具緩衝層的接合結構及其形成方法
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專利名稱-中文具緩衝層的接合結構及其形成方法的核准國家是美國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是97, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是陸蘇財張世明張恕銘黃元璋林耀生, 證書號碼是7,459,055.

序號	4951
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	具緩衝層的接合結構及其形成方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	陸蘇財張世明張恕銘黃元璋林耀生
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	7,459,055
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種具有緩衝層之接合結構及其接合方法。接合結構包含一備有複數個金屬墊的第一基板、一披覆在第一基板之一表面的上方的保護層、一位於金屬墊上方的第一黏著金屬層、一塗佈在保護層和金屬墊的上方的緩衝層、一覆蓋在緩衝層上方的第一金屬層、和一表面上方備有獨立分佈之複數個電極和一接合層的第二基板。將第一金屬層、複數個電極和接合層接合，以完成此接合結構。接合方式可以是直接接合，以配合表面活化處理、或是配合熱壓、或是直接以熱壓來完成直接接合。接合步驟少，增加製程可靠度，降低接合溫度，且提高接合密度，達到細間距的接合，以及降低金屬間化合物的產生，提高接點的品質。 A bonding structure with a buffer layer, and a method of forming the same are provided. The bonding structure comprises a first substrate with metal pads thereon, a protection layer covered on the surface of the substrate, a first adhesive metal layer formed on the metal pads, a buffer layer coated on the protection layer and the metal pads, a first metal layer covered on the buffer layer, and a second substrate with electrodes and a bonding layer thereon. The first metal layer, the electrodes and the bonding layer are bonded to form the bonding structure. DIrect bonding can be performed through surface activation or heat pressure. The method uses fewer steps and is more reliable. The temperature required for bonding the structure is lower. The bond density between the contacted surfaces is increased, to a fine pitch. The quality at the bonding points is increased because fewer contaminations between the contacted surfaces are generated.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	0
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

4951

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

具緩衝層的接合結構及其形成方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

陸蘇財張世明張恕銘黃元璋林耀生

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

7,459,055

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種具有緩衝層之接合結構及其接合方法。接合結構包含一備有複數個金屬墊的第一基板、一披覆在第一基板之一表面的上方的保護層、一位於金屬墊上方的第一黏著金屬層、一塗佈在保護層和金屬墊的上方的緩衝層、一覆蓋在緩衝層上方的第一金屬層、和一表面上方備有獨立分佈之複數個電極和一接合層的第二基板。將第一金屬層、複數個電極和接合層接合，以完成此接合結構。接合方式可以是直接接合，以配合表面活化處理、或是配合熱壓、或是直接以熱壓來完成直接接合。接合步驟少，增加製程可靠度，降低接合溫度，且提高接合密度，達到細間距的接合，以及降低金屬間化合物的產生，提高接點的品質。 A bonding structure with a buffer layer, and a method of forming the same are provided. The bonding structure comprises a first substrate with metal pads thereon, a protection layer covered on the surface of the substrate, a first adhesive metal layer formed on the metal pads, a buffer layer coated on the protection layer and the metal pads, a first metal layer covered on the buffer layer, and a second substrate with electrodes and a bonding layer thereon. The first metal layer, the electrodes and the bonding layer are bonded to form the bonding structure. DIrect bonding can be performed through surface activation or heat pressure. The method uses fewer steps and is more reliable. The temperature required for bonding the structure is lower. The bond density between the contacted surfaces is increased, to a fine pitch. The quality at the bonding points is increased because fewer contaminations between the contacted surfaces are generated.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

特殊情形

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同步更新日期

2019-07-24

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資料集識別碼: 19724 | 詮釋資料更新時間: 2024-08-22 16:38:39 | 品質檢測: 金 | 檔案格式: ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;... | 編碼格式: UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-... | 提供機關: 經濟部智慧財產局 | 服務分類: 公共資訊 | 資料集描述: 本資料集係依據行政院主計總處修訂之「公布(告)中央政府歲計會計書表電子檔案格式應行注意事項」辦理公開，內容包含經濟部智慧財產局會計月報，除12月份月報另依行政院主計總處規定時間外，其餘月份於次月15日...

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具緩衝層的接合結構及其形成方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 96 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財張世明張恕銘黃元璋林耀生 \| 證書號碼: 7183494 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
具緩衝層的接合結構及其形成方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財張世明張恕銘黃元璋林耀生 \| 證書號碼: 7,446,421 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
具緩衝層的接合結構及其形成方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財,張世明,張恕銘,黃元璋,林耀生 \| 證書號碼: 7,988,808 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 吳旭智, 李青憲 \| 證書號碼: I321313 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
植入奈米碳管之製程方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 廖仕傑 ,陳輝達 , \| 證書號碼: I321123 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲 \| 證書號碼: 7,904,736 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智 \| 證書號碼: 7,916,129 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
無線環境下定位系統的新取樣點決定方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 徐銘駿, 崔文, 陳昭男 \| 證書號碼: I321928 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
通訊網路下之行動管理方法及裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫 \| 專利發明人: 江為國, 何哲勳, 許建昌 \| 證書號碼: I321411 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏, 柯明道 \| 證書號碼: 7,692,907 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
直流偏移消除電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 高小文 \| 證書號碼: I320993 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法

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植入奈米碳管之製程方法

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多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

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無線環境下定位系統的新取樣點決定方法

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用於陽極接合間隙物之SOG材料	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 \| 證書號碼: 184703
用於陽極接合間隙物之SOG材料	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 \| 證書號碼: 6617264
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 \| 證書號碼: 191653
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 \| 證書號碼: 6663278
接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 楊學安, 李正中, 蕭名君, 黃榮堂 \| 證書號碼: 200260
形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 \| 證書號碼: 6692983
可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張志祥, 王文通, 戴遠東, 林炯暐, 陳麒麟, 廖宗能, 李啟聖 \| 證書號碼: 184717
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 \| 證書號碼: 220265
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 \| 證書號碼: 6769945
場發射顯示器之三極結構及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武 \| 證書號碼: 206590
主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 \| 證書號碼: 202661
主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 \| 證書號碼: 6753655
形成具有分子排列之有機半導體層的方法，以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋 \| 證書號碼: 6737303
薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源 \| 證書號碼: 189563
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲 \| 證書號碼: 200395

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