形成多晶矽薄膜電晶體之方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文形成多晶矽薄膜電晶體之方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院通訊與光電領域環境建構計畫, 專利發明人是陳麒麟, 黃順發, 王亮棠, 證書號碼是I224868.

序號905
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文形成多晶矽薄膜電晶體之方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院通訊與光電領域環境建構計畫
專利發明人陳麒麟, 黃順發, 王亮棠
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I224868
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種形成多晶矽薄膜電晶體之方法，係在基板上先製作一非晶矽薄膜電晶體，而後進行紅外線瞬間加熱製程，使閘極金屬與源/汲極金屬快速吸收紅外線熱量，並將熱量傳導給非晶矽層，進而使非晶矽轉變成為多晶矽。因此，形成多晶矽薄膜電晶體。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

905

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

形成多晶矽薄膜電晶體之方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院通訊與光電領域環境建構計畫

專利發明人

陳麒麟, 黃順發, 王亮棠

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I224868

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種形成多晶矽薄膜電晶體之方法，係在基板上先製作一非晶矽薄膜電晶體，而後進行紅外線瞬間加熱製程，使閘極金屬與源/汲極金屬快速吸收紅外線熱量，並將熱量傳導給非晶矽層，進而使非晶矽轉變成為多晶矽。因此，形成多晶矽薄膜電晶體。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 形成多晶矽薄膜電晶體之方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號5991
產出年度98
領域別(空)
專利名稱-中文形成多晶矽薄膜電晶體之方法
執行單位工研院顯示中心
產出單位(空)
計畫名稱新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫
專利發明人陳麒麟, 黃順發, 王亮棠
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼7,361,566
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種形成多晶矽薄膜電晶體之方法，係在基板上先製作一非晶矽薄膜電晶體，而後進行紅外線瞬間加熱製程，使閘極金屬與源/汲極金屬快速吸收紅外線熱量，並將熱量傳導給非晶矽層，進而使非晶矽轉變成為多晶矽。因此，形成多晶矽薄膜電晶體。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註20101257-Joanne
特殊情形(空)
序號: 5991
產出年度: 98
領域別: (空)
專利名稱-中文: 形成多晶矽薄膜電晶體之方法
執行單位: 工研院顯示中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫
專利發明人: 陳麒麟, 黃順發, 王亮棠
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 7,361,566
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種形成多晶矽薄膜電晶體之方法，係在基板上先製作一非晶矽薄膜電晶體，而後進行紅外線瞬間加熱製程，使閘極金屬與源/汲極金屬快速吸收紅外線熱量，並將熱量傳導給非晶矽層，進而使非晶矽轉變成為多晶矽。因此，形成多晶矽薄膜電晶體。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 20101257-Joanne
特殊情形: (空)

# 形成多晶矽薄膜電晶體之方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號2843
產出年度95
領域別(空)
專利名稱-中文利用新式熱板結晶技術直接將非晶矽TFT轉變為多晶矽TFT
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱電子與光電領域環境建構計畫
專利發明人陳麒麟、黃順發、王亮棠
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼(空)
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種形成多晶矽薄膜電晶體之方法，係在基板上先製作一非晶矽薄膜電晶體，而後進行紅外線瞬間加熱製程，使閘極金屬與源/汲極金屬快速吸收紅外線熱量，並將熱量傳導給非晶矽層，進而使非晶矽轉變成為多晶矽。因此，形成多晶矽薄膜電晶體。A method of forming poly-silicon thin film transistors is described. An amorphous silicon thin film transistor is formed on a substrate, and then the Infrared (IR) heating process is used. A gate metal and source/drain metal are heated rapidly, and conduct heat energy to an amorphous silicon layer. Next, crystallization occurs in the amorphous silicon layer to form poly-silicon. Therefore a poly-silicon thin film transistor is produced.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 2843
產出年度: 95
領域別: (空)
專利名稱-中文: 利用新式熱板結晶技術直接將非晶矽TFT轉變為多晶矽TFT
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫
專利發明人: 陳麒麟、黃順發、王亮棠
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: (空)
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種形成多晶矽薄膜電晶體之方法，係在基板上先製作一非晶矽薄膜電晶體，而後進行紅外線瞬間加熱製程，使閘極金屬與源/汲極金屬快速吸收紅外線熱量，並將熱量傳導給非晶矽層，進而使非晶矽轉變成為多晶矽。因此，形成多晶矽薄膜電晶體。A method of forming poly-silicon thin film transistors is described. An amorphous silicon thin film transistor is formed on a substrate, and then the Infrared (IR) heating process is used. A gate metal and source/drain metal are heated rapidly, and conduct heat energy to an amorphous silicon layer. Next, crystallization occurs in the amorphous silicon layer to form poly-silicon. Therefore a poly-silicon thin film transistor is produced.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)
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# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號972
產出年度94
技術名稱-中文4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV之背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 972
產出年度: 94
技術名稱-中文: 4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV之背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號973
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 973
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號974
產出年度94
技術名稱-中文輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度雛型
可應用範圍(空)
潛力預估可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 974
產出年度: 94
技術名稱-中文: 輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (空)
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: (空)
潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: (空)
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號975
產出年度94
技術名稱-中文20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Size:20”；均勻度
技術成熟度雛型
可應用範圍戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 975
產出年度: 94
技術名稱-中文: 20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Size:20”；均勻度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號976
產出年度94
技術名稱-中文CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文(空)
技術規格20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV等背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 976
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV等背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號977
產出年度94
技術名稱-中文CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度雛型
可應用範圍自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 977
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號978
產出年度94
技術名稱-中文10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度雛型
可應用範圍車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 978
產出年度: 94
技術名稱-中文: 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號979
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器。_x000D_
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 979
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器。_x000D_
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
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所須軟硬體設備: 無
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與形成多晶矽薄膜電晶體之方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

