可調整電阻比之相變化記憶體及其製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文可調整電阻比之相變化記憶體及其製造方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是97, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是王文翰梁鉅銘葉吉田邱顯浩, 證書號碼是I290369.

序號	4832
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	可調整電阻比之相變化記憶體及其製造方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	王文翰梁鉅銘葉吉田邱顯浩
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I290369
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種電阻比可調整之相變化記憶體，包括有彼此接觸地形成之一相變化層與一介面層，以及分別接觸相變化層與介面層之至少兩電極，兩電極與相變化層及介面層之接觸部分別定義一接觸面積，其中，電極與相變化層接觸部分所定義之面積大於電極與介面層接觸部分所定義之面積。 A phase change memory with adjustable resistance ratio is disclosed, which includes a phase change layer and an interface layer formed to be in contact with each other, and at least two electrodes in contact with the phase change layer and the interface layer respectively. The contact sections between the two electrodes and the phase change layer and the interface layer define a contact area respectively, wherein, the area defined by the contact section between the electrode and the phase change layer is larger than the area defined by the contact section between the electrode and the interface layer.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	0
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

4832

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

可調整電阻比之相變化記憶體及其製造方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

王文翰梁鉅銘葉吉田邱顯浩

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I290369

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種電阻比可調整之相變化記憶體，包括有彼此接觸地形成之一相變化層與一介面層，以及分別接觸相變化層與介面層之至少兩電極，兩電極與相變化層及介面層之接觸部分別定義一接觸面積，其中，電極與相變化層接觸部分所定義之面積大於電極與介面層接觸部分所定義之面積。 A phase change memory with adjustable resistance ratio is disclosed, which includes a phase change layer and an interface layer formed to be in contact with each other, and at least two electrodes in contact with the phase change layer and the interface layer respectively. The contact sections between the two electrodes and the phase change layer and the interface layer define a contact area respectively, wherein, the area defined by the contact section between the electrode and the phase change layer is larger than the area defined by the contact section between the electrode and the interface layer.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

特殊情形

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透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 吳旭智, 李青憲 \| 證書號碼: I321313 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
植入奈米碳管之製程方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 廖仕傑 ,陳輝達 , \| 證書號碼: I321123 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
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高分子膠體顯示器、其製法與顯示機制	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 沙益安, 林英哲, 翁逸君, 辛隆賓, 廖奇璋, 江欣峻, 范揚宜, 吳仲文 \| 證書號碼: 200444
液晶顯示器之製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 范揚宜, 江欣峻, 林英哲, 翁逸君, 何璨佑, 辛隆賓, 劉康弘, 吳仲文, 沙益安 \| 證書號碼: 206803
半導體光電晶體	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為 \| 證書號碼: 222219
半導體光電晶體	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為 \| 證書號碼: 6759694
形成多晶矽薄膜電晶體之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳麒麟, 黃順發, 王亮棠 \| 證書號碼: I224868
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空氣清淨裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 顏銘志, 江旭政, 洪劍長, 吳旭聖 \| 證書號碼: 213976
可替換式噴流或層流面板的空氣處理裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 洪劍長, 江旭政, 潘忠恕 \| 證書號碼: 6,716,265
空氣採樣微粒子稀釋裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 吳旭聖, 江旭政, 賀遵火 \| 證書號碼: 210149
空氣採樣微粒子稀釋裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 吳旭聖, 江旭政, 賀遵火 \| 證書號碼: 6,742,383
光觸媒捕蚊裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 賀遵火, 江旭政, 吳旭聖 \| 證書號碼: 225442
混成無刷馬達	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 黃文楠, 陳志信, 陳慕平, 陳婉珮 \| 證書號碼: 216627
使用主動式回授負載之直流/直流轉換器燒機測試方法及系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 胡國英 \| 證書號碼: 200694

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序號

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專利期間訖

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