製作方式，適用於紅外線感測陣列單元與訊號讀取積體電路單元為異質材料系統下之熱影像陣列模組開發。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

湯相峰

電話

03-4712201 ext 357106

傳真

03-4711024

電子信箱

張國仁03-4712201 ext 357082

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