自動調整增益／頻寬迴路濾波器及其中之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 專利發明人: 柯俊男, 黃正壹, 范志鵬 | 證書號碼: 6,696,886

使用後段脈衝處理濾波器技術之擁有快速收斂速率之平行化處理架構可調適決策回饋等化器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 專利發明人: 楊孟達, 吳安宇 | 證書號碼: 6,697,424

以多階網路遞迴式建構的累計和加法器網路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李碩彥 | 證書號碼: 6,591,285

特定限制下具備非阻塞特性的單模循環型交換器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李碩彥 | 證書號碼: 6,657,998

訊號處理方法及裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 專利發明人: 陳自強, 謝勳璋 | 證書號碼: 6,658,161

碼群組辨識與框邊界同步的方法與裝置

核准國家: 法國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王惠民, 吳如純, 林慶鴻 | 證書號碼: 2816142

光線補償之方法與系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡耀弘, 黃雅軒, 江政欽, 謝君偉 | 證書號碼: 191309

用於同步數位系統等化混合時域及頻域之方法

核准國家: 韓國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王志祺, 吳安宇, 王博民 | 證書號碼: 428611

在維特比譯碼器中生存路徑的存儲器管理方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 馬尚智 | 證書號碼: ZL01125921.3

決定語音音高標記的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳昭宏, 高永安 | 證書號碼: 204991

可提高人臉偵測正確率之影像前處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃雅軒, 蔡耀弘 | 證書號碼: 185584

用於行動網路中的多重播送的方法與系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林一平, 逄愛君, 陳春秀, 馮文生 | 證書號碼: 205010

在影像中擷取與比對手勢特徵之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張勤振, 黃雅軒 | 證書號碼: 189479

在影像中將人臉特徵定位之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 彭吳忠謀 | 證書號碼: 195162

一種網際網路上之多方語音通話系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 薛德輝, 王佳盈, 劉俊麟 | 證書號碼: 192253

自動調整增益／頻寬迴路濾波器及其中之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 專利發明人: 柯俊男, 黃正壹, 范志鵬 | 證書號碼: 6,696,886

使用後段脈衝處理濾波器技術之擁有快速收斂速率之平行化處理架構可調適決策回饋等化器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 專利發明人: 楊孟達, 吳安宇 | 證書號碼: 6,697,424

以多階網路遞迴式建構的累計和加法器網路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李碩彥 | 證書號碼: 6,591,285

特定限制下具備非阻塞特性的單模循環型交換器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李碩彥 | 證書號碼: 6,657,998

訊號處理方法及裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 專利發明人: 陳自強, 謝勳璋 | 證書號碼: 6,658,161

碼群組辨識與框邊界同步的方法與裝置

核准國家: 法國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王惠民, 吳如純, 林慶鴻 | 證書號碼: 2816142

光線補償之方法與系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡耀弘, 黃雅軒, 江政欽, 謝君偉 | 證書號碼: 191309

用於同步數位系統等化混合時域及頻域之方法

核准國家: 韓國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王志祺, 吳安宇, 王博民 | 證書號碼: 428611

在維特比譯碼器中生存路徑的存儲器管理方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 馬尚智 | 證書號碼: ZL01125921.3

決定語音音高標記的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳昭宏, 高永安 | 證書號碼: 204991

可提高人臉偵測正確率之影像前處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃雅軒, 蔡耀弘 | 證書號碼: 185584

用於行動網路中的多重播送的方法與系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林一平, 逄愛君, 陳春秀, 馮文生 | 證書號碼: 205010

在影像中擷取與比對手勢特徵之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張勤振, 黃雅軒 | 證書號碼: 189479

在影像中將人臉特徵定位之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 彭吳忠謀 | 證書號碼: 195162

一種網際網路上之多方語音通話系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 薛德輝, 王佳盈, 劉俊麟 | 證書號碼: 192253

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